 |
Infineon Technologies 
Datasheet下载地址
| 本地下载 >> 第三方平台下载 >> |
BSC011N03LSIXT的详细信息
| Manufacturer： | Infineon |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 100 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 1.1 mOhms |
| Configuration： | Single Quad Drain Triple Source |
| Qg - Gate Charge： | 72 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 96 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | TSDSON-8 |
| Packaging： | Reel |
| Brand： | Infineon Technologies |
| Fall Time： | 6.2 ns |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 8.8 ns |
| Series： | BSC011N03 |
| Factory Pack Quantity： | 5000 |
| Tradename： | OptiMOS |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 37 ns |
| Part # Aliases： | BSC011N03LSIATMA1 SP000884574 |
扫码手机查看更方便
同类器件
