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NXP Semiconductors 
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2N7002PW,115的详细信息
| Manufacturer： | NXP |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 310 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 1 Ohms |
| Configuration： | Single |
| Qg - Gate Charge： | 0.6 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 260 mW |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | SOT-323-3 |
| Packaging： | Reel |
| Brand： | NXP Semiconductors |
| Channel Mode： | Enhancement |
| Fall Time： | 4 ns |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 4 ns |
| Factory Pack Quantity： | 3000 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 10 ns |
2N7002PW,115相关文档
- Selection guide: NXP's Power MOSFET Selection Guide 2012; Smaller, faster, cooler (v.2.1)
- S-parameter: 2N7002PW_8_18_2010 Spice parameter (v.1.0)
- Application note: Understanding Power MOSFET Datasheet Parameters (v.1.0)
- PCN: Customer Information Notification
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