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Image: 74VHC02 74VHC02 ON Semiconductor 半导体 逻辑 vhc02 是一款先进的高速 cmos 2 输入 nor 门极，采用硅门极 cmos 工艺制造。它能实现与同等双极肖特基 ttl 相似的高速运行，同时还保持 cmos 低功耗。该内部电路由三级组成，包括提供高抗扰性和稳定输出的缓冲输出。输入保护电路可确保对输入引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压。此器件可用作 5V 系统与 3V 系统以及两种电源系统的接口，如备用电池。此电路可防止器件由于不匹配的供电和输入电压而损坏。 特性 高速： vcc = 5V时，tpd = 3.6 ns（典型值） 低功耗： TA = 25°C时，icc = 2 µA（最大值） 高抗噪能力： vnih = vnil = 28% vcc （最小值） 所有输入上都提供掉电保护 低噪声： volp = 0.8V（最大值） 引脚和功能与74hc02兼容
Image: 74VHC04 74VHC04 ON Semiconductor 半导体 逻辑 vhc04 是一种先进的高速 cmos 逆变器，采用硅门极 cmos 工艺制造。它能实现与同等双极肖特基 ttl 相似的高速运行，同时还能保持 cmos 低功耗。该内部电路由三级组成，包括提供高抗扰性和稳定输出的缓冲输出。输入保护电路可确保对输入引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压。此器件可用于将 5V 系统与 3V 系统以及两种电源系统的接口，如备用电池。此电路可防止器件由于不匹配的供电和输入电压而损坏。 特性 高速： vcc = 5V时，tpd = 3.8 ns（典型值） 高抗噪能力： vnih = vnil = 28% vcc （最小值） 所有输入上都提供掉电保护 低噪声： volp = 0.4V（典型值） 低功耗： TA = 25°C时，icc = 2 µA（最大值） 引脚和功能与74hc04兼容
Image: 74VHC08 74VHC08 ON Semiconductor 半导体 逻辑 vhc08 是一款先进的高速 cmos 2 输入 and 门极，采用硅门极 cmos 工艺制造。它能实现与同等双极肖特基 ttl 相似的高速运行，同时还保持 cmos 低功耗。该内部电路由 4 级组成，包括提供高抗扰性和稳定输出的缓冲输出。输入保护电路可确保对输入引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压。此器件可用作 5V 系统与 3V 系统以及两种电源系统的接口，如备用电池。此电路可防止器件由于不匹配的供电和输入电压而损坏。 特性 高速： TA = 25°C时，tpd = 4.3 ns（典型值） 高抗噪能力： vnih = vnil = 28% vcc （最小值） 所有输入上都提供掉电保护 低功耗： TA = 25°C时，icc = 2 µA（最大值） 低噪声： volp = 0.8V（最大值） 引脚和功能与74hc08兼容
Image: 74VHC125 74VHC125 ON Semiconductor 半导体 逻辑 vhc125包含四个带3态输出的独立同相缓冲器。 该器件为先进高速cmos元件，采用硅栅极cmos技术制造，在保持cmos低功耗的同时能达到与等效双极性肖特基ttl类似的高速运行。 输入保护电路确保0V至7V可应用于输入引脚，无需考虑电源电压。 此器件可用于连接5V至3V系统和两个电源系统（例如备用电池）。 此电路可防止器件因电源和输入电压不匹配而受损。 特性 高速： vcc = 5V时，tpd = 3.8 ns（典型值） 更低功耗： TA = 25°C时，icc = 2 µA（最大值） 高抗噪能力： vnih = vnil = 28% vcc （最小值） 所有输入上都提供掉电保护 低噪声： volp = 0.8V（最大值） 引脚和功能与74hc125兼容
Image: 74VHC132 74VHC132 ON Semiconductor 半导体 逻辑 vhc132 是一款先进的高速 cmos 2 输入 nand 施密特触发器门极，采用硅门极 cmos 工艺制造。它能实现与双极肖特基 ttl 相似的高速运行，同时还能保持 cmos 低功耗。引脚配置和功能与 vhc00 相同，只是输入在正向和负向输入阈值之间存在迟滞，能够将缓慢变化的输入信号转换为清晰定义的无抖动输出信号。因此可提供比传统逆变器更佳的干扰裕度。输入保护电路可确保对输入引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压。此器件可用于将 5V 系统与 3V 系统以及两种电源系统的接口，如备用电池。此电路可防止器件由于不匹配的供电和输入电压而损坏。 特性 高速： vcc = 5V时，tpd = 3.9 ns（典型值） 所有输入上都提供掉电保护 低功耗： TA = 25°C时，icc = 2 µA（最大值） 低噪声： volp = 0.8V（最大值） 引脚和功能与74hc132兼容
Image: 74VHC14 74VHC14 ON Semiconductor 半导体 逻辑 vhc14 是一种先进的高速 cmos 六路施密特逆变器，采用硅门极 cmos 工艺制造。它能实现与同等双极肖特基 ttl 相似的高速运行，同时还能保持 cmos 低功耗。引脚配置和功能与 vhc04 相同，只是输入在正向和负向输入阈值之间存在迟滞，能够将缓慢变化的输入信号转换为清晰定义的无抖动输出信号，因此可提供比传统逆变器更佳的干扰容限。输入保护电路可确保对输入引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压。此器件可用于将 5V 系统与 3V 系统以及两种电源系统的接口，如备用电池。此电路可防止器件由于不匹配的供电和输入电压而损坏。 特性 高速： vcc = 5V时，tpd = 5.5 ns（典型值） 低功耗： TA = 25°C时，icc = 2 µA（最大值） 高抗噪能力： vnih = vnil = 28% vcc （最小值） 所有输入上都提供掉电保护 低噪声： volp = 0.8V（最大值） 引脚和功能与74hc14兼容
Image: 74VHC240 74VHC240 ON Semiconductor 半导体 逻辑 vhc240 是一款先进的高速 cmos 八路总线缓冲器，采用硅门极 cmos 工艺制造。它能实现与同等双极肖特基 ttl 相似的高速运行，同时还保持 cmos 低功耗。vhc240 是一款反相 3 态缓冲器，具有两个有效低电平输出启用。此器件适用于驱动总线或缓冲内存地址寄存器。输入保护电路可确保对输入引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压。此器件可用作 5V 系统与 3V 系统以及两种电源系统的接口，如备用电池。此电路可防止器件由于不匹配的供电和输入电压而损坏。 特性 高速： TA = 25°C时，tpd = 3.6 ns（典型值） 低功耗： TA = 25°C时，icc = 2 µA（最大值） 高抗噪能力： vnih = vnil = 28% vcc （最小值） 所有输入上都提供掉电保护 低噪声： volp = 0.9V（最大值） 引脚和功能与74hc240兼容
Image: 74VHC244 74VHC244 ON Semiconductor 半导体 逻辑 vhc244 是一种先进的高速 cmos 八路总线缓冲器，采用硅门极 cmos 工艺制造。它能实现与同等双极肖特基 ttl 相似的高速运行，同时还能保持 cmos 低功耗。vhc244 是一款非反向 3 态缓冲器，具有两个有效低电平输出启用。该器件可用作 3 态内存地址驱动器、时钟驱动器和总线导向的发射器/接收器。输入保护电路可确保对输入引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压。此器件可用于将 5V 系统与 3V 系统以及两种电源系统的接口，如备用电池。此电路可防止器件由于不匹配的供电和输入电压而损坏。 特性 高速： vcc = 5V时，tpd = 3.9 ns（典型值） 高抗噪能力： vnih = vnil = 28% vcc （最小值） 所有输入上都提供掉电保护 低噪声： volp = 0.6V（典型值） 低功耗： TA = 25°C时，icc = 2 µA（最大值） 引脚和功能与74hc244兼容
Image: 74VHC32 74VHC32 ON Semiconductor 半导体 逻辑 vhc32 是一款先进的高速 cmos 2 输入 OR 门极，采用硅门极 cmos 工艺制造。它能实现与同等双极肖特基 ttl 相似的高速运行，同时还保持 cmos 低功耗。该内部电路由 4 级组成，包括提供高抗扰性和稳定输出的缓冲输出。输入保护电路可确保对输入引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压。此器件可用作 5V 系统与 3V 系统以及两种电源系统之间的接口，如备用电池。此电路可防止器件由于不匹配的供电和输入电压而损坏。 特性 高速： vcc = 5V时，tpd = 3.8 ns（典型值） 低功耗：TA = 25°C时，icc = 2 µA（最大值） 高抗噪能力： vnih = vnil = 28% vcc （最小值） 所有输入上都提供掉电保护 低噪声： volp = 0.8V（最大值） 引脚和功能与74hc32兼容
Image: 74VHC86 74VHC86 ON Semiconductor 半导体 逻辑 vhc86 是一款先进的高速 cmos 四路专用 OR 门极，采用硅门极 cmos 工艺制造。它能实现与同等双极肖特基 ttl 相似的高速运行，同时还保持 cmos 低功耗。输入保护电路可确保对输入引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压。此器件可用作 5V 系统与 3V 系统以及两种电源系统的接口，如备用电池。此电路可防止器件由于不匹配的供电和输入电压而损坏。 特性 高速： vcc = 5V时，tpd = 4.8 ns（典型值） 低功耗： TA = 25°C时，icc = 2 µA（最大值） 高抗噪能力： vnih = vnil = 28% vcc（最小值） 所有输入上都提供掉电保护 低噪声： volp = 0.8V（最大值） 引脚和功能与74hc86兼容
Image: 74VHCT00A 74VHCT00A ON Semiconductor 半导体 逻辑 vhct00a 是一款先进的高速 cmos 2 输入 nand 门极，采用硅门极 cmos 工艺制造。它能实现与同等双极肖特基 ttl 相似的高速运行，同时还保持 cmos 低功耗。该内部电路由三级组成，包括提供高抗扰性和稳定输出的缓冲输出。保护电路可确保对输入引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压和 vcc = 0V 时的输出引脚。这些电路可防止器件由于不匹配的电源和输入/输出电压而损坏。此器件可用作 3V 系统与 5V 系统以及两种电源系统的接口，如备用电池。 特性 高速： TA = 25°C时，tpd = 5.0 ns（典型值） 高抗噪能力： vih = 2.0V，vil = 0.8V 所有输入和输出上都提供掉电保护 低噪声： volp = 0.8V（最大值） 低功耗：TA = 25°C时，icc = 2 µA（最大值） 引脚和功能与74hct00兼容
Image: 74VHCT04A 74VHCT04A ON Semiconductor 半导体 逻辑 vhct04a 是一种先进的高速 cmos 逆变器，采用硅门极 cmos 工艺制造。它实现了与同等双极肖特基 ttl 相似的高运行速度，同时保持了 cmos 低功耗。该内部电路由 3 级组成，包括提供高抗扰性和稳定输出的缓冲输出。保护电路可确保对输入引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑 vcc = 0V 时的电源电压和输出引脚。这些电路可防止器件由于不匹配的供电和输入/输出电压而损坏。此器件可用作 3V 系统与 5V 系统以及两种电源系统的接口，如备用电池。 特性 高速： TA = 25°C时，tpd = 4.7 ns（典型值） 高抗噪能力： vih = 2.0V，vil = 0.8V 所有输入和输出上都提供掉电保护 低噪声： volp = 1.0V（最大值） 低功耗： TA = 25°C时，icc = 2 µA（最大值） 引脚和功能与74hct04兼容
Image: 74VHCT08A 74VHCT08A ON Semiconductor 半导体 逻辑 vhct08a 是一款先进的高速 cmos 2 输入 and 门极，采用硅门极 cmos 工艺制造。它能实现与同等双极肖特基 ttl 相似的高速运行，同时还保持 cmos 低功耗。该内部电路由 4 级组成，包括提供高抗扰性和稳定输出的缓冲输出。保护电路可确保对输入引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压和 vcc = 0V 时的输出引脚。这些电路可防止器件由于不匹配的电源和输入/输出电压而损坏。此器件可用作 3V 系统与 5V 系统以及两种电源系统的接口，如备用电池。 特性 高速： TA = 25°C时，tpd = 5.0 ns（典型值） 高抗噪能力： vih = 2.0V，vil = 0.8V 所有输入和输出上都提供掉电保护 低噪声： volp = 0.8V（最大值） 低功耗： TA = 25°C时，icc = 2 µA（最大值） 引脚和功能与74hct08兼容
Image: 74VHCT14A 74VHCT14A ON Semiconductor 半导体 逻辑 vhct14a 是一款先进的高速 cmos 六路施密特逆变器，采用硅门极 cmos 技术制造。vhct14a 包含六个独立的逆变器，它们能够将缓慢变化的输入信号转换为清晰定义的无抖动输出信号。保护电路可确保对输入引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压和 vcc = 0V 时的输出引脚。这些电路可防止器件由于不匹配的电源和输入/输出电压而损坏。此器件可用作 3V 系统与 5V 系统以及两种电源系统的接口，如备用电池。 特性 高速： TA = 25°C时，tpd = 5.0 ns（典型值） 高抗噪能力： vih = 2.0V，vil = 0.8V 所有输入上都提供掉电保护 低噪声： volp = 1.0V（最大值） 低功耗： TA = 25°C时，icc = 2 µA（最大值） 引脚和功能与74hct14兼容
Image: 74VHCU04 74VHCU04 ON Semiconductor 半导体 逻辑 vhcu04 是一款先进的高速 cmos 逆变器，采用硅门极 cmos 技术制造。它能实现与同等双极肖特基 ttl 相似的高速运行，同时还保持 cmos 低功耗。由于其内部电路由一个单级逆变器组成，因此它可用于模拟应用，比如晶体振荡器。输入保护电路可确保对输入引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压。此器件可用作 5V 系统与 3V 系统以及两种电源系统的接口，如备用电池。此电路可防止器件由于不匹配的供电和输入电压而损坏。 特性 高速： vcc = 5V时，tpd = 3.5 ns（典型值） 低功耗： TA = 25°C时，icc = 2 µA（最大值） 高抗噪能力： vnih = vnil = 28% vcc （最小值） 所有输入上都提供掉电保护 低噪声： volp = 0.8V（最大值） 引脚和功能与74hcu04兼容

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