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| 图片 | 型号 | 厂商 | 标准 | 分类 | 描述 |
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74VHCT00A | ON Semiconductor | 半导体 逻辑 | vhct00a 是一款先进的高速 cmos 2 输入 nand 门极，采用硅门极 cmos 工艺制造。它能实现与同等双极肖特基 ttl 相似的高速运行，同时还保持 cmos 低功耗。该内部电路由三级组成，包括提供高抗扰性和稳定输出的缓冲输出。保护电路可确保对输入引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压和 vcc = 0V 时的输出引脚。这些电路可防止器件由于不匹配的电源和输入/输出电压而损坏。此器件可用作 3V 系统与 5V 系统以及两种电源系统的接口，如备用电池。 特性 高速： TA = 25°C时，tpd = 5.0 ns（典型值） 高抗噪能力： vih = 2.0V，vil = 0.8V 所有输入和输出上都提供掉电保护 低噪声： volp = 0.8V（最大值） 低功耗：TA = 25°C时，icc = 2 µA（最大值） 引脚和功能与74hct00兼容 | |
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74VHCT04A | ON Semiconductor | 半导体 逻辑 | vhct04a 是一种先进的高速 cmos 逆变器，采用硅门极 cmos 工艺制造。它实现了与同等双极肖特基 ttl 相似的高运行速度，同时保持了 cmos 低功耗。该内部电路由 3 级组成，包括提供高抗扰性和稳定输出的缓冲输出。保护电路可确保对输入引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑 vcc = 0V 时的电源电压和输出引脚。这些电路可防止器件由于不匹配的供电和输入/输出电压而损坏。此器件可用作 3V 系统与 5V 系统以及两种电源系统的接口，如备用电池。 特性 高速： TA = 25°C时，tpd = 4.7 ns（典型值） 高抗噪能力： vih = 2.0V，vil = 0.8V 所有输入和输出上都提供掉电保护 低噪声： volp = 1.0V（最大值） 低功耗： TA = 25°C时，icc = 2 µA（最大值） 引脚和功能与74hct04兼容 | |
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74VHCT08A | ON Semiconductor | 半导体 逻辑 | vhct08a 是一款先进的高速 cmos 2 输入 and 门极，采用硅门极 cmos 工艺制造。它能实现与同等双极肖特基 ttl 相似的高速运行，同时还保持 cmos 低功耗。该内部电路由 4 级组成，包括提供高抗扰性和稳定输出的缓冲输出。保护电路可确保对输入引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压和 vcc = 0V 时的输出引脚。这些电路可防止器件由于不匹配的电源和输入/输出电压而损坏。此器件可用作 3V 系统与 5V 系统以及两种电源系统的接口，如备用电池。 特性 高速： TA = 25°C时，tpd = 5.0 ns（典型值） 高抗噪能力： vih = 2.0V，vil = 0.8V 所有输入和输出上都提供掉电保护 低噪声： volp = 0.8V（最大值） 低功耗： TA = 25°C时，icc = 2 µA（最大值） 引脚和功能与74hct08兼容 | |
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74VHCT14A | ON Semiconductor | 半导体 逻辑 | vhct14a 是一款先进的高速 cmos 六路施密特逆变器，采用硅门极 cmos 技术制造。vhct14a 包含六个独立的逆变器，它们能够将缓慢变化的输入信号转换为清晰定义的无抖动输出信号。保护电路可确保对输入引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压和 vcc = 0V 时的输出引脚。这些电路可防止器件由于不匹配的电源和输入/输出电压而损坏。此器件可用作 3V 系统与 5V 系统以及两种电源系统的接口，如备用电池。 特性 高速： TA = 25°C时，tpd = 5.0 ns（典型值） 高抗噪能力： vih = 2.0V，vil = 0.8V 所有输入上都提供掉电保护 低噪声： volp = 1.0V（最大值） 低功耗： TA = 25°C时，icc = 2 µA（最大值） 引脚和功能与74hct14兼容 |
