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Image:     74VHCT04A 74VHCT04A ON Semiconductor 半导体 逻辑 vhct04a 是一种先进的高速 cmos 逆变器,采用硅门极 cmos 工艺制造。它实现了与同等双极肖特基 ttl 相似的高运行速度,同时保持了 cmos 低功耗。该内部电路由 3 级组成,包括提供高抗扰性和稳定输出的缓冲输出。保护电路可确保对输入引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑 vcc = 0V 时的电源电压和输出引脚。这些电路可防止器件由于不匹配的供电和输入/输出电压而损坏。此器件可用作 3V 系统与 5V 系统以及两种电源系统的接口,如备用电池。 特性 高速: TA = 25°C时,tpd = 4.7 ns(典型值) 高抗噪能力: vih = 2.0V,vil = 0.8V 所有输入和输出上都提供掉电保护 低噪声: volp = 1.0V(最大值) 低功耗: TA = 25°C时,icc = 2 µA(最大值) 引脚和功能与74hct04兼容
Image:      74VHCT08A 74VHCT08A ON Semiconductor 半导体 逻辑 vhct08a 是一款先进的高速 cmos 2 输入 and 门极,采用硅门极 cmos 工艺制造。它能实现与同等双极肖特基 ttl 相似的高速运行,同时还保持 cmos 低功耗。该内部电路由 4 级组成,包括提供高抗扰性和稳定输出的缓冲输出。保护电路可确保对输入引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压和 vcc = 0V 时的输出引脚。这些电路可防止器件由于不匹配的电源和输入/输出电压而损坏。此器件可用作 3V 系统与 5V 系统以及两种电源系统的接口,如备用电池。 特性 高速: TA = 25°C时,tpd = 5.0 ns(典型值) 高抗噪能力: vih = 2.0V,vil = 0.8V 所有输入和输出上都提供掉电保护 低噪声: volp = 0.8V(最大值) 低功耗: TA = 25°C时,icc = 2 µA(最大值) 引脚和功能与74hct08兼容
Image:      74VHCU04 74VHCU04 ON Semiconductor 半导体 逻辑 vhcu04 是一款先进的高速 cmos 逆变器,采用硅门极 cmos 技术制造。它能实现与同等双极肖特基 ttl 相似的高速运行,同时还保持 cmos 低功耗。由于其内部电路由一个单级逆变器组成,因此它可用于模拟应用,比如晶体振荡器。输入保护电路可确保对输入引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压。此器件可用作 5V 系统与 3V 系统以及两种电源系统的接口,如备用电池。此电路可防止器件由于不匹配的供电和输入电压而损坏。 特性 高速: vcc = 5V时,tpd = 3.5 ns(典型值) 低功耗: TA = 25°C时,icc = 2 µA(最大值) 高抗噪能力: vnih = vnil = 28% vcc (最小值) 所有输入上都提供掉电保护 低噪声: volp = 0.8V(最大值) 引脚和功能与74hcu04兼容