|
TK65G10N1,RQ |
Toshiba |
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半导体
分离式半导体
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mosfet umosviii 100v 4.5m max(vgs=10v) d2pak |
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TK33S10N1Z,LQ |
Toshiba |
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半导体
分离式半导体
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mosfet umosviii 100v 10m max(vgs=10v) dpak |
|
TK65S04N1L,LQ |
Toshiba |
 |
半导体
分离式半导体
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mosfet umosviii 40v 4.3m max(vgs=10v) dpak |
|
TK90S06N1L,LQ |
Toshiba |
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半导体
分离式半导体
|
mosfet umosviii 60v 3.3m max(vgs=10v) dpak |
|
TK100S04N1L,LQ |
Toshiba |
 |
半导体
分离式半导体
|
mosfet umosviii 40v 2.3m max(vgs=10v) dpak |
|
TPN5900CNH,L1Q |
Toshiba |
 |
半导体
分离式半导体
|
mosfet umosviii 150v 59mohm (vgs=10v) tson-adv |
|
TK55S10N1,LQ |
Toshiba |
 |
半导体
分离式半导体
|
mosfet umosviii 100v 6.5m max(vgs=10v) dpak |
|
TPH5900CNH,L1Q |
Toshiba |
 |
半导体
分离式半导体
|
mosfet umosviii 150v 64mohm (vgs=10v) sop-adv |
|
TPH2010FNH,L1Q |
Toshiba |
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半导体
分离式半导体
|
mosfet umosviii 250v 205m (vgs=10v) sop-adv |
|
TPN1110ENH,L1Q |
Toshiba |
 |
半导体
分离式半导体
|
mosfet umosviii 200v 126m (vgs=10v) tson-adv |
|
TPH1110ENH,L1Q |
Toshiba |
 |
半导体
分离式半导体
|
mosfet umosviii 200v 131m (vgs=10v) sop-adv |
|
TPN2010FNH,L1Q |
Toshiba |
 |
半导体
分离式半导体
|
mosfet umosviii 250v 200m (vgs=10v) tson-adv |
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ZXMC4559DN8TC |
Diodes Incorporated |
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半导体
集成电路 - IC
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gate drivers 60v trench mosfet 20v vgs P-channel |
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ZXMP3F30FHTA |
Diodes Incorporated |
  |
半导体
集成电路 - IC
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gate drivers 30v P-channel mosfet 20v vgs -15.3A idm |
|
DMP56D0UV-7 |
Diodes Incorporated |
  |
半导体
分离式半导体
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MOSfet P-Ch enh -50v 6ohm fet -4V vgs -200ma |
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FDP3682_Q |
Fairchild Semiconductor |
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半导体
晶体管
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mosfet 功率 100v 32a .36ohm/vgs=1V |
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FDP42AN15A0_Q |
Fairchild Semiconductor |
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半导体
晶体管
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mosfet 功率 150v 35a .42 ohms/vgs=1V |
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FDS2582_Q |
Fairchild Semiconductor |
|
半导体
晶体管
|
mosfet 功率 150v 4.5a .6 ohms/vgs=1V |
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FDJ129 |
Fairchild Semiconductor |
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P-channel -2.5 vgs specified powertrench mosfet |
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FDJ1028N_06 |
Fairchild Semiconductor |
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N-channel 2.5 vgs specified powertrench mosfet |