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Image: STM6825 STM6825 STMicroelectronics 半导体 微控制器和微处理器 5、3.3、3或2.5 V电源的精密vcc监控 rst输出（低电平、推挽或漏极开路） rst输出（高电平，推拉） 重置脉冲宽度为1.4 ms、200 ms和240 ms（典型值） 看门狗超时时间为1.6秒（典型值） 手动复位输入（MR） 低电源电流-3μA（典型值） 保证rst（rst）断言降至vcc=1.0 V 工作温度：-40至+85°C（工业级） 符合rohs法规无负载部件符合rohs指令
Image: 7WB3126 7WB3126 ON Semiconductor 半导体 逻辑 7wb3126是一款先进的高速低功耗2位总线交换机，占地面积极小。 特性 高速：tpd=0.25 ns（最大值）@vcc=4.5 V 两个端口之间的3欧姆开关连接 输入端断电保护 零反弹 ttl兼容控制输入 ultrasmall免提套餐 这些是免提电话的设备7wb3126是一款先进的高速低功耗2位总线交换机，占地面积极小。 特性 高速：tpd=0.25 ns（最大值）@vcc=4.5 V 两个端口之间的3欧姆开关连接 输入端断电保护 零反弹 ttl兼容控制输入 ultrasmall免提套餐 这些是免提电话的设备
Image: NLX2G16 NLX2G16 ON Semiconductor 半导体 逻辑 特性 优势 tpd=1.8 ns（典型值）@vcc=5.0 V 高速 宽电压范围 设计用于1.65 V至5.5 V vcc操作 低功耗 icc=1µA（最大值），在TA=25°C时 pcb板节省 超小型包装 应用 终端产品 便携设备 汽车 一般用途 手机 掌上电脑 全球定位系统 信息娱乐
Image: 74LVTH125 74LVTH125 ON Semiconductor 半导体 逻辑 LVTH125 含有四个具有 3 态输出的独立非反相缓冲器。这些缓冲器适用于低压 (3.3V) vcc 应用，能够提供连接到 5V 环境的 ttl 接口。LVTH125 采用先进的 bicmos 工艺，可实现与 5V abt 类似的高速运行，同时保持低功耗。 特性 系统在5V vcc时的输入和输出接口能力 采用总线保持数据输入，无需外部上拉电阻来保持未使用的输入端 允许带电插/拔 上电/掉电高阻抗提供无干扰总线负载 -32 mA/+64 mA输出源电流/灌电流 功能上兼容74系列125 闩锁性能超过500 mA 静电放电(esd)性能：人体模型> 2000v机械模型> 200v充电器件模型> 1000v
Image: 74LVTH2244 74LVTH2244 ON Semiconductor 半导体 逻辑 lvt2244和lvth2244均为八路缓冲器和线路驱动器，设计用作存储器地址驱动器、时钟驱动器以及可提高印刷电路板密度的总线式发射器或接收器。 等效25ohm串联电阻用于减少输出过冲和欠冲。 lvth2244数据输入具有总线保持特性，无需外部上拉电阻来保持未使用的输入端。 这些缓冲器和线路驱动器设计用于低电压(3.3V) vcc应用，但也可向5V环境提供ttl接口。 lvt2244和lvth2244采用先进的bicmos技术制造，以实现高速运行（类似于5V abt），同时保持低功耗。 特性 系统在5V vcc时的输入和输出接口能力 输出上的等效25ohm串联电阻 采用总线保持数据输入，无需外部上拉电阻来保持未使用的输入端(74lvth2244)，同时也提供无总线保持特性的版本(74lvt2244) 允许带电插/拔 上电/掉电高阻抗提供无干扰总线负载 -12 mA/+12 mA输出源电流/灌电流 闩锁性能超过500 mA 静电放电(esd)性能：人体模型> 2000v机械模型> 200v充电器件模型> 1000v
Image: 74LVTH240 74LVTH240 ON Semiconductor 半导体 逻辑 LVT240和LVTH240均为反向八路缓冲器和线路驱动器，设计用作存储器地址驱动器、时钟驱动器以及可提高印刷电路板密度的总线式发射器或接收器。 LVTH240数据输入具有总线保持特性，无需外部上拉电阻来保持未使用的输入端。 这些缓冲器和线路驱动器设计用于低电压(3.3V) vcc应用，但也可向5V环境提供ttl接口。 LVT240和LVTH240采用先进的bicmos技术制造，以实现高速运行（类似于5V abt），同时保持低功耗。 特性 系统在5V vcc时的输入和输出接口能力 采用总线保持数据输入，无需外部上拉电阻来保持未使用的输入端(74LVTH240)，同时也提供无总线保持特性的版本(74LVT240) 允许带电插/拔 上电/掉电高阻抗提供无干扰总线负载 -32 mA/+64 mA输出源电流/灌电流 功能上兼容74系列240 闩锁性能超过500 mA 静电放电(esd)性能：人体模型> 2000v机械模型> 200v充电器件模型> 1000v
Image: 74LVTH244 74LVTH244 ON Semiconductor 半导体 逻辑 LVT244和LVTH244均为八路缓冲器和线路驱动器，设计用作存储器地址驱动器、时钟驱动器以及可提高印刷电路板密度的总线式发射器或接收器。 LVTH244数据输入具有总线保持特性，无需外部上拉电阻来保持未使用的输入端。 这些缓冲器和线路驱动器设计用于低电压(3.3V) vcc应用，但也可向5V环境提供ttl接口。 LVT244和LVTH244采用先进的bicmos技术制造，以实现高速运行（类似于5V abt），同时保持低功耗。 特性 系统在5V vcc时的输入和输出接口能力 总线保持数据输入无需外部上拉电阻即可保持未用的输入(74LVTH244)，另外还提供不含总线保持功能的配置(74LVT244)。 允许带电插/拔 上电/掉电高阻抗提供无干扰总线负载 -32 mA/+64 mA输出源电流/灌电流 功能上兼容74系列244 闩锁性能超过500 mA 静电放电(esd)性能：人体模型> 2000v机械模型> 200v充电器件模型> 1000v
Image: 74VHC02 74VHC02 ON Semiconductor 半导体 逻辑 vhc02 是一款先进的高速 cmos 2 输入 nor 门极，采用硅门极 cmos 工艺制造。它能实现与同等双极肖特基 ttl 相似的高速运行，同时还保持 cmos 低功耗。该内部电路由三级组成，包括提供高抗扰性和稳定输出的缓冲输出。输入保护电路可确保对输入引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压。此器件可用作 5V 系统与 3V 系统以及两种电源系统的接口，如备用电池。此电路可防止器件由于不匹配的供电和输入电压而损坏。 特性 高速： vcc = 5V时，tpd = 3.6 ns（典型值） 低功耗： TA = 25°C时，icc = 2 µA（最大值） 高抗噪能力： vnih = vnil = 28% vcc （最小值） 所有输入上都提供掉电保护 低噪声： volp = 0.8V（最大值） 引脚和功能与74hc02兼容
Image: 74VHC04 74VHC04 ON Semiconductor 半导体 逻辑 vhc04 是一种先进的高速 cmos 逆变器，采用硅门极 cmos 工艺制造。它能实现与同等双极肖特基 ttl 相似的高速运行，同时还能保持 cmos 低功耗。该内部电路由三级组成，包括提供高抗扰性和稳定输出的缓冲输出。输入保护电路可确保对输入引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压。此器件可用于将 5V 系统与 3V 系统以及两种电源系统的接口，如备用电池。此电路可防止器件由于不匹配的供电和输入电压而损坏。 特性 高速： vcc = 5V时，tpd = 3.8 ns（典型值） 高抗噪能力： vnih = vnil = 28% vcc （最小值） 所有输入上都提供掉电保护 低噪声： volp = 0.4V（典型值） 低功耗： TA = 25°C时，icc = 2 µA（最大值） 引脚和功能与74hc04兼容
Image: 74VHC125 74VHC125 ON Semiconductor 半导体 逻辑 vhc125包含四个带3态输出的独立同相缓冲器。 该器件为先进高速cmos元件，采用硅栅极cmos技术制造，在保持cmos低功耗的同时能达到与等效双极性肖特基ttl类似的高速运行。 输入保护电路确保0V至7V可应用于输入引脚，无需考虑电源电压。 此器件可用于连接5V至3V系统和两个电源系统（例如备用电池）。 此电路可防止器件因电源和输入电压不匹配而受损。 特性 高速： vcc = 5V时，tpd = 3.8 ns（典型值） 更低功耗： TA = 25°C时，icc = 2 µA（最大值） 高抗噪能力： vnih = vnil = 28% vcc （最小值） 所有输入上都提供掉电保护 低噪声： volp = 0.8V（最大值） 引脚和功能与74hc125兼容
Image: 74VHC14 74VHC14 ON Semiconductor 半导体 逻辑 vhc14 是一种先进的高速 cmos 六路施密特逆变器，采用硅门极 cmos 工艺制造。它能实现与同等双极肖特基 ttl 相似的高速运行，同时还能保持 cmos 低功耗。引脚配置和功能与 vhc04 相同，只是输入在正向和负向输入阈值之间存在迟滞，能够将缓慢变化的输入信号转换为清晰定义的无抖动输出信号，因此可提供比传统逆变器更佳的干扰容限。输入保护电路可确保对输入引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压。此器件可用于将 5V 系统与 3V 系统以及两种电源系统的接口，如备用电池。此电路可防止器件由于不匹配的供电和输入电压而损坏。 特性 高速： vcc = 5V时，tpd = 5.5 ns（典型值） 低功耗： TA = 25°C时，icc = 2 µA（最大值） 高抗噪能力： vnih = vnil = 28% vcc （最小值） 所有输入上都提供掉电保护 低噪声： volp = 0.8V（最大值） 引脚和功能与74hc14兼容
Image: 74VHC244 74VHC244 ON Semiconductor 半导体 逻辑 vhc244 是一种先进的高速 cmos 八路总线缓冲器，采用硅门极 cmos 工艺制造。它能实现与同等双极肖特基 ttl 相似的高速运行，同时还能保持 cmos 低功耗。vhc244 是一款非反向 3 态缓冲器，具有两个有效低电平输出启用。该器件可用作 3 态内存地址驱动器、时钟驱动器和总线导向的发射器/接收器。输入保护电路可确保对输入引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压。此器件可用于将 5V 系统与 3V 系统以及两种电源系统的接口，如备用电池。此电路可防止器件由于不匹配的供电和输入电压而损坏。 特性 高速： vcc = 5V时，tpd = 3.9 ns（典型值） 高抗噪能力： vnih = vnil = 28% vcc （最小值） 所有输入上都提供掉电保护 低噪声： volp = 0.6V（典型值） 低功耗： TA = 25°C时，icc = 2 µA（最大值） 引脚和功能与74hc244兼容
Image: 74VHC32 74VHC32 ON Semiconductor 半导体 逻辑 vhc32 是一款先进的高速 cmos 2 输入 OR 门极，采用硅门极 cmos 工艺制造。它能实现与同等双极肖特基 ttl 相似的高速运行，同时还保持 cmos 低功耗。该内部电路由 4 级组成，包括提供高抗扰性和稳定输出的缓冲输出。输入保护电路可确保对输入引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压。此器件可用作 5V 系统与 3V 系统以及两种电源系统之间的接口，如备用电池。此电路可防止器件由于不匹配的供电和输入电压而损坏。 特性 高速： vcc = 5V时，tpd = 3.8 ns（典型值） 低功耗：TA = 25°C时，icc = 2 µA（最大值） 高抗噪能力： vnih = vnil = 28% vcc （最小值） 所有输入上都提供掉电保护 低噪声： volp = 0.8V（最大值） 引脚和功能与74hc32兼容
Image: 74VHC86 74VHC86 ON Semiconductor 半导体 逻辑 vhc86 是一款先进的高速 cmos 四路专用 OR 门极，采用硅门极 cmos 工艺制造。它能实现与同等双极肖特基 ttl 相似的高速运行，同时还保持 cmos 低功耗。输入保护电路可确保对输入引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压。此器件可用作 5V 系统与 3V 系统以及两种电源系统的接口，如备用电池。此电路可防止器件由于不匹配的供电和输入电压而损坏。 特性 高速： vcc = 5V时，tpd = 4.8 ns（典型值） 低功耗： TA = 25°C时，icc = 2 µA（最大值） 高抗噪能力： vnih = vnil = 28% vcc（最小值） 所有输入上都提供掉电保护 低噪声： volp = 0.8V（最大值） 引脚和功能与74hc86兼容
Image: 74VHCU04 74VHCU04 ON Semiconductor 半导体 逻辑 vhcu04 是一款先进的高速 cmos 逆变器，采用硅门极 cmos 技术制造。它能实现与同等双极肖特基 ttl 相似的高速运行，同时还保持 cmos 低功耗。由于其内部电路由一个单级逆变器组成，因此它可用于模拟应用，比如晶体振荡器。输入保护电路可确保对输入引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压。此器件可用作 5V 系统与 3V 系统以及两种电源系统的接口，如备用电池。此电路可防止器件由于不匹配的供电和输入电压而损坏。 特性 高速： vcc = 5V时，tpd = 3.5 ns（典型值） 低功耗： TA = 25°C时，icc = 2 µA（最大值） 高抗噪能力： vnih = vnil = 28% vcc （最小值） 所有输入上都提供掉电保护 低噪声： volp = 0.8V（最大值） 引脚和功能与74hcu04兼容
Image: Teseo-LIV3FL Teseo-LIV3FL STMicroelectronics 光电子 光纤 - 接收器 同时多星座 -163 dbm跟踪灵敏度 1.5 m cep位置精度 嵌入式闪存，用于数据日志和FW升级 vcc/vbat电源电压范围：1.75 V至4.2 V vcc IO 1.8 V和3.3 V 微型lcc 18针封装（9.7x10.1） 工作温度范围宽（从-40°至85°（三） 免费固件配置 17.7. μ备用电流和82.7mw跟踪功耗
Image: ATS137-PG-B-B ATS137-PG-B-B Diodes Incorporated 半导体 分离式半导体 schottky diodes & rectifiers hall IC latch SW BI 20 vcc 30v vce 550mw
Image: ATS137-PG-B-A ATS137-PG-B-A Diodes Incorporated 半导体 分离式半导体 schottky diodes & rectifiers hall IC latch SW BI 20 vcc 30v vce 550mw
Image: ATS137-PG-A-B ATS137-PG-A-B Diodes Incorporated 半导体 分离式半导体 schottky diodes & rectifiers hall IC latch SW BI 20 vcc 30v vce 550mw
Image: ATS137-PG-A-A ATS137-PG-A-A Diodes Incorporated 半导体 分离式半导体 schottky diodes & rectifiers hall IC latch SW BI 20 vcc 30v vce 550mw

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