关键词tpd
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| 图片 | 型号 | 厂商 | 标准 | 分类 | 描述 |
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74VHC02 | ON Semiconductor | 半导体 逻辑 | vhc02 是一款先进的高速 cmos 2 输入 nor 门极，采用硅门极 cmos 工艺制造。它能实现与同等双极肖特基 ttl 相似的高速运行，同时还保持 cmos 低功耗。该内部电路由三级组成，包括提供高抗扰性和稳定输出的缓冲输出。输入保护电路可确保对输入引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压。此器件可用作 5V 系统与 3V 系统以及两种电源系统的接口，如备用电池。此电路可防止器件由于不匹配的供电和输入电压而损坏。 特性 高速： vcc = 5V时，tpd = 3.6 ns（典型值） 低功耗： TA = 25°C时，icc = 2 µA（最大值） 高抗噪能力： vnih = vnil = 28% vcc （最小值） 所有输入上都提供掉电保护 低噪声： volp = 0.8V（最大值） 引脚和功能与74hc02兼容 | |
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74VHC04 | ON Semiconductor | 半导体 逻辑 | vhc04 是一种先进的高速 cmos 逆变器，采用硅门极 cmos 工艺制造。它能实现与同等双极肖特基 ttl 相似的高速运行，同时还能保持 cmos 低功耗。该内部电路由三级组成，包括提供高抗扰性和稳定输出的缓冲输出。输入保护电路可确保对输入引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压。此器件可用于将 5V 系统与 3V 系统以及两种电源系统的接口，如备用电池。此电路可防止器件由于不匹配的供电和输入电压而损坏。 特性 高速： vcc = 5V时，tpd = 3.8 ns（典型值） 高抗噪能力： vnih = vnil = 28% vcc （最小值） 所有输入上都提供掉电保护 低噪声： volp = 0.4V（典型值） 低功耗： TA = 25°C时，icc = 2 µA（最大值） 引脚和功能与74hc04兼容 | |
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74VHC08 | ON Semiconductor | 半导体 逻辑 | vhc08 是一款先进的高速 cmos 2 输入 and 门极，采用硅门极 cmos 工艺制造。它能实现与同等双极肖特基 ttl 相似的高速运行，同时还保持 cmos 低功耗。该内部电路由 4 级组成，包括提供高抗扰性和稳定输出的缓冲输出。输入保护电路可确保对输入引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压。此器件可用作 5V 系统与 3V 系统以及两种电源系统的接口，如备用电池。此电路可防止器件由于不匹配的供电和输入电压而损坏。 特性 高速： TA = 25°C时，tpd = 4.3 ns（典型值） 高抗噪能力： vnih = vnil = 28% vcc （最小值） 所有输入上都提供掉电保护 低功耗： TA = 25°C时，icc = 2 µA（最大值） 低噪声： volp = 0.8V（最大值） 引脚和功能与74hc08兼容 | |
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74VHC125 | ON Semiconductor | 半导体 逻辑 | vhc125包含四个带3态输出的独立同相缓冲器。 该器件为先进高速cmos元件，采用硅栅极cmos技术制造，在保持cmos低功耗的同时能达到与等效双极性肖特基ttl类似的高速运行。 输入保护电路确保0V至7V可应用于输入引脚，无需考虑电源电压。 此器件可用于连接5V至3V系统和两个电源系统（例如备用电池）。 此电路可防止器件因电源和输入电压不匹配而受损。 特性 高速： vcc = 5V时，tpd = 3.8 ns（典型值） 更低功耗： TA = 25°C时，icc = 2 µA（最大值） 高抗噪能力： vnih = vnil = 28% vcc （最小值） 所有输入上都提供掉电保护 低噪声： volp = 0.8V（最大值） 引脚和功能与74hc125兼容 | |
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74VHC132 | ON Semiconductor | 半导体 逻辑 | vhc132 是一款先进的高速 cmos 2 输入 nand 施密特触发器门极，采用硅门极 cmos 工艺制造。它能实现与双极肖特基 ttl 相似的高速运行，同时还能保持 cmos 低功耗。引脚配置和功能与 vhc00 相同，只是输入在正向和负向输入阈值之间存在迟滞，能够将缓慢变化的输入信号转换为清晰定义的无抖动输出信号。因此可提供比传统逆变器更佳的干扰裕度。输入保护电路可确保对输入引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压。此器件可用于将 5V 系统与 3V 系统以及两种电源系统的接口，如备用电池。此电路可防止器件由于不匹配的供电和输入电压而损坏。 特性 高速： vcc = 5V时，tpd = 3.9 ns（典型值） 所有输入上都提供掉电保护 低功耗： TA = 25°C时，icc = 2 µA（最大值） 低噪声： volp = 0.8V（最大值） 引脚和功能与74hc132兼容 | |
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74VHC14 | ON Semiconductor | 半导体 逻辑 | vhc14 是一种先进的高速 cmos 六路施密特逆变器，采用硅门极 cmos 工艺制造。它能实现与同等双极肖特基 ttl 相似的高速运行，同时还能保持 cmos 低功耗。引脚配置和功能与 vhc04 相同，只是输入在正向和负向输入阈值之间存在迟滞，能够将缓慢变化的输入信号转换为清晰定义的无抖动输出信号，因此可提供比传统逆变器更佳的干扰容限。输入保护电路可确保对输入引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压。此器件可用于将 5V 系统与 3V 系统以及两种电源系统的接口，如备用电池。此电路可防止器件由于不匹配的供电和输入电压而损坏。 特性 高速： vcc = 5V时，tpd = 5.5 ns（典型值） 低功耗： TA = 25°C时，icc = 2 µA（最大值） 高抗噪能力： vnih = vnil = 28% vcc （最小值） 所有输入上都提供掉电保护 低噪声： volp = 0.8V（最大值） 引脚和功能与74hc14兼容 | |
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74VHC240 | ON Semiconductor | 半导体 逻辑 | vhc240 是一款先进的高速 cmos 八路总线缓冲器，采用硅门极 cmos 工艺制造。它能实现与同等双极肖特基 ttl 相似的高速运行，同时还保持 cmos 低功耗。vhc240 是一款反相 3 态缓冲器，具有两个有效低电平输出启用。此器件适用于驱动总线或缓冲内存地址寄存器。输入保护电路可确保对输入引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压。此器件可用作 5V 系统与 3V 系统以及两种电源系统的接口，如备用电池。此电路可防止器件由于不匹配的供电和输入电压而损坏。 特性 高速： TA = 25°C时，tpd = 3.6 ns（典型值） 低功耗： TA = 25°C时，icc = 2 µA（最大值） 高抗噪能力： vnih = vnil = 28% vcc （最小值） 所有输入上都提供掉电保护 低噪声： volp = 0.9V（最大值） 引脚和功能与74hc240兼容 | |
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74VHC244 | ON Semiconductor | 半导体 逻辑 | vhc244 是一种先进的高速 cmos 八路总线缓冲器，采用硅门极 cmos 工艺制造。它能实现与同等双极肖特基 ttl 相似的高速运行，同时还能保持 cmos 低功耗。vhc244 是一款非反向 3 态缓冲器，具有两个有效低电平输出启用。该器件可用作 3 态内存地址驱动器、时钟驱动器和总线导向的发射器/接收器。输入保护电路可确保对输入引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压。此器件可用于将 5V 系统与 3V 系统以及两种电源系统的接口，如备用电池。此电路可防止器件由于不匹配的供电和输入电压而损坏。 特性 高速： vcc = 5V时，tpd = 3.9 ns（典型值） 高抗噪能力： vnih = vnil = 28% vcc （最小值） 所有输入上都提供掉电保护 低噪声： volp = 0.6V（典型值） 低功耗： TA = 25°C时，icc = 2 µA（最大值） 引脚和功能与74hc244兼容 | |
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74VHC32 | ON Semiconductor | 半导体 逻辑 | vhc32 是一款先进的高速 cmos 2 输入 OR 门极，采用硅门极 cmos 工艺制造。它能实现与同等双极肖特基 ttl 相似的高速运行，同时还保持 cmos 低功耗。该内部电路由 4 级组成，包括提供高抗扰性和稳定输出的缓冲输出。输入保护电路可确保对输入引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压。此器件可用作 5V 系统与 3V 系统以及两种电源系统之间的接口，如备用电池。此电路可防止器件由于不匹配的供电和输入电压而损坏。 特性 高速： vcc = 5V时，tpd = 3.8 ns（典型值） 低功耗：TA = 25°C时，icc = 2 µA（最大值） 高抗噪能力： vnih = vnil = 28% vcc （最小值） 所有输入上都提供掉电保护 低噪声： volp = 0.8V（最大值） 引脚和功能与74hc32兼容 | |
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74VHC86 | ON Semiconductor | 半导体 逻辑 | vhc86 是一款先进的高速 cmos 四路专用 OR 门极，采用硅门极 cmos 工艺制造。它能实现与同等双极肖特基 ttl 相似的高速运行，同时还保持 cmos 低功耗。输入保护电路可确保对输入引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压。此器件可用作 5V 系统与 3V 系统以及两种电源系统的接口，如备用电池。此电路可防止器件由于不匹配的供电和输入电压而损坏。 特性 高速： vcc = 5V时，tpd = 4.8 ns（典型值） 低功耗： TA = 25°C时，icc = 2 µA（最大值） 高抗噪能力： vnih = vnil = 28% vcc（最小值） 所有输入上都提供掉电保护 低噪声： volp = 0.8V（最大值） 引脚和功能与74hc86兼容 | |
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74VHCT00A | ON Semiconductor | 半导体 逻辑 | vhct00a 是一款先进的高速 cmos 2 输入 nand 门极，采用硅门极 cmos 工艺制造。它能实现与同等双极肖特基 ttl 相似的高速运行，同时还保持 cmos 低功耗。该内部电路由三级组成，包括提供高抗扰性和稳定输出的缓冲输出。保护电路可确保对输入引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压和 vcc = 0V 时的输出引脚。这些电路可防止器件由于不匹配的电源和输入/输出电压而损坏。此器件可用作 3V 系统与 5V 系统以及两种电源系统的接口，如备用电池。 特性 高速： TA = 25°C时，tpd = 5.0 ns（典型值） 高抗噪能力： vih = 2.0V，vil = 0.8V 所有输入和输出上都提供掉电保护 低噪声： volp = 0.8V（最大值） 低功耗：TA = 25°C时，icc = 2 µA（最大值） 引脚和功能与74hct00兼容 | |
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74VHCT04A | ON Semiconductor | 半导体 逻辑 | vhct04a 是一种先进的高速 cmos 逆变器，采用硅门极 cmos 工艺制造。它实现了与同等双极肖特基 ttl 相似的高运行速度，同时保持了 cmos 低功耗。该内部电路由 3 级组成，包括提供高抗扰性和稳定输出的缓冲输出。保护电路可确保对输入引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑 vcc = 0V 时的电源电压和输出引脚。这些电路可防止器件由于不匹配的供电和输入/输出电压而损坏。此器件可用作 3V 系统与 5V 系统以及两种电源系统的接口，如备用电池。 特性 高速： TA = 25°C时，tpd = 4.7 ns（典型值） 高抗噪能力： vih = 2.0V，vil = 0.8V 所有输入和输出上都提供掉电保护 低噪声： volp = 1.0V（最大值） 低功耗： TA = 25°C时，icc = 2 µA（最大值） 引脚和功能与74hct04兼容 | |
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74VHCT08A | ON Semiconductor | 半导体 逻辑 | vhct08a 是一款先进的高速 cmos 2 输入 and 门极，采用硅门极 cmos 工艺制造。它能实现与同等双极肖特基 ttl 相似的高速运行，同时还保持 cmos 低功耗。该内部电路由 4 级组成，包括提供高抗扰性和稳定输出的缓冲输出。保护电路可确保对输入引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压和 vcc = 0V 时的输出引脚。这些电路可防止器件由于不匹配的电源和输入/输出电压而损坏。此器件可用作 3V 系统与 5V 系统以及两种电源系统的接口，如备用电池。 特性 高速： TA = 25°C时，tpd = 5.0 ns（典型值） 高抗噪能力： vih = 2.0V，vil = 0.8V 所有输入和输出上都提供掉电保护 低噪声： volp = 0.8V（最大值） 低功耗： TA = 25°C时，icc = 2 µA（最大值） 引脚和功能与74hct08兼容 | |
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74VHCT14A | ON Semiconductor | 半导体 逻辑 | vhct14a 是一款先进的高速 cmos 六路施密特逆变器，采用硅门极 cmos 技术制造。vhct14a 包含六个独立的逆变器，它们能够将缓慢变化的输入信号转换为清晰定义的无抖动输出信号。保护电路可确保对输入引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压和 vcc = 0V 时的输出引脚。这些电路可防止器件由于不匹配的电源和输入/输出电压而损坏。此器件可用作 3V 系统与 5V 系统以及两种电源系统的接口，如备用电池。 特性 高速： TA = 25°C时，tpd = 5.0 ns（典型值） 高抗噪能力： vih = 2.0V，vil = 0.8V 所有输入上都提供掉电保护 低噪声： volp = 1.0V（最大值） 低功耗： TA = 25°C时，icc = 2 µA（最大值） 引脚和功能与74hct14兼容 | |
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74VHCT240A | ON Semiconductor | 半导体 逻辑 | vhct240a是一款先进的高速cmos八通道总线收发器，采用硅栅极cmos技术制造。 它实现了与等效双极型肖特基ttl相似的高速运行，同时保持了cmos低功耗。 vhct240a是一款反相3态缓冲器，带有两个低电平有效输出使能引脚。 这些器件设计用作3态存储器地址驱动器、时钟驱动器及总线式发送器/接收器。 输入保护电路确保0到7V可施加到输入和输出（注1）引脚，而不管电源电压如何。 这些电路可防止器件由于电源和输入/输出电压不匹配而受损。 此器件可用于连接5V至3V系统和两个电源系统（例如备用电池）。 特性 高速： vcc = 5V时，tpd = 5.6 ns（典型值） 所有输入上都提供掉电保护 低功耗： TA = 25°C时，icc = 2 µA（最大值） 引脚和功能与74hct240兼容 | |
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74VHCT244A | ON Semiconductor | 半导体 逻辑 | vhct244a 是一种先进的高速 cmos 八路总线收发器，采用硅门极 cmos 工艺制造。它能实现与同等双极肖特基 ttl 相似的高速运行，同时还能保持 cmos 低功耗。vhct244a 是一款非反向 3 态缓冲器，具有两个有效低电平输出启用。该器件可用作 3 态内存地址驱动器、时钟驱动器和总线导向的发射器/接收器。保护电路可确保对输入和输出（注释 1）引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压。这些电路可防止器件由于不匹配的供电和输入/输出电压而损坏。此器件可用于将 5V 系统与 3V 系统以及两种电源系统的接口，如备用电池。 特性 高速： vcc = 5V时，tpd = 5.9 ns（典型值） 所有输入上都提供掉电保护 低功耗： TA = 25°C时，icc = 2 µA（最大值） 引脚和功能与74hct244兼容 | |
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74VHCT245A | ON Semiconductor | 半导体 逻辑 | vhct245a 是一种先进的高速 cmos 八路总线收发器，采用硅门极 cmos 工艺制造。它实现了与同等双极肖特基 ttl 相似的高运行速度，同时保持了 cmos 低功耗。vhct245a 适用于数据总线间的双向异步通信。数据传输方向由 T/R 输入电平确定。启用输入可用于禁用器件，从而有效绝缘总线。保护电路可确保对输入和输出（注释 1）引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压。这些电路可防止器件由于不匹配的供电和输入/输出电压而损坏。此器件可用作 5V 系统与 3V 系统以及两种电源系统的接口，如备用电池。 特性 高速： vcc = 5V时，tpd = 5.4 ns（典型值） 输入和输出上提供关断保护 低功耗： TA = 25°C时，icc = 2 µA（最大值） 与74hct245引脚和功能兼容 | |
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74VHCT541A | ON Semiconductor | 半导体 逻辑 | vhct541a 是一种先进的高速 cmos 器件，采用硅门极 cmos 工艺制造。它能实现与同等双极肖特基 ttl 相似的高速运行，同时还能保持 cmos 低功耗。vhct541a 是一种八路缓冲器/线路驱动器，可用作内存和地址驱动器、时钟驱动器和总线导向型发射器/接收器。此器件与 vhct244a 的功能相似，同时还能提供通流体系结构（输入位于输出的对侧）。此引脚输出布置使得此器件尤其适合用作微处理器的输出端口，从而简化布局，实现更佳 PC 主板密度。保护电路可确保对输入和输出（注释 1）引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压。此器件可用于将 3V 系统与 5V 系统以及两种电源系统的接口，如备用电池。此电路可防止器件由于不匹配的供电和输入电压而损坏。 特性 高速： vcc = 5V时，tpd = 5.5 ns（典型值） 低功耗： TA = 25°C时，icc = 2 µA（最大值） 所有输入和输出上都提供掉电保护 引脚和功能与74hct541兼容 | |
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74VHCU04 | ON Semiconductor | 半导体 逻辑 | vhcu04 是一款先进的高速 cmos 逆变器，采用硅门极 cmos 技术制造。它能实现与同等双极肖特基 ttl 相似的高速运行，同时还保持 cmos 低功耗。由于其内部电路由一个单级逆变器组成，因此它可用于模拟应用，比如晶体振荡器。输入保护电路可确保对输入引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压。此器件可用作 5V 系统与 3V 系统以及两种电源系统的接口，如备用电池。此电路可防止器件由于不匹配的供电和输入电压而损坏。 特性 高速： vcc = 5V时，tpd = 3.5 ns（典型值） 低功耗： TA = 25°C时，icc = 2 µA（最大值） 高抗噪能力： vnih = vnil = 28% vcc （最小值） 所有输入上都提供掉电保护 低噪声： volp = 0.8V（最大值） 引脚和功能与74hcu04兼容 | |
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731-TPDT-C-12VDC | Song Chuan | |
机电产品 继电器 | low signal relays - pcb tpdt 10a 12vdc |
