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Image: NL27WZ125 NL27WZ125 ON Semiconductor 半导体 逻辑 极高速度：vcc=5 V时tpd 2.6 ns（典型值） 设计用于1.65 V至5.5 V vcc操作 过电压容限输入和输出 LVttl兼容-接口能力为5 V ttl逻辑，vcc=3 V lvcmos兼容 24 mA平衡输出接收器和源容量 接近零的静态电源电流大大降低了系统功率需求 三态OE输入为低激活状态 更换nc7wz125 芯片复杂度=72场效应晶体管 提供无铅包装
Image: NL27WZ16 NL27WZ16 ON Semiconductor 半导体 逻辑 极高速度：vcc=5 V时tpd 2.0 ns（典型值） 设计用于1.65 V至5.5 V vcc操作 过电压容限输入 LVttl兼容-接口能力为5 V ttl逻辑，vcc=3 V lvcmos兼容 24 mA平衡输出接收器和源容量 接近零的静态电源电流大大降低了系统功率需求 芯片复杂度：fet=72；等效门=18 提供无铅包装
Image: NL27WZ32 NL27WZ32 ON Semiconductor 半导体 逻辑 极高速度：vcc=5 V时tpd 2.5 ns（典型值） 设计用于1.65 V至5.5 V vcc操作 过电压容限输入和输出 LVttl兼容-接口能力为5 V ttl逻辑，vcc=3 V lvcmos兼容 24 mA平衡输出接收器和源容量 接近零的静态电源电流大大降低了系统功率需求 更换nc7wz32 芯片复杂度：fet=120
Image: NLU2G06 NLU2G06 ON Semiconductor 半导体 逻辑 nlu2g06 minigate™是一款先进的高速cmos双逆变器，具有开放漏极输出，占地面积超小。nlu2g06输入和输出结构提供了保护电压高达7.0伏特时，无论供电电压。 特性 高速:tpd = 3.8 ns (typ)， vcc = 5.0 V 低功耗:icc = 1µA (max) at TA = 25°C 在输入端提供断电保护 平衡的传播延迟 过电压容错(ovt)输入和输出引脚 超小Pb免费包装
Image: NLU2G14 NLU2G14 ON Semiconductor 半导体 逻辑 nlu2g14迷你门™ 是一种先进的高速cmos双施密特触发逆变器在超小的占地面积。nlu2g14输入和输出结构在施加高达7.0伏的电压时提供保护，而不考虑电源电压。nlu2g14可用于增强抗噪性或调整缓慢变化的波形。 特性 高速：tpd=4.0 ns（典型值），vcc=5.0 V 低功耗：I，sub>CC=1µA（最大值），TA=25°C 输入端提供掉电保护 平衡传播延迟 过电压容限（ovt）输入和输出引脚 超小型无铅包装 应用
Image: NLU2G16 NLU2G16 ON Semiconductor 半导体 逻辑 nlu2g16迷你门™ 是一种先进的高速cmos双反极缓冲器，占地面积极小。nlu2g16输入和输出结构在电压高达7.0伏时提供保护，而不考虑电源电压。 特性 高速：在vcc=5.0 V时，tpd=3.5 ns（典型值） 低功耗：icc=1µA（最大值），TA=25°C 输入端提供掉电保护 平衡传播延迟 过电压容限（ovt）输入和输出引脚 超小型无铅包装
Image: NLU2GU04 NLU2GU04 ON Semiconductor 半导体 逻辑 nlu2gu04迷你门™ 是一种先进的高速cmos双无缓冲逆变器在超小的占地面积。该器件非常适合用于振荡器、脉冲整形和高输入阻抗放大器应用。对于数字应用，建议使用nlu2g04。nlu2gu04输入和输出结构在电压高达7.0伏时提供保护，而不考虑电源电压。 特性 高速：在vcc=5.0 V时，tpd=2.5 ns（典型值） 低功耗：icc=1µA（最大值），TA=25°C 输入端提供掉电保护 平衡传播延迟 过电压容限（ovt）输入和输出引脚 超小型无铅包装
Image: NLX2G06 NLX2G06 ON Semiconductor 半导体 逻辑 nlu2gu04迷你门™ 是一种先进的高速cmos双无缓冲逆变器在超小的占地面积。该器件非常适合用于振荡器、脉冲整形和高输入阻抗放大器应用。对于数字应用，建议使用nlu2g04。nlu2gu04输入和输出结构在电压高达7.0伏时提供保护，而不考虑电源电压。 特性 高速：在vcc=5.0 V时，tpd=2.5 ns（典型值） 低功耗：icc=1µA（最大值），TA=25°C 输入端提供掉电保护 平衡传播延迟 过电压容限（ovt）输入和输出引脚 超小型无铅包装
Image: NLX2G07 NLX2G07 ON Semiconductor 半导体 逻辑 nlu2gu04迷你门™ 是一种先进的高速cmos双无缓冲逆变器在超小的占地面积。该器件非常适合用于振荡器、脉冲整形和高输入阻抗放大器应用。对于数字应用，建议使用nlu2g04。nlu2gu04输入和输出结构在电压高达7.0伏时提供保护，而不考虑电源电压。 特性 高速：在vcc=5.0 V时，tpd=2.5 ns（典型值） 低功耗：icc=1µA（最大值），TA=25°C 输入端提供掉电保护 平衡传播延迟 过电压容限（ovt）输入和输出引脚 超小型无铅包装
Image: NLX2G16 NLX2G16 ON Semiconductor 半导体 逻辑 特性 优势 tpd=1.8 ns（典型值）@vcc=5.0 V 高速 宽电压范围 设计用于1.65 V至5.5 V vcc操作 低功耗 icc=1µA（最大值），在TA=25°C时 pcb板节省 超小型包装 应用 终端产品 便携设备 汽车 一般用途 手机 掌上电脑 全球定位系统 信息娱乐
Image: 74LCX760 74LCX760 ON Semiconductor 半导体 逻辑 lcx760 是 lcx244 的开极-漏极版本。lcx760 包含八个独立的具有 3 态输出的非反相缓冲器。该器件可用作内存地址驱动器、时钟驱动器和总线导向的发射器/接收器。lcx760 适用于低压（2.5V 或 3.3V）vcc 应用，能够联接 5V 信号环境。lcx760 采用先进的 cmos 工艺，在保持 cmos 低功耗的同时，实现了高速运行。 特性 lcx244的漏极开路版本 5V容差输入和输出 提供2.3V-3.6V vcc规格 8.0 ns tpd最大值(vcc = 3.3V)，10 µA icc最大值 掉电高阻抗输入和输出 支持带电插/拔（注1） ±24 mA输出驱动(vcc = 3.0V) 实施专利噪声/电磁干扰(emi)消减电路 闩锁符合jedec jed78规定 静电放电(esd)性能： 人体模型> 2000v 机械模型> 200v
Image: 74LCX86 74LCX86 ON Semiconductor 半导体 逻辑 特性 5V容许输入电压 提供2.3V-3.6V vcc规格 6.5 ns tpd最大值(vcc = 3.3V)，10 µA icc最大值 掉电高阻抗输入和输出 ±24 mA输出驱动(vcc = 3.0V) 实施专利噪声/电磁干扰(emi)消减电路 闩锁性能超过500 mA 静电放电(esd)性能：机械模型> 2000v人体模型> 200v
Image: 74LCXH162244 74LCXH162244 ON Semiconductor 半导体 逻辑 lcxh162244包含16个具有3态输出的同相缓冲器，可用作存储器和地址驱动器、时钟驱动器或总线导向发射器/接收器。 该器件为半字节控制器件。 每个半字节均有独立的3态控制输入，可以短接在一起进行完整的16位运行。 lcxh162244数据输入包含有源总线保持电路，无需外部上拉电阻即可将未用或浮动数据输入保持在有效逻辑电平。 此外，输出包含等效26ohm（标称）串联电阻，以减小过冲和欠冲，其设计旨在使灌电流/源电流在vcc = 3.0V时达到12 mA。 lcxh162244设计用于接口能力达到5V信号环境的低压（2.5V或3.3V）vcc应用。 lcxh162244采用先进的cmos技术制造，以在实现高速运行的同时保持cmos低功耗。 特性 5V容差输入和输出电压 提供2.3V-3.6V vcc规格 输出端包含26ohm的等效串联电阻，从而不再需要外部终端电阻，并可减小过冲和欠冲 输入端总线保持功能避免了外部上拉/下拉电阻的需要。 5.3 ns tpd最大值(vcc = 3.0V)，20 µA icc最大值 掉电高阻抗输入和输出 ±12 mA输出驱动(vcc = 3.0V) 实施专利噪声/电磁干扰(emi)消减电路 闩锁性能超过500 mA 静电放电(esd)性能： 人体模型> 2000v 机械模型> 200v
Image: 74LCXH16244 74LCXH16244 ON Semiconductor 半导体 逻辑 lcxh16244包含16个具有3态输出的同相缓冲器，可用作存储器和地址驱动器、时钟驱动器或总线导向发射器/接收器。 该器件为半字节控制器件。 每个半字节均有独立的3态控制输入，可以短接在一起进行完整的16位运行。 lcxh16244数据输入包含有源总线保持电路，无需外部上拉电阻即可将未用或浮动数据输入保持在有效逻辑电平。 lcxh16244设计用于接口能力达到5V信号环境的低压（2.5V或3.3V）vcc应用。 lcxh16244采用先进的cmos技术制造，以在实现高速运行的同时保持cmos低功耗。 特性 5V容差输入和输出电压 提供2.3V-3.6V vcc规格 4.5 ns tpd最大值(vcc = 3.0V)，20 µA icc最大值 输入端总线保持功能避免了外部上拉/下拉电阻的需要。 掉电高阻抗输入和输出 ±24 mA输出驱动(vcc = 3.0V) 实施专利噪声/电磁干扰(emi)消减电路 闩锁性能超过500 mA 静电放电(esd)性能： 人体模型> 2000v 机械模型> 200v 同样采用塑料微间距球栅阵列(fbga)封装
Image: 74LCXZ16244 74LCXZ16244 ON Semiconductor 半导体 逻辑 lcxz16244包含16个具有3态输出的同相缓冲器，可用作存储器和地址驱动器、时钟驱动器或总线导向发射器/接收器。 该器件为半字节控制器件。 每个半字节均有独立的3态控制输入，可以短接在一起进行完整的16位运行。 当vcc介于0V和1.5V之间时，lcxz16244在通电或断电期间处于高阻抗状态。 此设计将输出置于高阻抗状态(Z)，防止间歇性低阻抗负载或总线主导应用的失灵。 lcxz16244设计用于接口能力达到5V信号环境的低压（2.7V或3.3V）vcc应用。 lcxz16244采用先进的cmos技术制造，以在实现高速运行的同时保持cmos低功耗。 特性 5V容差输入和输出 保证通电/关断高阻抗 支持带电插/拔 提供2.7V-3.6V vcc规格 4.5 ns tpd最大值(vcc = 3.0V)，20 µA icc最大值 ±24 mA输出驱动(vcc = 3.0V) 实施专利噪声/电磁干扰(emi)消减电路 闩锁性能超过500 mA 静电放电(esd)性能： 人体模型> 2000v 机械模型> 200v 同样采用塑料细间距球栅阵列(fbga)封装（初始版）
Image: 74VCX00 74VCX00 ON Semiconductor 半导体 逻辑 vcx00 包含四个 2 输入 nand 门极。此产品适用于低电压（1.2V 至 3.6V）vcc 应用，I/O 能力达 3.6V。vcx00 采用先进的 cmos 工艺，在保持 cmos 低功耗的同时，实现了高速运行。 特性 1.2V至3.6V vcc电源操作范围 3.6V容差输入和输出电压 对于3.0V至3.6V vcc，最大值为tpd 2.8 ns 断电高阻抗输入和输出 3.0V vcc时，静态驱动(ioh/iol) ±24 mA 使用专利噪声/电磁干扰(emi)消减电路 闩锁性能超越jedec 78条件 静电放电(esd)性能： 人体模型> 2000v 机械模型> 250v 无引线无铅dqfn封装
Image: 74VCX08 74VCX08 ON Semiconductor 半导体 逻辑 vcx08 包含四个 2 输入 and 门极。此产品适用于低电压（1.2V 至 3.6V）vcc 应用，I/O 兼容能力达 3.6V。vcx08 采用先进的 cmos 工艺，在保持 cmos 低功耗的同时，实现了高速运行。 特性 1.2V至3.6V vcc电源操作范围 3.6V容差输入和输出电压 对于3.0V至3.6V vcc，最大值为tpd 2.8 ns 断电高阻抗输入和输出 3.0V vcc时，静态驱动(ioh/iol) ±24 mA 使用专有quiet series™ 噪声/电磁干扰(emi)消减电路 闩锁性能在300 mA以上 静电放电(esd)性能： 人体模型> 2000v 机械模型> 250v 无引线无铅dqfn封装
Image: 74VCX162244 74VCX162244 ON Semiconductor 半导体 逻辑 vcx162244包含16个具有3态输出的同相缓冲器，可用作内存和地址驱动器、时钟驱动器或总线导向发射器/接收器。 该器件为半字节（4位）控制器件。 每个半字节均有独立的3态控制输入，可以短接在一起进行完整的16位运行。 74vcx162244设计用于低电压（1.2V到3.6V）vcc应用，I/O能力最高可达3.6V。 74vcx162244也设计为输出端带26ohm串联电阻。 此设计可降低应用中的线路噪声，如内存地址驱动器、时钟驱动器，或总线导向发射器/接收器。 74vcx162244采用先进的cmos技术制造，以在实现高速运行的同时保持cmos低功耗。 特性 1.2V至3.6V vcc电源操作范围 3.6V容差输入和输出电压 输出端带26ohm串联电阻 对于3.0V至3.6V vcc，最大值为tpd 3.3 ns 断电高阻抗输入和输出 支持带电插拔 3.0V vcc时，静态驱动(ioh/iol) ±12 mA 使用专利噪声/电磁干扰(emi)消减电路 闩锁性能超过300 mA
Image: 74VCX86 74VCX86 ON Semiconductor 半导体 逻辑 vcx86包含四个2输入异或门。 此产品设计用于I/O兼容性达到3.6V的低压（1.2V至3.6V）vcc应用。 74vcx86采用先进的cmos技术制造，以在实现高速运行的同时保持cmos低功耗。 特性 1.2V至3.6V vcc电源操作范围 3.6V容差输入和输出电压 对于3.0V至3.6V vcc，最大值为tpd 3.0ns 断电高阻抗输入和输出 3.0V vcc时，静态驱动(ioh/iol) ±24 mA 使用专利噪声/电磁干扰(emi)消减电路 闩锁性能超越jedec 78条件 静电放电(esd)性能： 人体模型> 2000v 机械模型> 250v 无引线无铅dqfn封装
Image: 74VHC00 74VHC00 ON Semiconductor 半导体 逻辑 vhc00是采用硅栅极cmos技术制造的先进的高速cmos 2输入nand门。 它实现了与等效双极型肖特基ttl相似的高速运行，同时保持了cmos低功耗。 内部电路由3个级组成（包括缓冲输出），可提供高抗扰度和稳定输出。 输入保护电路确保0V至7V可应用于输入引脚，无需考虑电源电压。 此器件可用于连接5V至3V系统和两个电源系统（例如备用电池）。 此电路可防止器件因电源和输入电压不匹配而受损。 特性 高速： TA = 25°C时，tpd = 3.7 ns（典型值） 高抗噪能力： vnih = vnil = 28% vcc （最小值） 所有输入上都提供掉电保护 低噪声： volp = 0.8V（最大值） 低功耗： TA = 25°C时，icc = 2 µA（最大值） 引脚和功能与74hc00兼容

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