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图片 型号 厂商 标准 分类 描述
Image: 1N914 1N914 Fairchild Semiconductor 半导体 分离式半导体 diodes - general purpose, power, switching 100v 4.0ns diode single junction
Image: 1N914BWT 1N914BWT Fairchild Semiconductor 半导体 分离式半导体 diodes - general purpose, power, switching single junc. 100v 4.0ns comp
Image: 1N4148WT 1N4148WT Fairchild Semiconductor 半导体 分离式半导体 diodes - general purpose, power, switching single junc. 100v 4.0ns comp
Image: 1N4448WT 1N4448WT Fairchild Semiconductor 半导体 分离式半导体 diodes - general purpose, power, switching single junc. 100v 4.0ns comp
Image: LDH312N00LAC-810 LDH312N00LAC-810 Murata Electronics 无源元器件 信号调节 signal conditioning 2.0ns 50ohms
Image: SL2C-5-50 SL2C-5-50 Rhombus Industries Inc. 5.0ns delay 50 ohm impedance single-in-line delay module
Image: EDI2DL32256V40BC EDI2DL32256V40BC White Electronic Designs Corporation 256kx32 synchronous pipline burst Sram 3.3V(3.3V,4.0ns,256kx32同步流水线脉冲静态ram)
Image:      74VCX86 74VCX86 ON Semiconductor 半导体 逻辑 vcx86包含四个2输入异或门。 此产品设计用于I/O兼容性达到3.6V的低压(1.2V至3.6V)vcc应用。 74vcx86采用先进的cmos技术制造,以在实现高速运行的同时保持cmos低功耗。 特性 1.2V至3.6V vcc电源操作范围 3.6V容差输入和输出电压 对于3.0V至3.6V vcc,最大值为tpd 3.0ns 断电高阻抗输入和输出 3.0V vcc时,静态驱动(ioh/iol) ±24 mA 使用专利噪声/电磁干扰(emi)消减电路 闩锁性能超越jedec 78条件 静电放电(esd)性能: 人体模型> 2000v 机械模型> 250v 无引线无铅dqfn封装