关键词stth
标准
为您共找出"19"个相关器件
图片 型号 厂商 标准 分类 描述
Image: 51710-010LF 51710-010LF FCI 连接器 电源连接器 power to the board con pwr hdr 2pwr/12sig pos stth
Image: 51740-10702406AALF 51740-10702406AALF FCI 连接器 电源连接器 power to the board con pwr rcp 13pwr/24sig pos stth
Image: 51940-077LF 51940-077LF FCI 连接器 电源连接器 power to the board con pwr rcp 18pwr/20sig pos stth
Image: 51740-10803208AALF 51740-10803208AALF FCI 连接器 电源连接器 power to the board con pwr rcp 16pwr/32sig pos stth
Image: STTH1003S-Y STTH1003S-Y STMicroelectronics 半导体 二极管/齐纳阵列 这款stth1003s-Y是一款超快恢复功率整流器，专门用于汽车应用中的能量回收。 该stth1003s-Y还用于能量回收块中的夹紧功能。 正向压降和恢复时间之间的折衷提供了最佳性能。 主要特性 aec-q101合格 超快恢复 低功率损耗 高浪涌能力 低泄漏电流 结温高 符合ecopack®2
Image: STTH10002 STTH10002 STMicroelectronics 半导体 二极管/齐纳阵列 stth10002是一种适用于焊接设备和大功率工业应用的双整流器。 该装置采用同位素封装，用于电力变换器的二次整流。 主要特性 非常低的远期损失 恢复时间短 高浪涌电流能力 绝缘包装 绝缘电压=2500 V rms 电容=45 pF
Image: STTH1003S STTH1003S STMicroelectronics 半导体 二极管/齐纳阵列 stth1003s是一款超快恢复功率整流器，专门用于pdp应用中的能量回收。 它是专门为能量回收块的夹紧功能而设计的。正向压降和恢复时间之间的折衷提供了最佳性能。 主要特性 超快恢复 低功率损耗 高浪涌能力 低泄漏电流 结温高
Image: STTH100W04C STTH100W04C STMicroelectronics 半导体 二极管/齐纳阵列 stth100w04cw采用ST turbo 2400伏技术。特别适用于mig/mma/tig焊机二级DC/DC和DC/AC变换器。安装在ST的TO-247，该设备为所有焊接机和工业应用提供高功率集成。 主要特性 超快开关 低反向恢复电流 低热阻 降低开关损耗 符合ecopack®2的组件 带状粘合，更坚固
Image: STTH102 STTH102 STMicroelectronics 半导体 二极管/齐纳阵列 stth102采用了ST新的200v平面技术，特别适用于开关模式基极驱动和晶体管电路。该器件还可用于电源和其他电源开关应用中的自由轮二极管。 主要特性 非常低的传导损耗 正向和反向恢复时间较短 可忽略的开关损耗 结温高
Image: STTH10R04 STTH10R04 STMicroelectronics 半导体 二极管/齐纳阵列 stth10r04是一款超快恢复功率整流器，专门用于pdp应用中的能量回收。 它是专门为能量回收块的夹紧功能而设计的。 正向压降和恢复时间之间的折衷提供了最佳性能。 主要特性 超快恢复 高浪涌能力 低功率损耗 结温高 低泄漏电流
Image: STTH1202 STTH1202 STMicroelectronics 半导体 二极管/齐纳阵列 stth1202采用了ST公司新的200v平面铂掺杂技术，特别适用于开关模式基极驱动和晶体管电路。 该装置封装在TO-220ac、TO-220fPAC和TO-220ac ins中，用于低压、高频逆变器、自由轮和极性保护。 主要特性 非常低的传导损耗 正向和反向恢复时间较短 可忽略的开关损耗 绝缘组件TO-220f电气绝缘1500 vrmsTO-220ac绝缘2500 vrms 结温高
Image: STTH212 STTH212 STMicroelectronics 半导体 二极管/齐纳阵列 stth212采用ST超快高压平面技术，特别适合于电源和其他电源开关应用中的续流，夹持，缓冲，去磁。 该二极管采用轴向，smb和smc封装，可减少高开关频率操作中的损耗。 主要特点 低正向压降 高浪涌电流能力 高可靠性 平面技术 软开关可减少emi干扰
Image: STTH112-Y STTH112-Y STMicroelectronics 半导体 微控制器 stth112-Y采用了ST公司最新的1200伏平面技术，特别适用于开关模式基极驱动和晶体管电路。 该器件还可作为自由轮二极管用于电源和其他汽车功能的电源开关应用。 主要特性 非常低的传导损耗 可忽略的开关损耗 正向和反向恢复时间较短 结温高 aec-q101合格 符合ecopack®2的组件
Image: STTH110-Y STTH110-Y STMicroelectronics 半导体 二极管/齐纳阵列 stth110-Y采用了ST公司新的1000v平面技术，特别适用于开关模式基极驱动和晶体管电路。 该器件还可作为自由轮二极管用于电源和其他汽车功能的电源开关应用。 主要特性 非常低的传导损耗 可忽略的开关损耗 正向和反向恢复时间较短 结温高 aec-q101合格 符合ecopack®2的组件
Image: STTH102-Y STTH102-Y STMicroelectronics 半导体 二极管/齐纳阵列 stth102-Y采用ST新的200v平面技术，特别适合开关模基极驱动和晶体管电路。该装置还用于在汽车电源和其他功率开关应用中用作自由轮驱动二极管。 主要特性 极低的传导损耗 可忽略的开关损耗 低正向和反向恢复时间 结温高 ecopack®2兼容组件 aec-q101合格
Image: STTH1002CSFY STTH1002CSFY STMicroelectronics 半导体 二极管/齐纳阵列 stth1002csfy是为需要优化VF和反向恢复特性的应用而开发的。 这些特性使其非常适合用于二次整流功能，如DC/DC转换器或照明应用。 主要特性 aec-q101合格 支持ppap 175°C最高工作温度 vrrm保证温度为-40°C至175°C 高浪涌电流能力 符合ecopack2的组件
Image: STTH1002CSF STTH1002CSF STMicroelectronics 半导体 二极管/齐纳阵列 stth1002csf是为需要优化VF和反向恢复特性的应用而开发的。 这些特性使其非常适合用于二次整流功能，如DC/DC转换器或照明应用。 主要特性 175°C最高工作温度 高浪涌电流能力 符合ecopack2的组件
Image: STTH602CSF STTH602CSF STMicroelectronics 半导体 二极管/齐纳阵列 stth602csf是为需要优化VF和反向恢复特性的应用而开发的。 这些特性使其非常适合用于二次整流功能，如DC/DC转换器或照明应用。 主要特性 175°C最高工作温度 高浪涌电流能力 符合ecopack2的组件
Image: STTH602CSFY STTH602CSFY STMicroelectronics 半导体 二极管/齐纳阵列 stth602csfy是为需要优化VF和反向恢复特性的应用而开发的。 这些特性使其非常适合用于二次整流功能，如DC/DC转换器或照明应用。 主要特性 aec-q101合格 支持ppap 175°C最高工作温度 vrrm保证在-40°C到175°C之间 高浪涌电流能力 符合ecopack2的组件

©2000-  21IC电子网版权所有

京ICP备11013301号 京公网安备 11010802024343号