关键词ecopack
- 标准
图片 | 型号 | 厂商 | 标准 | 分类 | 描述 |
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FERD15S50SB | STMicroelectronics | 半导体 二极管/齐纳阵列 | 这款场效应整流二极管基于专有技术,能达到单位面积内最好的 VF/IR 比。 该场效应整流二极管采用dpak封装,适用于电源的整流和续流操作。 主要特性 ST 先进的整流工艺 在反向电压下稳定的漏电流 低正向压降 高频操作 适用于dpak封装的ecopack®2 兼容组件 | ||
FERD2045S | STMicroelectronics | 半导体 二极管/齐纳阵列 | 该单整流器基于专有技术,可在给定硅表面实现同类最佳的VF/IR权衡。 因此,它可以取代45v低压肖特基二极管。 该装置封装在dpak中,用于电源的整流和自由转动操作。 主要特性 先进整流工艺 反向电压下的稳定漏电流 低正向电压降 高频操作 符合ecopack®2的dpak按需组件 | ||
FERD20H100S | STMicroelectronics | 半导体 二极管/齐纳阵列 | 这款场效应整流二极管基于专有技术,能达到单位面积内最好的 VF/IR比。100 V场效应整流二极管经过优化,可用于效率和热性能均受限的密封外壳应用。由于漏电流 (IR) 和正向压降 (VF) 随温度变化有更低的漂移,降低了热失控的风险。因此,它可以有效地取代100 V肖特基二极管。 主要特性 ST 先进的整流工艺 在反向电压下稳定的漏电流 低漏电流 低正向压降 高频操作 绝缘封装TO-220fpab: insulated voltage: 2000 vrms sine ecopack®2 兼容组件 | ||
FERD20S100S | STMicroelectronics | 半导体 二极管/齐纳阵列 | 这款场效应整流二极管基于专有技术,能达到单位面积内最好的 VF/IR比。100 V场效应整流二极管经过优化,可用于效率和热性能均受限的密封外壳应用。由于漏电流 (IR) 和正向压降 (VF) 随温度变化有更低的漂移,降低了热失控的风险。因此,它可以有效地取代100 V肖特基二极管。 主要特性 ST 先进的整流工艺 在反向电压下稳定的漏电流 低漏电流 低正向压降 高频操作 ecopack®2 兼容组件 | ||
FERD20U50 | STMicroelectronics | 半导体 二极管/齐纳阵列 | 该单整流器基于专有技术,能够在给定硅表面实现同类最佳的VF/IR。 封装在powerflat中™ 5x6,ferd20u50优化用于开关电源的整流和自由旋转操作。 主要特性 ST专利整流工艺 反向电压下的稳定漏电流 低正向电压降 高频操作 符合ecopack®2 | ||
STBR3012 | STMicroelectronics | 半导体 二极管,整流器 - 阵列 | 该二极管的高品质设计使其具有一致可再现特性和内在坚固性 这些特性让该产品成为需要长期可靠(如汽车应用)的重载应用的理想选择。. 由于其超低导通损耗,stbr3012特别适合用作电池充电系统中的输入桥二极管。 主要特性 超低导通损耗 超低反向断态损耗 高结温能力(+ 175°C) D²pak HV爬电距离(阳极与阴极)= 5.38 mm min。(带顶涂层) 符合ecopack®2标准(DO-247) | ||
STBR6012 | STMicroelectronics | 半导体 二极管/齐纳阵列 | 这种二极管的高质量设计使器件具有始终如一的可重复性和固有的耐用性。这些特性使其成为需要长期可靠性的重载应用的理想选择。 由于其超低的传导损耗,这种二极管特别适合用作输入桥二极管。 主要特性 超低传导损耗 超低反向损耗 高结温能力 符合ecopack®2的组件 | ||
STTH100W04C | STMicroelectronics | 半导体 二极管/齐纳阵列 | stth100w04cw采用ST turbo 2400伏技术。特别适用于mig/mma/tig焊机二级DC/DC和DC/AC变换器。安装在ST的TO-247,该设备为所有焊接机和工业应用提供高功率集成。 主要特性 超快开关 低反向恢复电流 低热阻 降低开关损耗 符合ecopack®2的组件 带状粘合,更坚固 | ||
STTH512 | STMicroelectronics | 半导体 二极管/齐纳阵列 | 这种二极管的高质量设计已经产生了一种具有低泄漏电流,规则可重复特性和固有坚固性的器件。这些特性使其非常适合需要长期可靠性的重型应用。 这些苛刻的应用包括工业电源,电机控制以及需要整流和续流的类似任务关键型系统。这些二极管还适合辅助功能,例如缓冲,自举和消磁应用。 低漏电流和热失控保护带的改进性能是该器件的直接竞争优势。 主要特点 超快,软恢复 极低的传导和开关损耗 高频和/或高脉冲电流操作 高反向电压能力 结温高 ecopack ® 2 dpak需求顺应部件 绝缘包装:TO-220fpac 绝缘电压:2000 V rms正弦 | ||
STTH1L06-Y | STMicroelectronics | 半导体 晶体管 | 超快恢复 低传导损耗 高浪涌能力 低泄漏电流 结温高 aec-q101合格 符合ecopack®2的组件 vrr保证温度为-40至+175°C | ||
STTH16L06C-Y | STMicroelectronics | 半导体 晶体管 | aec-q101合格 低反向恢复电流 降低开关和传导损耗 低热阻 超快开关 支持ppap 符合ecopack®2的组件 | ||
STTH15RQ06-Y | STMicroelectronics | 半导体 微控制器 | aec-q101合格 高结温能力 具有软恢复特性的超快 低反向电流 低热阻 降低开关和传导损耗 支持ppap D²pak HV爬电距离(阳极至阴极)=5.38 mm(最小)(带顶部涂层) vrrm保证温度为-40°C至175°C 符合ecopack®2(DO-247,TO-220ac) | ||
STTH1512-Y | STMicroelectronics | 半导体 微控制器 | aec-q101合格 超快、软恢复 极低的传导和开关损耗 高频和/或高脉冲电流操作 高反向电压能力 结温高 符合ecopack®标准 | ||
STTH112-Y | STMicroelectronics | 半导体 微控制器 | stth112-Y采用了ST公司最新的1200伏平面技术,特别适用于开关模式基极驱动和晶体管电路。 该器件还可作为自由轮二极管用于电源和其他汽车功能的电源开关应用。 主要特性 非常低的传导损耗 可忽略的开关损耗 正向和反向恢复时间较短 结温高 aec-q101合格 符合ecopack®2的组件 | ||
STTH110-Y | STMicroelectronics | 半导体 二极管/齐纳阵列 | stth110-Y采用了ST公司新的1000v平面技术,特别适用于开关模式基极驱动和晶体管电路。 该器件还可作为自由轮二极管用于电源和其他汽车功能的电源开关应用。 主要特性 非常低的传导损耗 可忽略的开关损耗 正向和反向恢复时间较短 结温高 aec-q101合格 符合ecopack®2的组件 | ||
STTH102-Y | STMicroelectronics | 半导体 二极管/齐纳阵列 | stth102-Y采用ST新的200v平面技术,特别适合开关模基极驱动和晶体管电路。该装置还用于在汽车电源和其他功率开关应用中用作自由轮驱动二极管。 主要特性 极低的传导损耗 可忽略的开关损耗 低正向和反向恢复时间 结温高 ecopack®2兼容组件 aec-q101合格 | ||
STTH1003S-Y | STMicroelectronics | 半导体 二极管/齐纳阵列 | 这款stth1003s-Y是一款超快恢复功率整流器,专门用于汽车应用中的能量回收。 该stth1003s-Y还用于能量回收块中的夹紧功能。 正向压降和恢复时间之间的折衷提供了最佳性能。 主要特性 aec-q101合格 超快恢复 低功率损耗 高浪涌能力 低泄漏电流 结温高 符合ecopack®2 | ||
STPS140Z-Y | STMicroelectronics | 半导体 二极管/齐纳阵列 | 这种单肖特基整流器适用于开关电源和高频DC-DC转换器。 该设备封装在sod-123中,用于低压、高频逆变器、自由转动和汽车应用的极性保护。 主要特性 非常小的传导损耗 可忽略的开关损耗 极快切换 符合ecopack®2的组件 aec-q101合格 | ||
STPS140-Y | STMicroelectronics | 半导体 二极管/齐纳阵列 | 适用于开关电源和高频DC-DC转换器的单片肖特基整流器。 该器件封装在sma和smb中,特别适用于表面安装,用于低压、高频逆变器、汽车应用的自由转动和极性保护。 主要特性 非常小的传导损耗 可忽略的开关损耗 低正向电压降 表面贴装微型封装 规定雪崩能力 aec-q101合格 符合ecopack®2的组件 | ||
STPS1150-Y | STMicroelectronics | 半导体 二极管/齐纳阵列 | 这些150v功率肖特基整流器适用于高达24v钢轨和高频变频器上的开关电源。 该器件封装在形状记忆合金(sma)中,用于需要低正向压降以降低功耗的汽车应用。 主要特性 aec-q101合格 可忽略的开关损耗 低正向压降,提高效率和延长电池寿命 低热阻 表面贴装微型封装 规定雪崩能力 符合ecopack®2的组件 |