关键词rdson
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图片 型号 厂商 标准 分类 描述
Image: 2SK2968(F,T) 2SK2968(F,T) Toshiba 半导体 晶体管 mosfet 功率 N-Ch 900v 10a rdson 1.25 ohm
Image: 2SK2313(F) 2SK2313(F) Toshiba 半导体 晶体管 mosfet 功率 mosfet N-Ch 60v 60a rdson=0.011ohm
Image: 2SK2312(F) 2SK2312(F) Toshiba 半导体 晶体管 mosfet 功率 N-Ch 60v 45a rdson 0.017 ohm
Image: 2SK1489(Q) 2SK1489(Q) Toshiba 半导体 晶体管 mosfet 功率 mosfet N-Ch 1000v 12a rdson 1 ohm
Image: 2SK2841(F) 2SK2841(F) Toshiba 半导体 晶体管 mosfet 功率 N-Ch 400v 10a rdson 0.4 ohm
Image: 2SJ412(SM,Q) 2SJ412(SM,Q) Toshiba 半导体 晶体管 mosfet 功率 P-Ch 100v 16a rdson 0.21 ohm
Image: 2SJ201-Y(F) 2SJ201-Y(F) Toshiba 半导体 晶体管 mosfet 功率 mosfet P-Ch 200v 12a rdson 0.625 ohm
Image: TPC8211(TE12L,Q,M) TPC8211(TE12L,Q,M) Toshiba 半导体 晶体管 mosfet 功率 mosfet N-Ch dual 30v 6A rdson=0.036ohm
Image: MTP4N50E MTP4N50E Motorola, Inc tmos power fet 4.0 amperes 500 volts rdson = 1.5 ohms
Image: UCC2918PWP UCC2918PWP Texas Instruments 半导体 电源管理 0-4A, 3-6V low rdson single hot-swap IC Hi-side mosfet, industrial temp. 24-tssop -40 to 85
Image: UCC2918DPTR UCC2918DPTR Texas Instruments 半导体 电源管理 0-4A, 3-6V low rdson single hot-swap IC Hi-side mosfet, industrial temp. 16-soic -40 to 85
Image: UCC2918DP UCC2918DP Texas Instruments 半导体 0-4A, 3-6V low rdson single hot-swap IC Hi-side mosfet, industrial temp. 16-soic -40 to 85
Image: UCC2918N UCC2918N Texas Instruments 半导体 电源管理 0-4A, 3-6V low rdson single hot-swap IC Hi-side mosfet, industrial temp. 16-pdip -40 to 85
Image: UCC2918PWPTR UCC2918PWPTR Texas Instruments 半导体 电源管理 0-4A, 3-6V low rdson single hot-swap IC Hi-side mosfet, industrial temp. 24-tssop -40 to 85
Image: BUZ72LSMD BUZ72LSMD Infineon Technologies ?power mosfet. 100v. D睵AK . rdson=0.2 ohm. 10a. LL?
Image: NCV7450 NCV7450 ON Semiconductor 光电子 光纤 - 收发器 5 V±2％/ 250 mA ldo♦电流限制♦输出电压监控 一个高速can收发器♦限流，提供反向电流保护♦符合iso11898-2：2016♦txdc超时 一个高边驱动器♦rdson = 300 m？@ 25°C♦电流限制♦诊断输出♦过电流保护♦欠载检测 直接控制 窗口看门狗 两级热关断保护 符合aec-q100和ppap标准 这些设备无铅，无卤素/无溴化阻燃剂并且符合rohs要求
Image: ADuM4121-1 ADuM4121-1 Analog Devices Inc 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 峰值输出电流：2 A (<2 Ω rdson) 2.5 V至6.5 V输入 4.5 V至35 V输出 欠压闭锁(uvlo)：2.5 V vdd1 vdd2上提供多个uvlo选项 A级：vdd2上的uvlo：4.4 V（典型值） B级：vdd2上的uvlo：7.3 V（典型值） C级：vdd2上的uvlo：11.3 V（典型值） 精密时序特性 隔离器和驱动器传播延迟：53 ns（最大值） cmos输入逻辑电平 高共模瞬变抗扰度：>150 kV/µs 工作结温最高可达：125°C 默认低电平输出 内部米勒箝位 安全和法规认证（申请中） UL认证符合UL 1577 1分钟5 kV rms，soic长封装 csa元件验收通知5A 符合vde标准证书（申请中） din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10)：2006-12 viorm = 849 V峰值 8引脚宽体soic封装
Image: ADuM4121 ADuM4121 Analog Devices Inc 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 峰值输出电流：2 A (<2 Ω rdson) 2.5 V至6.5 V输入 4.5 V至35 V输出 欠压闭锁(uvlo)：2.5 V vdd1 vdd2上提供多个uvlo选项 A级：vdd2上的uvlo：4.4 V（典型值） B级：vdd2上的uvlo：7.3 V（典型值） C级：vdd2上的uvlo：11.3 V（典型值） 精密时序特性 隔离器和驱动器传播延迟：53 ns（最大值） cmos输入逻辑电平 高共模瞬变抗扰度：>150 kV/µs 工作结温最高可达：125°C 默认低电平输出 内部米勒箝位 安全和法规认证（申请中） UL认证符合UL 1577 1分钟5 kV rms，soic长封装 csa元件验收通知5A 符合vde标准证书（申请中） din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10)：2006-12 viorm = 849 V峰值 8引脚宽体soic封装
Image: ADuM4121-1 ADuM4121-1 Analog Devices Inc 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 峰值输出电流：2 A (<2 Ω rdson) 2.5 V至6.5 V输入 4.5 V至35 V输出 欠压闭锁(uvlo)：2.5 V vdd1 vdd2上提供多个uvlo选项 A级：vdd2上的uvlo：4.4 V（典型值） B级：vdd2上的uvlo：7.3 V（典型值） C级：vdd2上的uvlo：11.3 V（典型值） 精密时序特性 隔离器和驱动器传播延迟：53 ns（最大值） cmos输入逻辑电平 高共模瞬变抗扰度：>150 kV/µs 工作结温最高可达：125°C 默认低电平输出 内部米勒箝位 安全和法规认证（申请中） UL认证符合UL 1577 1分钟5 kV rms，soic长封装 csa元件验收通知5A 符合vde标准证书（申请中） din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10)：2006-12 viorm = 849 V峰值 8引脚宽体soic封装
Image: ADuM4137 ADuM4137 Analog Devices Inc 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 4 A 峰值电流 (<2 Ω rdson_x) 2.5 V 至 6.5 V 逻辑输入电压 4.5 V 至 35 V 输出电源电压 uvlo vdd1 时，正向阈值2.5 V （最大值） vdda 和 vddb 正向阀值上存在多个正向阈值 uvlo 选项 A 级：4.5 V （最大值） B 级：7.5 V （最大值） C 级：11.6 V （最大值） 精准时序特性 44 ns 最大传播延迟 可调停滞时间 cmos 输入逻辑电平 高共模瞬变抗扰度：150 kV/µs 高工作结温：125°C 默认低电平输出 安全和监管审批（申请中） UL 认证：符合 UL 1577 5700 V rms 持续 1 分钟 csa 元件验收通知 5A（申请中） vde 符合性证书（申请中） din V vde V 0884-11 viorm = 849 V 峰值 爬电距离增加的宽体 16 引脚 soic_ic

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