Datasheet下载地址
| 本地下载 >> |
2SJ412(SM,Q)的详细信息
| 制造商： | Toshiba |
|---|---|
| 产品种类： | MOSFET 功率 |
| RoHS： | 是 |
| 配置： | Single |
| 晶体管极性： | P-Channel |
| 电阻汲极/源极 RDS（导通）： | 0.32 Ohms |
| 汲极/源极击穿电压： | - 100 V |
| 漏极连续电流： | - 16 A |
| 功率耗散： | 60 W |
| 安装风格： | Through Hole |
| 封装 / 箱体： | 2-10S2B |
| 栅极电荷 Qg： | 48 nC |
| ： |
扫码手机查看更方便
同类器件
Datasheet下载地址
| 本地下载 >> |
2SJ412(SM,Q)的详细信息
| 制造商： | Toshiba |
|---|---|
| 产品种类： | MOSFET 功率 |
| RoHS： | 是 |
| 配置： | Single |
| 晶体管极性： | P-Channel |
| 电阻汲极/源极 RDS（导通）： | 0.32 Ohms |
| 汲极/源极击穿电压： | - 100 V |
| 漏极连续电流： | - 16 A |
| 功率耗散： | 60 W |
| 安装风格： | Through Hole |
| 封装 / 箱体： | 2-10S2B |
| 栅极电荷 Qg： | 48 nC |
| ： |
扫码手机查看更方便
21ic官方微信
嵌入式微处理器
电源系统设计
手机21ic
©2000- 21IC电子网版权所有
