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Image: RN1403 RN1403 Toshiba 半导体 晶体管 适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2403 aec-q101 合格的（*） rohs兼容产品（＃） 可用的 组装基地 日本 / 泰国
Image: RN1404 RN1404 Toshiba 半导体 晶体管 适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2404 aec-q101 合格的（*） rohs兼容产品（＃） 可用的 组装基地 日本 / 泰国
Image: RN1405 RN1405 Toshiba 半导体 晶体管 适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2405 aec-q101 合格的（*） rohs兼容产品（＃） 可用的 组装基地 日本 / 泰国
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Image: RN1407 RN1407 Toshiba 半导体 晶体管 适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2407 aec-q101 合格的（*） rohs兼容产品（＃） 可用的 组装基地 日本 / 泰国
Image: RN1408 RN1408 Toshiba 半导体 晶体管 适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2408 aec-q101 合格的（*） rohs兼容产品（＃） 可用的 组装基地 日本 / 泰国
Image: RN1409 RN1409 Toshiba 半导体 晶体管 适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2409 aec-q101 合格的（*） rohs兼容产品（＃） 可用的 组装基地 日本 / 泰国
Image: RN1410 RN1410 Toshiba 半导体 晶体管 适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2410 aec-q101 合格的（*） rohs兼容产品（＃） 可用的 组装基地 日本 / 泰国
Image: RN1411 RN1411 Toshiba 半导体 晶体管 适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2411 aec-q101 合格的（*） rohs兼容产品（＃） 可用的 组装基地 日本 / 泰国
Image: RN1412 RN1412 Toshiba 半导体 晶体管 适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2412 aec-q101 合格的（*） rohs兼容产品（＃） 可用的 组装基地 日本 / 泰国
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Image: RN1416 RN1416 Toshiba 半导体 晶体管 适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2416 aec-q101 合格的（*） rohs兼容产品（＃） 可用的 组装基地 日本 / 泰国
Image: RN1417 RN1417 Toshiba 半导体 晶体管 适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2417 aec-q101 合格的（*） rohs兼容产品（＃） 可用的 组装基地 日本 / 泰国
Image: RN1418 RN1418 Toshiba 半导体 晶体管 适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2418 aec-q101 合格的（*） rohs兼容产品（＃） 可用的 组装基地 日本 / 泰国
Image: STH300NH02L-6 STH300NH02L-6 STMicroelectronics 半导体 晶体管 这种器件是一种 n 通道增强模式功率 mosfet，采用意法半导体的 stripfettm iii 技术生产，专门设计用于最小化导通电阻和栅极电荷，以提供卓越的开关性能。设计用于汽车应用和 aec-q101限定的传导损耗，减少低外形，非常低的寄生电感，大电流封装
Image: STL40DN3LLH5 STL40DN3LLH5 STMicroelectronics 半导体 晶体管 这个器件是一个 n 沟道功率场效应晶体管，使用意法半导体的 stripfettm h 5技术开发。该装置经过优化，实现了非常低的通态电阻，从而使 fom 在同类产品中名列前茅。 aec-q101质量低通态电阻高雪崩加固/低栅极驱动功率损耗可控侧翼封装
Image: STL58N3LLH5 STL58N3LLH5 STMicroelectronics 半导体 晶体管 描述 该器件是使用意法半导体的stripfet™H5技术开发的N沟道功率mosfet。该器件经过优化，可实现非常低的导通电阻，从而使fom成为同类产品中最好的。 所有功能 专为汽车应用而设计，且符合aec-q101标准 低导通电阻 高雪崩强度 低栅极驱动功率损耗 可湿的侧面包装
Image: STL66DN3LLH5 STL66DN3LLH5 STMicroelectronics 半导体 晶体管 这个器件是一个双 n 沟道功率场效应晶体管，使用意法半导体的 stripfettmh 5技术开发。该设备已经优化，以实现非常低的通态电阻，有助于一个最好的 fom，其中在同类。设计用于汽车应用和 aec-q101限定逻辑级别 v gs (th)175 ° c 最大结温度可湿性侧面包装

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