关键词q10
标准
为您共找出"500+"个相关器件
图片 型号 厂商 标准 分类 描述
Image: RN1107 RN1107 Toshiba 半导体 二极管/齐纳阵列 适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2107 aec-q101 合格的（*） rohs兼容产品（＃） 可用的 组装基地 日本 / 泰国
Image: RN1108MFV RN1108MFV Toshiba 半导体 二极管/齐纳阵列 适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2108mfv aec-q101 合格的（*） rohs兼容产品（＃） 可用的 组装基地 日本 / 泰国
Image: RN1108 RN1108 Toshiba 半导体 二极管/齐纳阵列 适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2108 aec-q101 合格的（*） rohs兼容产品（＃） 可用的 组装基地 日本 / 泰国
Image: RN1109MFV RN1109MFV Toshiba 半导体 二极管/齐纳阵列 适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2109mfv aec-q101 合格的（*） rohs兼容产品（＃） 可用的 组装基地 日本 / 泰国
Image: RN1109 RN1109 Toshiba 半导体 二极管/齐纳阵列 适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2109 aec-q101 合格的（*） rohs兼容产品（＃） 可用的 组装基地 日本 / 泰国
Image: RN1110MFV RN1110MFV Toshiba 半导体 二极管/齐纳阵列 适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2110mfv aec-q101 合格的（*） rohs兼容产品（＃） 可用的 组装基地 日本 / 泰国
Image: RN1111MFV RN1111MFV Toshiba 半导体 二极管/齐纳阵列 适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2111mfv aec-q101 合格的（*） rohs兼容产品（＃） 可用的 组装基地 日本 / 泰国
Image: RN1111 RN1111 Toshiba 半导体 二极管/齐纳阵列 适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2111 aec-q101 合格的（*） rohs兼容产品（＃） 可用的 组装基地 日本 / 泰国
Image: RN1112 RN1112 Toshiba 半导体 二极管/齐纳阵列 适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2112 aec-q101 合格的（*） rohs兼容产品（＃） 可用的 组装基地 日本
Image: RN1113MFV RN1113MFV Toshiba 半导体 二极管/齐纳阵列 适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2113mfv aec-q101 合格的（*） rohs兼容产品（＃） 可用的 组装基地 日本 / 泰国
Image: RN1114MFV RN1114MFV Toshiba 半导体 二极管/齐纳阵列 适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2114mfv aec-q101 合格的（*） rohs兼容产品（＃） 可用的 组装基地 日本 / 泰国
Image: RN1114 RN1114 Toshiba 半导体 二极管/齐纳阵列 适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2114 aec-q101 合格的（*） rohs兼容产品（＃） 可用的 组装基地 日本 / 泰国
Image: RN1115MFV RN1115MFV Toshiba 半导体 二极管/齐纳阵列 适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2115mfv aec-q101 合格的（*） rohs兼容产品（＃） 可用的 组装基地 日本 / 泰国
Image: RN1115 RN1115 Toshiba 半导体 二极管/齐纳阵列 适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2115 aec-q101 合格的（*） rohs兼容产品（＃） 可用的 组装基地 日本 / 泰国
Image: BFP843板 BFP843板 Infineon Technologies 无源元器件 RF 评估和开发套件，板 功能概要 •基于英飞凌可靠的大容量sige：C双极技术的低噪声宽带npn RF晶体管 •高最大RF输入功率和esd鲁棒性20 dbm最大RF输入功率，1.5 KV hbm esd硬度 •高射频性能的独特组合，鲁棒性和易于应用的电路设计 •低噪声系数：nfmin = 2.4 ghz时为1.0 dB，5.5 ghz，1.8 V，8 mA时为1.2 dB •高增益：| s21 | 2 = 2.4 ghz时为21 dB，5.5时为15.5 dB ghz，1.8 V，15 mA •oip3 = 2.4 ghz时为23 dbm，5.5 ghz，1.8 V，20 mA时 为20 dbm •非常适合低压应用，例如vcc = 1.2 V和1.8 V（2.85 V，3.3 V，3.6 V需要相应的集电极电阻） •低功耗，非常适合移动应用 •易于使用的无铅（符合rohs要求）和无卤素工业标准封装，并带有可见引线 •根据aec-q101提供的鉴定报告
Image: BFP840ESD板 BFP840ESD板 Infineon Technologies 无源元器件 RF 评估和开发套件，板 功能概要 •基于英飞凌可靠的高容量sige：C技术的强大超低噪声放大器 •高端射频性能和耐用性的独特结合：最大20 dbm射频输入功率，1.5 kV hbm esd硬度 •很高的过渡频率fT = 80 ghz可以在高频下实现极低的噪声系数： 5.5 ghz，1.8 V，6 mA时nfmin = 0.85 dB •5.5 ghz，1.8 V，10 mA时，高增益| s21 | 2 = 18.5 dB •5.5 ghz时oip3 = 23 dbm， 1.5 V，6 mA •非常适合低压应用，例如vcc = 1.2 V和1.8 V（2.85 V，3.3 V，3.6 V需要相应的集电极电阻） •低功耗，非常适合移动应用 •易于使用的无铅（rohs符合标准）和无卤素行业标准封装，并带有可见引线 •提供符合aec-q101的鉴定报告
Image: RN1116MFV RN1116MFV Toshiba 半导体 二极管/齐纳阵列 适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2116mfv aec-q101 合格的（*） rohs兼容产品（＃） 可用的 组装基地 日本 / 泰国
Image: RN1116 RN1116 Toshiba 半导体 二极管/齐纳阵列 适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2116 aec-q101 合格的（*） rohs兼容产品（＃） 可用的 组装基地 日本 / 泰国
Image: RN1117MFV RN1117MFV Toshiba 半导体 二极管/齐纳阵列 适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2117mfv aec-q101 合格的（*） rohs兼容产品（＃） 可用的 组装基地 日本 / 泰国
Image: RN1118MFV RN1118MFV Toshiba 半导体 二极管/齐纳阵列 适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2118mfv aec-q101 合格的（*） rohs兼容产品（＃） 可用的 组装基地 日本 / 泰国

©2000-  21IC电子网版权所有

京ICP备11013301号 京公网安备 11010802024343号