关键词nfmin
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| 图片 | 型号 | 厂商 | 标准 | 分类 | 描述 |
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BFP843板 | Infineon Technologies | 无源元器件 RF 评估和开发套件，板 | 功能概要 •基于英飞凌可靠的大容量sige：C双极技术的低噪声宽带npn RF晶体管 •高最大RF输入功率和esd鲁棒性20 dbm最大RF输入功率，1.5 KV hbm esd硬度 •高射频性能的独特组合，鲁棒性和易于应用的电路设计 •低噪声系数：nfmin = 2.4 ghz时为1.0 dB，5.5 ghz，1.8 V，8 mA时为1.2 dB •高增益：| s21 | 2 = 2.4 ghz时为21 dB，5.5时为15.5 dB ghz，1.8 V，15 mA •oip3 = 2.4 ghz时为23 dbm，5.5 ghz，1.8 V，20 mA时 为20 dbm •非常适合低压应用，例如vcc = 1.2 V和1.8 V（2.85 V，3.3 V，3.6 V需要相应的集电极电阻） •低功耗，非常适合移动应用 •易于使用的无铅（符合rohs要求）和无卤素工业标准封装，并带有可见引线 •根据aec-q101提供的鉴定报告 | |
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BFP840ESD板 | Infineon Technologies | 无源元器件 RF 评估和开发套件，板 | 功能概要 •基于英飞凌可靠的高容量sige：C技术的强大超低噪声放大器 •高端射频性能和耐用性的独特结合：最大20 dbm射频输入功率，1.5 kV hbm esd硬度 •很高的过渡频率fT = 80 ghz可以在高频下实现极低的噪声系数： 5.5 ghz，1.8 V，6 mA时nfmin = 0.85 dB •5.5 ghz，1.8 V，10 mA时，高增益| s21 | 2 = 18.5 dB •5.5 ghz时oip3 = 23 dbm， 1.5 V，6 mA •非常适合低压应用，例如vcc = 1.2 V和1.8 V（2.85 V，3.3 V，3.6 V需要相应的集电极电阻） •低功耗，非常适合移动应用 •易于使用的无铅（rohs符合标准）和无卤素行业标准封装，并带有可见引线 •提供符合aec-q101的鉴定报告 |
