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Image: STTH1210-Y STTH1210-Y STMicroelectronics 半导体 微控制器 aec-q101合格 超快、软恢复 极低的传导和开关损耗 高频高脉冲电流操作 高反向电压能力 结温高
Image: STTH112-Y STTH112-Y STMicroelectronics 半导体 微控制器 stth112-Y采用了ST公司最新的1200伏平面技术，特别适用于开关模式基极驱动和晶体管电路。 该器件还可作为自由轮二极管用于电源和其他汽车功能的电源开关应用。 主要特性 非常低的传导损耗 可忽略的开关损耗 正向和反向恢复时间较短 结温高 aec-q101合格 符合ecopack®2的组件
Image: STTH110-Y STTH110-Y STMicroelectronics 半导体 二极管/齐纳阵列 stth110-Y采用了ST公司新的1000v平面技术，特别适用于开关模式基极驱动和晶体管电路。 该器件还可作为自由轮二极管用于电源和其他汽车功能的电源开关应用。 主要特性 非常低的传导损耗 可忽略的开关损耗 正向和反向恢复时间较短 结温高 aec-q101合格 符合ecopack®2的组件
Image: STTH102-Y STTH102-Y STMicroelectronics 半导体 二极管/齐纳阵列 stth102-Y采用ST新的200v平面技术，特别适合开关模基极驱动和晶体管电路。该装置还用于在汽车电源和其他功率开关应用中用作自由轮驱动二极管。 主要特性 极低的传导损耗 可忽略的开关损耗 低正向和反向恢复时间 结温高 ecopack®2兼容组件 aec-q101合格
Image: STTH1003S-Y STTH1003S-Y STMicroelectronics 半导体 二极管/齐纳阵列 这款stth1003s-Y是一款超快恢复功率整流器，专门用于汽车应用中的能量回收。 该stth1003s-Y还用于能量回收块中的夹紧功能。 正向压降和恢复时间之间的折衷提供了最佳性能。 主要特性 aec-q101合格 超快恢复 低功率损耗 高浪涌能力 低泄漏电流 结温高 符合ecopack®2
Image: STTH1002CSFY STTH1002CSFY STMicroelectronics 半导体 二极管/齐纳阵列 stth1002csfy是为需要优化VF和反向恢复特性的应用而开发的。 这些特性使其非常适合用于二次整流功能，如DC/DC转换器或照明应用。 主要特性 aec-q101合格 支持ppap 175°C最高工作温度 vrrm保证温度为-40°C至175°C 高浪涌电流能力 符合ecopack2的组件
Image: STTH1002C-Y STTH1002C-Y STMicroelectronics 半导体 二极管/齐纳阵列 双中心抽头整流器适用于开关电源和高频DC-DC转换器。 该设备封装在dpak和d2pak中，用于低压、高频逆变器、自由转动和汽车应用的极性保护。 主要特性 适用于smps 低损耗 正向和反向恢复时间较短 结温高 低泄漏电流 aec-q101合格
Image: STPS140Z-Y STPS140Z-Y STMicroelectronics 半导体 二极管/齐纳阵列 这种单肖特基整流器适用于开关电源和高频DC-DC转换器。 该设备封装在sod-123中，用于低压、高频逆变器、自由转动和汽车应用的极性保护。 主要特性 非常小的传导损耗 可忽略的开关损耗 极快切换 符合ecopack®2的组件 aec-q101合格
Image: STPS140-Y STPS140-Y STMicroelectronics 半导体 二极管/齐纳阵列 适用于开关电源和高频DC-DC转换器的单片肖特基整流器。 该器件封装在sma和smb中，特别适用于表面安装，用于低压、高频逆变器、汽车应用的自由转动和极性保护。 主要特性 非常小的传导损耗 可忽略的开关损耗 低正向电压降 表面贴装微型封装 规定雪崩能力 aec-q101合格 符合ecopack®2的组件
Image: STPS1150-Y STPS1150-Y STMicroelectronics 半导体 二极管/齐纳阵列 这些150v功率肖特基整流器适用于高达24v钢轨和高频变频器上的开关电源。 该器件封装在形状记忆合金（sma）中，用于需要低正向压降以降低功耗的汽车应用。 主要特性 aec-q101合格 可忽略的开关损耗 低正向压降，提高效率和延长电池寿命 低热阻 表面贴装微型封装 规定雪崩能力 符合ecopack®2的组件
Image: STPS10M60SFY STPS10M60SFY STMicroelectronics 半导体 二极管/齐纳阵列 stps10m60sfy功率肖特基整流器专为汽车应用而设计。 该器件封装在psmc（TO-277a）中，在紧凑的封装中提供非常低的VF，可以承受高的工作结温度。 主要特性 aec-q101合格 低正向电压降 可忽略的开关损耗 规定雪崩能力 175°C最高结温 vrrm保证温度为-40°C至175°C 用于自动目视检查的可湿侧翼 支持ppap 符合ecopack®2的组件
Image: STPS10H60SFY STPS10H60SFY STMicroelectronics 半导体 二极管/齐纳阵列 stps10h60sfy功率肖特基整流器专为汽车应用而设计。 该器件封装在psmc（TO-277a）中，在紧凑的封装中提供非常低的VF，可以承受高的工作结温度。 主要特性 aec-q101合格 低泄漏电流 可忽略的开关损耗 规定雪崩能力 175°C最高结温 vrrm保证温度为-40°C至175°C 用于自动目视检查的可湿侧翼 支持ppap 符合ecopack®2的组件
Image: STPS10H100SFY STPS10H100SFY STMicroelectronics 半导体 二极管/齐纳阵列 stps10h100sfy功率肖特基整流器专为汽车应用而设计。 stps10h100sfy封装在psmc（TO-277a）中，在紧凑的封装中提供非常低的IR，可以承受高工作结温度。 主要特性 aec-q101合格 低泄漏电流 可忽略的开关损耗 规定雪崩能力 175°C最高结温 vrrm保证温度为-40°C至175°C 用于自动目视检查的可湿侧翼 支持ppap 符合ecopack®2的组件
Image: STPS1045SFY STPS1045SFY STMicroelectronics 半导体 二极管/齐纳阵列 aec-q101合格 低电容 可忽略的开关损耗 规定雪崩能力 175°C最高结温 vrrm保证温度为-40°C至175°C 用于自动目视检查的可湿侧翼 支持ppap 符合ecopack®2的组件
Image: STPS1045B-Y STPS1045B-Y STMicroelectronics 半导体 二极管/齐纳阵列 高压肖特基整流器适用于开关电源和其他电源转换器。 该器件封装在dpak中，用于需要低开关损耗的高频电路。 主要特性 可忽略的开关损耗 低正向电压降 低电容 高反雪崩浪涌能力 雪崩规范 aec-q101合格
Image: STPS0540-Y STPS0540-Y STMicroelectronics 半导体 二极管/齐纳阵列 适用于开关电源和高频DC-DC转换器的单肖特基整流器。 封装在超氧化物歧化酶-123，这些设备是用于低压，高频逆变器，自由轮和极性保护汽车应用。 主要特性 非常小的传导损耗 可忽略的开关损耗 极快切换 符合ecopack®2的组件 aec-q101合格
Image: BAT54-Y BAT54-Y STMicroelectronics 半导体 二极管/齐纳阵列 bat54系列使用sot-23和sot-323封装的40v肖特基势垒二极管。 这些设备适用于汽车应用。 主要特性 aec-q101合格 低传导和反向损耗 可忽略的开关损耗 正向和反向恢复时间较短 极快切换 表面贴装装置 低电容二极管 支持ppap 符合ecopack®2的组件
Image: SMLZ14EGT（C） SMLZ14EGT（C） Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 通用标准aec-q101（汽车级）包装类型反光板（plcc2）led类型中频= 20ma包装尺寸[mm]3.5x2.8（t = 1.9）发光颜色蓝绿色主波长λD（单）（典型值）[nm]528.0发光强度（单）（典型值）[mcd]1100.0正向电流（IF）[mA]20正向电压V F（典型值）[V]3.4芯片结构氮化铟镓功耗[mW]120工作温度[°C]-40至100
Image: SMLMN2ECT（C） SMLMN2ECT（C） Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 通用标准aec-q101（汽车级）包装类型反光板led类型标准包装尺寸[mm]2.0x1.25（t = 0.8）发光颜色蓝绿色主波长λD（单）（典型值）[nm]527.0发光强度（单）（典型值）[mcd]140.0正向电流（IF）[mA]20正向电压V F（典型值）[V]3芯片结构氮化铟镓功耗[mW]70工作温度[°C]-40至100储存温度[°C]-40至100
Image: SMLMN2BCT（C） SMLMN2BCT（C） Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 通用标准aec-q101（汽车级）包装类型反光板led类型标准包装尺寸[mm]2.0x1.25（t = 0.8）发光颜色蓝色主波长λD（单）（典型值）[nm]470.0发光强度（单）（典型值）[mcd]36.0正向电流（IF）[mA]5正向电压V F（典型值）[V]2.9芯片结构氮化铟镓功耗[mW]68

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