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Image: STGB10NC60KDT4 STGB10NC60KDT4 STMicroelectronics 半导体 晶体管 这些设备是使用高级powermesh开发的非常快速的igbt™ 技术。这个过程保证了开关性能和低通电状态行为之间的良好平衡。这些器件非常适合谐振或软开关应用。 主要特性 低压降（vce（sat）） cres/cies比率较低（无交叉传导敏感性） 超软超快恢复反并联二极管 短路耐受时间10μs

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