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| 图片 | 型号 | 厂商 | 标准 | 分类 | 描述 |
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STGB14NC60KDT4 | STMicroelectronics | 半导体 晶体管 | 这些设备是使用高级powermesh开发的非常快速的igbt™ 技术。这个过程保证了开关性能和低通电状态行为之间的良好平衡。 主要特性 低导通电压降（vce（sat）） 低cres/cies比率（无交叉传导敏感性） 超软超快恢复反平行二极管 短路耐受时间10μs | |
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STGB10NC60KDT4 | STMicroelectronics | 半导体 晶体管 | 这些设备是使用高级powermesh开发的非常快速的igbt™ 技术。这个过程保证了开关性能和低通电状态行为之间的良好平衡。这些器件非常适合谐振或软开关应用。 主要特性 低压降（vce（sat）） cres/cies比率较低（无交叉传导敏感性） 超软超快恢复反并联二极管 短路耐受时间10μs |
