关键词powermesh
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图片 型号 厂商 标准 分类 描述
Image: STB7NC80ZT4 STB7NC80ZT4 STMicroelectronics N-channel 800v - 1.3 ohm - 6.5A TO-220/TO-220FP/d2pak/i2pak zener-protected powermesh iii mosfet
Image: STD1HNC60-1 STD1HNC60-1 STMicroelectronics N-channel 600v 4 ohm 2A dpak/ipak powermesh II mosfet
Image: STD1LNC60-1 STD1LNC60-1 STMicroelectronics N-channel 600v 12 ohm 1A dpak/ipak powermesh II mosfet
Image: STB8NC70ZT4 STB8NC70ZT4 STMicroelectronics N-channel 700v 0.90 ohm 6.8A TO-220/TO-220FP/d2pak/i2pak zener-protected powermesh iii mosfet
Image: STGD7NB60FT4 STGD7NB60FT4 STMicroelectronics N-channel 7A 600v TO-220/dpak powermesh igbt
Image: STGD7NB60HT4 STGD7NB60HT4 STMicroelectronics N-channel 7A - 600v - dpak powermesh igbt
Image: GY50NC60WD GY50NC60WD STMicroelectronics N-channel 600v - 50a - max247 very fast powermesh igbt
Image: W9N150V W9N150V STMicroelectronics N-channel 1500v - 2.2ヘ - 8A - TO-247 very high voltage powerMESH⑩ power mosfet
Image: GW30NC60W GW30NC60W STMicroelectronics N-channel 30a - 600v - TO-247 - TO-220 ultra fast switching powermesh TM igbt
Image: GW40NC60WD GW40NC60WD STMicroelectronics N-channel 40a - 600v - TO-247 very fast switching powermesh igbt
Image: GW40NC60V GW40NC60V STMicroelectronics N-channel 50a - 600v - TO-247 very fast powermesh igbt
Image: GW35NB60SD GW35NB60SD STMicroelectronics N-channel 35a - 600v - TO-247 low drop powermesh TM igbt
Image: GW30NC120HD GW30NC120HD STMicroelectronics N-channel 1200v - 30a - TO-247 very fast powermesh TM igbt
Image: GW30NC60VD GW30NC60VD STMicroelectronics N-channel 40a - 600v - TO-247 very fast switching powermesh TM igbt
Image: W34NB20 W34NB20 STMicroelectronics N-channel 200v - 0.062 ohm - 34a TO-247 powermesh mosfet
Image: GW30N90D GW30N90D STMicroelectronics N-channel 900v - 30a - TO-247 very fast powermesh igbt
Image: GW39NC60VD GW39NC60VD STMicroelectronics N-channel 40a - 600v - TO-247 very fast powermesh⑩ igbt
Image: STGD20N40LZ STGD20N40LZ STMicroelectronics 半导体 晶体管 这种特定于应用的igbt采用了最先进的powermesh™ 技术。门极集电极和栅发射极之间的内置齐纳二极管提供过电压保护功能。该装置还具有低通态压降和低阈值驱动，可用于汽车点火系统。 主要特性 专为汽车应用和aec-q101认证 esd门发射极保护 门极集电极高压箝位 逻辑电平门驱动器 低饱和电压 高脉冲电流能力 栅发射极电阻
Image: STGD19N40LZ STGD19N40LZ STMicroelectronics 半导体 晶体管 这种特定于应用的igbt采用了最先进的powermesh™ 技术。门极集电极和栅发射极之间的内置齐纳二极管提供过电压保护功能。该装置还具有低通态压降和低阈值驱动，可用于汽车点火系统。 主要特性 aec-q101合格 180兆焦耳雪崩能量@TC=150°C，L=3 mH esd门发射极保护 门极集电极高压箝位 逻辑电平门驱动器 低饱和电压 高脉冲电流能力 栅发射极电阻
Image: STGB14NC60KDT4 STGB14NC60KDT4 STMicroelectronics 半导体 晶体管 这些设备是使用高级powermesh开发的非常快速的igbt™ 技术。这个过程保证了开关性能和低通电状态行为之间的良好平衡。 主要特性 低导通电压降（vce（sat）） 低cres/cies比率（无交叉传导敏感性） 超软超快恢复反平行二极管 短路耐受时间10μs

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