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Image: PD54003-E PD54003-E STMicroelectronics 半导体 晶体管 该器件是一种共源N沟道增强型横向场效应射频功率晶体管。它是为高增益，宽带商业和工业应用而设计的。它以7伏的共源模式工作，频率高达1千兆赫。该器件具有ST最新ldmos技术powerso-10rf的优良增益、线性度和可靠性。优越的线性性能使其成为便携式无线电的理想解决方案。powerso-10rf是第一个真正的表面贴装设备（smd）塑料射频功率包。它基于高可靠性的powerso-10，第一个ST-origined，jedec批准的大功率smd封装。它专门针对射频需求进行了优化，并提供了出色的射频性能以及易于组装。
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Image: FDMC86160 FDMC86160 Fairchild Semiconductor 半导体 分离式半导体 mosfet 30v 2xnch power clip powerTrench mosfet
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