关键词oip3
- 标准
-
| 图片 | 型号 | 厂商 | 标准 | 分类 | 描述 |
|---|---|---|---|---|---|
|
LTC5588-1 | Linear Technology | 200mhz to 6000mhz quadrature modulator with ultrahigh oip3 | ||
|
ADL8104 | Analog Devices Inc | 半导体 接口 | adl8104是砷化镓（gaas）、单片微波集成电路（mmic）、假象高电子迁移率晶体管（phemt）、低噪声、宽带、高线性放大器，工作范围从0.4 ghz到7.5 ghz。 adl8104在0.6ghz到6ghz时提供了15db的典型增益，在0.4ghz到6ghz时提供了3.5db的典型噪声系数，在0.6ghz到6ghz的1db压缩（OP1db）下提供了20dbm的典型输出功率，在0.6ghz到6ghz时提供了32dbm的典型输出三阶截距（oip3），5V漏极电源电压仅需150ma。低噪声放大器具有52 dbm的高输出二阶截距（oip2），通常在0.6 ghz至6 ghz之间，使adl8104适用于军事和测试仪器应用。 adl8104还具有内部匹配到50Ω的输入和输出。rfin和rfout引脚是内部交流耦合的，偏置电感也是集成的，这使得adl8104非常适合基于表面贴装技术（smt）的高密度应用。 adl8104采用符合rohs标准的3 mm×3 mm 16引线lfcsp封装。 | |
|
ADL9006 | Analog Devices Inc | 半导体 接口 | 优势和特点 产品详情 adl9006 是一款砷化镓 (gaas)、假晶高电子迁移率晶体管 (phemt)、单片微波集成电路 (mmic) 低噪声宽带放大器，工作范围为 2 ghz 至 28 ghz。该放大器可提供 15.5 dB 的增益，2.5 dB 的噪声系数，26 dbm 的输出三阶截距 (oip3) 以及20 dbm 的输出功率，以进行 1 dB 压缩 (p1db)，同时需要 5 V 电源提供 53 mA 的电流。adl9006 具有自偏置功能，仅需一个正电源即可实现 53 mA 的电源电流 (idd)。 adl9006 放大器输入和输出内部匹配至 50 Ω。 应用 测试仪器仪表 军用和航空航天 本地振荡器驱动器放大器 | |
|
ADL5206 | Analog Devices Inc | 传感器，变送器 放大器 | 数字控制vga 1 dB增益步长 2分贝至32分贝增益范围 100Ω差动输入电阻 10Ω差动输出电阻 噪声系数：300 mhz时5.1 dB，5 V电源，最大增益 最大增益时的oip3 电压为5 V时，300 mhz时为39.4 dbm 电压为5 V时，700 mhz时为38.1 dbm 增益步进精度：±0.2 dB -3 dB带宽，32 dB:1.0 ghz，5 V电源 多个控制接口选项 带锁存器的并行5位控制接口 具有快速攻击功能的3线和4线spi 增益升压降压接口 宽输入动态范围 断电控制 单个3.3 V或5 V电源操作 5 V电源下112 mA静态电流 20引线，4 mm×4 mm lfcsp | |
|
ADL5205 | Analog Devices Inc | 传感器，变送器 放大器 | 独立的双通道数字控制增益放大器(dga) 增益范围：-9 dB至+26 dB 1 dB步长，±0.2 dB精度(200 mhz) 100 Ω差分输入电阻 10 Ω差分输出电阻 1.2 dB噪声系数变化（针对12 dB第一增益衰减） 输出三阶交调截点(oip3)：48.5 dbm (200 mhz)、5V、高性能模式 −3 dB带宽：1700 mhz（典型值，高性能模式下） 多种控制接口选项 并行6位控制接口（集成锁存器） 串行外设接口(spi)（集成快速启动功能） 增益升/降接口 宽输入动态范围 低功耗模式 掉电控制 3.3 V或5 V单电源供电 40引脚、6 mm × 6 mm lfcsp封装 | |
|
BFP843板 | Infineon Technologies | 无源元器件 RF 评估和开发套件，板 | 功能概要 •基于英飞凌可靠的大容量sige：C双极技术的低噪声宽带npn RF晶体管 •高最大RF输入功率和esd鲁棒性20 dbm最大RF输入功率，1.5 KV hbm esd硬度 •高射频性能的独特组合，鲁棒性和易于应用的电路设计 •低噪声系数：nfmin = 2.4 ghz时为1.0 dB，5.5 ghz，1.8 V，8 mA时为1.2 dB •高增益：| s21 | 2 = 2.4 ghz时为21 dB，5.5时为15.5 dB ghz，1.8 V，15 mA •oip3 = 2.4 ghz时为23 dbm，5.5 ghz，1.8 V，20 mA时 为20 dbm •非常适合低压应用，例如vcc = 1.2 V和1.8 V（2.85 V，3.3 V，3.6 V需要相应的集电极电阻） •低功耗，非常适合移动应用 •易于使用的无铅（符合rohs要求）和无卤素工业标准封装，并带有可见引线 •根据aec-q101提供的鉴定报告 | |
|
BFP840ESD板 | Infineon Technologies | 无源元器件 RF 评估和开发套件，板 | 功能概要 •基于英飞凌可靠的高容量sige：C技术的强大超低噪声放大器 •高端射频性能和耐用性的独特结合：最大20 dbm射频输入功率，1.5 kV hbm esd硬度 •很高的过渡频率fT = 80 ghz可以在高频下实现极低的噪声系数： 5.5 ghz，1.8 V，6 mA时nfmin = 0.85 dB •5.5 ghz，1.8 V，10 mA时，高增益| s21 | 2 = 18.5 dB •5.5 ghz时oip3 = 23 dbm， 1.5 V，6 mA •非常适合低压应用，例如vcc = 1.2 V和1.8 V（2.85 V，3.3 V，3.6 V需要相应的集电极电阻） •低功耗，非常适合移动应用 •易于使用的无铅（rohs符合标准）和无卤素行业标准封装，并带有可见引线 •提供符合aec-q101的鉴定报告 |
