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- 标准
图片 | 型号 | 厂商 | 标准 | 分类 | 描述 |
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74VCX00 | ON Semiconductor | 半导体 逻辑 | vcx00 包含四个 2 输入 nand 门极。此产品适用于低电压(1.2V 至 3.6V)vcc 应用,I/O 能力达 3.6V。vcx00 采用先进的 cmos 工艺,在保持 cmos 低功耗的同时,实现了高速运行。 特性 1.2V至3.6V vcc电源操作范围 3.6V容差输入和输出电压 对于3.0V至3.6V vcc,最大值为tpd 2.8 ns 断电高阻抗输入和输出 3.0V vcc时,静态驱动(ioh/iol) ±24 mA 使用专利噪声/电磁干扰(emi)消减电路 闩锁性能超越jedec 78条件 静电放电(esd)性能: 人体模型> 2000v 机械模型> 250v 无引线无铅dqfn封装 | ||
74VCX86 | ON Semiconductor | 半导体 逻辑 | vcx86包含四个2输入异或门。 此产品设计用于I/O兼容性达到3.6V的低压(1.2V至3.6V)vcc应用。 74vcx86采用先进的cmos技术制造,以在实现高速运行的同时保持cmos低功耗。 特性 1.2V至3.6V vcc电源操作范围 3.6V容差输入和输出电压 对于3.0V至3.6V vcc,最大值为tpd 3.0ns 断电高阻抗输入和输出 3.0V vcc时,静态驱动(ioh/iol) ±24 mA 使用专利噪声/电磁干扰(emi)消减电路 闩锁性能超越jedec 78条件 静电放电(esd)性能: 人体模型> 2000v 机械模型> 250v 无引线无铅dqfn封装 | ||
MC74ACT00 | ON Semiconductor | 半导体 逻辑 | 特性 输出驱动能力:+/- 24 mA 工作电压范围:2至6 V ac00;4.5至5.5 act00 低输入电流:1 µA cmos器件的高抗噪特性 符合jedec标准7A要求 提供无铅封装。 | ||
MC74HC00A | ON Semiconductor | 半导体 逻辑 | 四路 2 输入 nand 门极。高性能硅门极 cmos。mc74hc00a 与 ls00 的引脚输出相同。该器件输入与标准 cmos 输出兼容;带有上拉电阻,它们与 LSttl 输出兼容。 特性 输出驱动能力:10 LSttl负载 输出直接接口至cmos,nmos和ttl 工作电压范围:2至6 V 低输入电流:1 µA cmos器件的高抗噪特性 符合jedec标准7A要求 芯片复杂度:32个fet或8个等效门 提供pbfree软件包 | ||
MC74HC00A | ON Semiconductor | 半导体 逻辑 | 四路 2 输入 nand 门极。高性能硅门极 cmos。mc74hc00a 与 ls00 的引脚输出相同。该器件输入与标准 cmos 输出兼容;带有上拉电阻,它们与 LSttl 输出兼容。 特性 输出驱动能力:10 LSttl负载 输出直接接口至cmos,nmos和ttl 工作电压范围:2至6 V 低输入电流:1 µA cmos器件的高抗噪特性 符合jedec标准7A要求 芯片复杂度:32个fet或8个等效门 提供pbfree软件包 | ||
MC74HC02A | ON Semiconductor | 半导体 逻辑 | 高性能硅门极 cmos mc74hc02a 与 ls02 的引脚输出相同。该器件输入兼容标准的 cmos 输出;带有上拉电阻器,可兼容 LSttl 输出。 特性 输出驱动能力:10 LSttl负载 输出直接接口至cmos,nmos和ttl 工作电压范围:2.0至6.0 V 低输入电流:1.0 m A cmos器件的高抗噪特性 符合jedec标准7A定义的要求 芯片复杂度:40个fet或10个等效门 提供无铅封装 | ||
MC74HC03A | ON Semiconductor | 半导体 逻辑 | 高性能硅门极 Cmos MC74hc03a 与 ls03 的引脚输出相同。该器件输入兼容标准的 Cmos 输出;带有上拉电阻器,可兼容 LSttl 输出。hc03a Nand 门极具有高性能 mos N 沟道晶体管作为输出。因此,此 Nand 门极使用恰当的上拉电阻可用于有线 and 应用。该器件的输出特性曲线如此数据表中所示,可用作 led 驱动器,或仅需汲电流的任何其他应用。 特性 输出驱动能力:10 LSttl负载,带有合适的上拉电阻 输出直接接口至Cmos,Nmos和ttl Cmos器件的高抗噪特性 工作电压范围:2至6V 低输入电流:1 m A 符合jedec标准7A要求 芯片复杂度:28个fet或7个等效门 提供无铅封装* |