关键词eldr
标准
为您共找出"12"个相关器件
图片 型号 厂商 标准 分类 描述
Image: LM139AQML-SP LM139AQML-SP Texas Instruments 半导体 晶体管 100krad (si) eldr free 100krad (si) wide supply voltage rangelm139/139a series 2 to 36vdc or ± 1 to ± 18vdcvery low supply current dri漏(0.8 ma)ー与电源电压无关的输入偏置电流: 25nalow 输入偏置电流: ± 5 naalow 偏置电压: ± 1 mvinput 公共模式电压范围包括 dgnmv 输入电压范围等于电源电压饱和差动输出电压: 250 at 4 maxat 4 mathtttl，dtl，cmos，ecl，mos 和逻辑系统兼容
Image: LM119QML-SP LM119QML-SP Texas Instruments 半导体 晶体管 可保证辐射 高剂量率100 krad（Si） eldrs免费100克拉（Si） 两个独立比较器 从单个5V电源运行 通常80 ns响应时间±15伏 每侧至少有2个风扇 最大输入电流1μ温度过高 输入和输出可以与系统接地隔离 高共模转换率可保证辐射 高剂量率100 krad（Si） eldrs免费100克拉（Si） 两个独立比较器 从单个5V电源运行 通常80 ns响应时间±15伏 每侧至少有2个风扇 最大输入电流1μ温度过高 输入和输出可以与系统接地隔离 高共模转换率
Image: LM124AQML-SP LM124AQML-SP Texas Instruments 传感器，变送器 放大器 提供辐射规格 高剂量率100克拉（Si） eldrs免费100克拉（Si） 单位增益内部频率补偿 大直流电压增益100db 宽带（单位增益）1 mhz （温度补偿） 宽电源范围：  单电源3V至32v
Image: OPA4277-SP OPA4277-SP Texas Instruments 传感器，变送器 放大器 符合 qmlv 标准：5962-16209 抗辐射加固保障 (rha) 高达 50krad(Si) 总电离剂量 (tid) 无低剂量率辐射损伤增强 (eldrs)（请参阅辐射报告） 单粒子锁定 (sel) 对于线性能量传输 (let) 的抗扰度 = 85mev-cm2/mg 超低偏移电压：20µV 超低漂移：±0.15µV/°C 高开环增益：134db 高共模抑制比：140db 高电源抑制比：130db 宽电源电压范围：±2V 至 ±18v 低静态电流：800µA/放大器 采用 14 引线 cfp，具有行业标准四路运算放大器引脚
Image: LM111QML LM111QML Texas Instruments 传感器，变送器 放大器 可保证辐射 高剂量率50克拉（Si） 低剂量和无eldrs 100 krad（Si） 由单个5V电源供电 输入电流：200毫安最大超温 偏置电流：20毫安最大超温 差分输入电压范围：±30伏 功耗：135 mW±15伏 电源电压，单个5V至±15伏 偏置电压零点能力 选通能力
Image: LM119QML LM119QML Texas Instruments 传感器，变送器 放大器 可保证辐射 高剂量率100克拉（Si） eldrs免费100克拉（Si） 两个独立比较器 从单个5V电源运行 通常在±15v下80 ns响应时间 每侧至少有2个风扇 1μA过温最大输入电流 输入和输出可以与系统接地隔离 高共模转换率
Image: LM193QML LM193QML Texas Instruments 传感器，变送器 放大器 提供辐射保证 总电离剂量100克拉（Si） eldrs免费100克拉（Si） 广泛供应 电压范围：2.0vdc至36vdc 单电源或双电源：±1.0伏至±18伏 极低电源电流消耗（0.4 mA）— 独立于电源电压 低输入偏置电流：25毫安典型值 低输入偏置电流：±5 nA典型值 输入共模电压范围包括接地 差分输入电压范围等于电源电压 低输出饱和电压，典型值为4 mA时为250 mV 输出电压与ttl，dtl，ecl，mos和Cmos逻辑系统兼容
Image: LM139AQML LM139AQML Texas Instruments 半导体 RF 晶体管 (BJT) 可保证辐射 总电离剂量100克拉（Si） eldrs免费100克拉（Si） 宽电源电压范围 lm139/139a系列2至36 V DC或±1至±18伏直流电 极低的电源电流消耗（0.8 mA）-与电源电压无关 低输入偏置电流：25毫安 低输入偏置电流：±5不适用 偏移电压：±1毫伏 输入共模电压范围包括gnd 差分输入电压范围等于电源电压 低输出饱和电压：4 mA时为250 mV 输出电压与ttl，dtl，ecl，mos和Cmos逻辑系统兼容
Image: LM111QML-SP LM111QML-SP Texas Instruments 半导体 晶体管 可保证辐射 高剂量率50克拉（Si） 低剂量和无eldrs 100 krad（Si） 由单个5V电源供电 输入电流：200毫安最大超温 偏置电流：20毫安最大超温 差分输入电压范围：±30伏 功耗：135 mW±15伏 电源电压，单个5V至±15伏 偏置电压零点能力 选通能力
Image: LM158QML-SP LM158QML-SP Texas Instruments 半导体 晶体管 提供辐射规格 高剂量率100克拉（Si） eldrs免费100克拉（Si） 单位增益内部频率补偿 直流电压增益大： 100分贝 宽带（单位增益）： 1 MH z（温度补偿） 宽电源范围： 单电源： 3V至32v 或双电源： ±1.5V至±16伏 极低的电源电流消耗（500μ（一）− 基本上独立于电源电压 低输入偏移电压： 2毫伏 输入共模电压范围包括接地 差分输入电压范围等于电源电压 输出电压摆幅大： 0V至V+− 1.5伏
Image: LM193QML-SP LM193QML-SP Texas Instruments 半导体 晶体管 提供辐射保证 总电离剂量100克拉（Si） eldrs免费100克拉（Si） 广泛供应 电压范围：2.0vdc至36vdc 单电源或双电源：±1.0伏至±18伏 极低的电源电流消耗（0.4 mA）-与电源电压无关 低输入偏置电流：25毫安典型值 低输入偏置电流：±5 nA典型值 输入共模电压范围包括接地 差分输入电压范围等于电源电压 低输出饱和电压，典型值为4 mA时为250 mV 输出电压与ttl，dtl，ecl，mos和Cmos逻辑系统兼容
Image: LMP2012QML-SP LMP2012QML-SP Texas Instruments 半导体 晶体管 吸收剂量50 krad (si) eldrs free 50 krad (si) tcvio 温度灵敏度(典型)0.015 v/° c (v s = 5v，除非另有说明)低温确保 vio 超过温度60 v 低噪声没有1/f 35nv/√ high cmrr 90 dbhigh psrr 90 dbwide 增益产品3mhzzmr 高转换率4v/srail-to-rail 输出30mvno 外部需要

©2000-  21IC电子网版权所有

京ICP备11013301号 京公网安备 11010802024343号