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Image: OPA4277-SP OPA4277-SP Texas Instruments 传感器，变送器 放大器 符合 qmlv 标准：5962-16209 抗辐射加固保障 (rha) 高达 50krad(Si) 总电离剂量 (tid) 无低剂量率辐射损伤增强 (eldrs)（请参阅辐射报告） 单粒子锁定 (sel) 对于线性能量传输 (let) 的抗扰度 = 85mev-cm2/mg 超低偏移电压：20µV 超低漂移：±0.15µV/°C 高开环增益：134db 高共模抑制比：140db 高电源抑制比：130db 宽电源电压范围：±2V 至 ±18v 低静态电流：800µA/放大器 采用 14 引线 cfp，具有行业标准四路运算放大器引脚
Image: LET9045C LET9045C STMicroelectronics 半导体 晶体管 let9045c是一种共源N沟道增强模式横向场效应射频功率晶体管，设计用于频率高达1.0ghz的宽带商业和工业应用。let9045c设计用于在28 V共源模式下工作的高增益和宽带性能。它是要求高线性度的基站应用的理想选择。 主要特性 优异的热稳定性 公共源配置 pout（@28 V）=45 W，在960 mhz时增益为18.5 dB pout（@36v）=70 W，在960 mhz时增益为18.5 dB beo免费套餐 符合2002/95/EC欧洲指令
Image: LET9045F LET9045F STMicroelectronics 半导体 晶体管 let9045f是一种共源n沟道增强模式横向场效应射频功率晶体管，设计用于频率高达1.0ghz的宽带商业和工业应用。let9045f设计用于在28 V共源模式下工作的高增益和宽带性能。它是要求高线性度的基站应用的理想选择。 主要特性 优异的热稳定性 公共源配置 pout（@28 V）=45 W，在960 mhz时增益为18.5 dB pout（@36v）=70 W，在960 mhz时增益为18.5 dB beo免费套餐 符合2002/95/EC欧洲指令
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