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描述
APTGF50DH120T
Advanced Power Technology
asymmetrical
-
bridge
npt
igbt
power
module
APTGF150DH120
Advanced Power Technology
asymmetrical
-
bridge
npt
igbt
power
module
APTGF75DH120T
Advanced Power Technology
asymmetrical
-
bridge
npt
igbt
power
module
APTGT100DH120TG
Advanced Power Technology
asymmetrical
-
bridge
fast
trench
+
field
stop
igbt
power
module
APTGT100DH170
Advanced Power Technology
asymmetrical
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stop
igbt
power
module
APTGT150DH120
Advanced Power Technology
asymmetrical
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fast
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stop
igbt
power
module
APTGT200DH120
Advanced Power Technology
asymmetrical
-
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igbt
power
module
APTGT150DH170
Advanced Power Technology
asymmetrical
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power
module
APTGT50DH170T
Advanced Power Technology
asymmetrical
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power
module
APTGT50DH120T
Advanced Power Technology
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power
module
APTGT75DH120T
Advanced Power Technology
asymmetrical
-
bridge
fast
trench
+
field
stop
igbt
power
module
ECCCT23
ETC
timers
asymmetrical
multi
recycler
AO4F800
Alpha & Omega Semiconductor Inc
asymmetric
dual
N-
channel
enhancement
mode
field
effect
transistor
AOF800L
Alpha & Omega Semiconductor Inc
asymmetric
dual
N-
channel
enhancement
mode
field
effect
transistor
XT2116-1201
Dynex Semiconductor
fast
turn
-on
asymmetric
thyristor
XT2116-1401
Dynex Semiconductor
fast
turn
-on
asymmetric
thyristor
XT2116-1601
Dynex Semiconductor
fast
turn
-on
asymmetric
thyristor
CPF105C
ETC
asymmetric
digital
subscriber
line
AFT21H350W03S
NXP Semiconductors
半导体
RF 晶体管 (BJT)
the
se 63
watt
asymmetrical
doherty
RF
power
ldmos
transistors
are
designed
for
cellular
base
station
applications
requiring
very
wideinstantaneous
bandwidth
capability
covering
the
frequency
range
of
2110
to2170
mhz
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