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Image: RBR40NS30AFH RBR40NS30AFH Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）包装代码TO-263s（d2pak）套餐（jeita）SC-83包装尺寸[mm]13.3x10.1（t = 4.5）安装方式表面贴装端子数3vrm [V]30反向电压VR [V]30平均整流正向电流IO [A]40.0ifsm [A]100.0正向电压VF（最大）[V]0.52中频@正向电压[A]20.0反向电流IR（最大值）[mA]0.6vr @反向电流[V]30储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR30T60ANZ RBR30T60ANZ Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 年级标准包装代码ito-220ab包装尺寸[mm]10.0x15.0（t = 4.5）安装方式引线式端子数3vrm [V]60反向电压VR [V]60平均整流正向电流IO [A]30.0ifsm [A]100.0正向电压VF（最大）[V]0.68中频@正向电压[A]15.0反向电流IR（最大值）[mA]0.6vr @反向电流[V]60储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR30NS60AFH RBR30NS60AFH Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）包装代码TO-263s（d2pak）套餐（jeita）SC-83包装尺寸[mm]13.3x10.1（t = 4.5）安装方式表面贴装端子数3vrm [V]60反向电压VR [V]60平均整流正向电流IO [A]30.0ifsm [A]100.0正向电压VF（最大）[V]0.67中频@正向电压[A]15.0反向电流IR（最大值）[mA]0.6vr @反向电流[V]60储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR30NS60A RBR30NS60A Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 年级标准包装代码TO-263s（d2pak）套餐（jeita）SC-83包装尺寸[mm]13.3x10.1（t = 4.5）安装方式表面贴装端子数3vrm [V]60反向电压VR [V]60平均整流正向电流IO [A]30.0ifsm [A]100.0正向电压VF（最大）[V]0.67中频@正向电压[A]15.0反向电流IR（最大值）[mA]0.6vr @反向电流[V]60储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: T6V0S5-7 T6V0S5-7 Diodes Incorporated 半导体 分离式半导体 tvs diodes - transient voltage suppressors 260w 6vrwm
Image: B72500T0060M60 B72500T0060M60 EPCOS Inc 电路保护 压敏电阻 varistors 6vrms 30a ct0603m6g
Image: RB731XN RB731XN Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 年级标准组态三重线包装代码sot-363套餐（jeita）SC-88包装尺寸[mm]2.0x2.1（t = 0.9）安装方式表面贴装端子数6vrm [V]40反向电压VR [V]40平均整流正向电流IO [A]0.03ifsm [A]0.2正向电压VF（最大）[V]0.37中频@正向电压[A]0.001反向电流IR（最大值）[mA]0.001VR @反向电流[V]10储存温度（最低）[°C]-40储存温度（最高）[°C]125

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