关键词5x6
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| 图片 | 型号 | 厂商 | 标准 | 分类 | 描述 |
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STL260N4F7 | STMicroelectronics | 半导体 晶体管 | N通道40 V，1.05 mO（典型值），120 A stripfet F7功率mosfet，采用powerflat 5x6封装 | |
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FERD15S50 | STMicroelectronics | 半导体 二极管/齐纳阵列 | 这款整流二极管基于专有技术，能达到单位面积内最好的 VF/IR比。 该场效应整流二极管采用powerflat™5x6封装，可用于开关电源的整流和续流操作。 主要特性 ST专有工艺 在反向电压下稳定的漏电流 低正向压降 高频操作 | |
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FERD20U50 | STMicroelectronics | 半导体 二极管/齐纳阵列 | 该单整流器基于专有技术，能够在给定硅表面实现同类最佳的VF/IR。 封装在powerflat中™ 5x6，ferd20u50优化用于开关电源的整流和自由旋转操作。 主要特性 ST专利整流工艺 反向电压下的稳定漏电流 低正向电压降 高频操作 符合ecopack®2 | |
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FERD20U60DJFD | STMicroelectronics | 半导体 二极管/齐纳阵列 | 该单整流器基于专有技术，能够在给定硅表面实现同类最佳的VF/IR权衡。 封装在powerflat中™ 5x6，该装置用于开关电源的整流和自由旋转操作。 主要特性 ST专有工艺 反向电压下的稳定漏电流 低正向电压降 高频操作 |
