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Image:            ADUM4135 ADUM4135 Analog Devices Inc 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 优势和特点 产品详情 4A峰值驱动输出能力 输出功率器件电阻:<1 Ω 去饱和保护n 隔离的去饱和故障报告 故障时软关断 带栅极检测输入的米勒箝位输出 隔离故障和就绪功能 低传播延迟:55 ns(典型值) 最小脉冲宽度:50 ns 工作温度范围:−40°C至+125°C 输出电压范围至30v 输入电压范围:2.3 V至6 V 输出和输入欠压闭锁(uvlo) 爬电距离:7.8 mm(最小值)/li> 共模瞬变抗扰度(cmti):100 kV/µs 600 V rms1092 V直流工作电压时寿命可达20年 安全和法规认证 1分钟5 kV AC,符合UL 1577 csa元件验收通知5A din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10):2006-12 viorm= 849 V峰值(强化/基本)
Image:             ADuM4121-1 ADuM4121-1 Analog Devices Inc 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 峰值输出电流:2 A (<2 Ω rdson) 2.5 V至6.5 V输入 4.5 V至35 V输出 欠压闭锁(uvlo):2.5 V vdd1 vdd2上提供多个uvlo选项 A级:vdd2上的uvlo:4.4 V(典型值) B级:vdd2上的uvlo:7.3 V(典型值) C级:vdd2上的uvlo:11.3 V(典型值) 精密时序特性 隔离器和驱动器传播延迟:53 ns(最大值) cmos输入逻辑电平 高共模瞬变抗扰度:>150 kV/µs 工作结温最高可达:125°C 默认低电平输出 内部米勒箝位 安全和法规认证(申请中) UL认证符合UL 1577 1分钟5 kV rmssoic长封装 csa元件验收通知5A 符合vde标准证书(申请中) din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10):2006-12 viorm = 849 V峰值 8引脚宽体soic封装
Image:            ADuM4120 ADuM4120 Analog Devices Inc 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 2.3 A 峰值输出电流 (<2 Ω rdson_x) 2.5 V 到 6.5 V vdd1 输入 4.5V 到 35 V vdd2 输出 2.3 V vdd1 时欠压锁定 (uvlo) vdd2 上存在多个欠压锁定 (uvlo) 选项 A 级—4.4 V(典型值)正向阈值 B 级—7.3 V(典型值)正向阈值 C 级—11.3 V(典型值)正向阈值 精准定时特性 隔离器和驱动器下降缘传播延迟最大 79 ns (adum4120) cmos 输入逻辑电平 高共模瞬变抗扰度:150 kV/μs 高工作结温:125°C 默认低电平输出 安全和监管审批(申请中) UL 认证:符合 UL 1577 1 分钟 5 kV rmssoic 长封装 csa 元件验收通知 5A vde 符合性证书(申请中) din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10):2006-12 viorm = 849 V 峰值 8 mm 爬电距离 6 引脚宽体 soic 封装,爬电距离更长
Image:            ADuM4120-1 ADuM4120-1 Analog Devices Inc 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 2.3 A 峰值输出电流 (<2 Ω rdson_x) 2.5 V 到 6.5 V vdd1 输入 4.5V 到 35 V vdd2 输出 2.3 V vdd1 时欠压锁定 (uvlo) vdd2 上存在多个欠压锁定 (uvlo) 选项 A 级—4.4 V(典型值)正向阈值 B 级—7.3 V(典型值)正向阈值 C 级—11.3 V(典型值)正向阈值 精准定时特性 隔离器和驱动器下降缘传播延迟最大 79 ns (adum4120) cmos 输入逻辑电平 高共模瞬变抗扰度:150 kV/μs 高工作结温:125°C 默认低电平输出 安全和监管审批(申请中) UL 认证:符合 UL 1577 1 分钟 5 kV rmssoic 长封装 csa 元件验收通知 5A vde 符合性证书(申请中) din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10):2006-12 viorm = 849 V 峰值 8 mm 爬电距离 6 引脚宽体 soic 封装,爬电距离更长
Image:             ADUM3190 ADUM3190 Analog Devices Inc 传感器,变送器 放大器 优势和特点 产品详情 在隔离反馈应用中保持稳定性 初始精度:0.5% 全温度范围精度:1% 兼容II型或iii型补偿网络 基准电压: 1.225 V 兼容dosa 低功耗工作: <7 mA(总功耗) 宽电源电压范围 vdd1: 3 V至20 V vdd2: 3 V至20 V 带宽: 400 khz 隔离电压: 2.5 kV rms 安全和法规认证 UL认证: 依据UL 1577,1分钟2,500 V rms csa元件验收通知5A vde合格证书 din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10):2006-12 viorm = 565 V peak 宽温度范围 工作环境温度:−40°C至 +125°C 最高结点温度:150°C 通过汽车应用认证
Image:       AMC1305L25 AMC1305L25 Texas Instruments 半导体 二极管/齐纳阵列 针对基于分流电阻的电流测量进行优化的引脚兼容系列: 输入电压范围为 ±50mv 或 ±250mv 互补金属氧化物半导体 (cmos) 或低压差分信令 (lvds) 数字接口选项 出色的直流性能,支持系统级高精度感测: 偏移误差:±50µV 或 ±150µV(最大值) 偏移漂移:1.3µV/°C(最大值) 增益误差:±0.3%(最大值) 增益漂移:±40ppm/°C(最大值) 安全相关认证: 7000 vpk 增强型隔离,符合 din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10): 2006-12 标准 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5000 vrms 隔离 can/csa No. 5A 组件接受服务通知、iec 60950-1 和 iec 60065 终端设备标准 瞬态抗扰度:15kv/µs(最小值) 高电磁场抗扰度
Image:        AMC1305M25 AMC1305M25 Texas Instruments 半导体 二极管/齐纳阵列 针对基于分流电阻的电流测量进行优化的引脚兼容系列: 输入电压范围为 ±50mv 或 ±250mv 互补金属氧化物半导体 (cmos) 或低压差分信令 (lvds) 数字接口选项 出色的直流性能,支持系统级高精度感测: 偏移误差:±50µV 或 ±150µV(最大值) 偏移漂移:1.3µV/°C(最大值) 增益误差:±0.3%(最大值) 增益漂移:±40ppm/°C(最大值) 安全相关认证: 7000 vpk 增强型隔离,符合 din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10): 2006-12 标准 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5000 vrms 隔离 can/csa No. 5A 组件接受服务通知、iec 60950-1 和 iec 60065 终端设备标准 瞬态抗扰度:15kv/µs(最小值) 高电磁场抗扰度 (请参见应用手册 slla181a) 外部 5mhz20mhz 时钟输入 可更加轻松地实现系统级同步 可在扩展工业温度范围内运行
Image:        AMC1305M05 AMC1305M05 Texas Instruments 半导体 二极管/齐纳阵列 针对基于分流电阻的电流测量进行优化的引脚兼容系列: 输入电压范围为 ±50mv 或 ±250mv 互补金属氧化物半导体 (cmos) 或低压差分信令 (lvds) 数字接口选项 出色的直流性能,支持系统级高精度感测: 偏移误差:±50µV 或 ±150µV(最大值) 偏移漂移:1.3µV/°C(最大值) 增益误差:±0.3%(最大值) 增益漂移:±40ppm/°C(最大值) 安全相关认证: 7000 vpk 增强型隔离,符合 din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10): 2006-12 标准 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5000 vrms 隔离 can/csa No. 5A 组件接受服务通知、iec 60950-1 和 iec 60065 终端设备标准 瞬态抗扰度:15kv/µs(最小值)
Image:           AMC1305M25 AMC1305M25 Texas Instruments 半导体 隔离器 针对基于分流电阻的电流测量进行优化的引脚兼容系列: 输入电压范围为 ±50mv 或 ±250mv 互补金属氧化物半导体 (cmos) 或低压差分信令 (lvds) 数字接口选项 出色的直流性能,支持系统级高精度感测: 偏移误差:±50µV 或 ±150µV(最大值) 偏移漂移:1.3µV/°C(最大值) 增益误差:±0.3%(最大值) 增益漂移:±40ppm/°C(最大值) 安全相关认证: 7000 vpk 增强型隔离,符合 din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10): 2006-12 标准 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5000 vrms 隔离 can/csa No. 5A 组件接受服务通知、iec 60950-1 和 iec 60065 终端设备标准 瞬态抗扰度:15kv/µs(最小值) 高电磁场抗扰度 (请参见应用手册 slla181a) 外部 5mhz20mhz 时钟输入 可更加轻松地实现系统级同步 可在扩展工业温度范围内运行
Image:        AMC1304L05 AMC1304L05 Texas Instruments 半导体 隔离器 针对基于分流电阻的电流测量进行优化的引脚兼容系列: 输入电压范围为 ±50mv 或 ±250mv cmoslvds 数字接口选项 出色的直流性能,支持系统级高精度感测: 偏移误差:±50µV 或 ±100µV(最大值) 偏移漂移:1.3µV/°C(最大值) 增益误差:±0.2% 或 ±0.3%(最大值) 增益漂移:±40ppm/°C(最大值) 安全相关认证: 7000 vpk 增强型隔离,符合 din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10): 2006-12 标准 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5000 vrms 隔离 can/csa No. 5A 组件接受服务通知、iec 60950-1 和 iec 60065 终端设备标准 瞬态抗扰度:15kv/µs(最小值) 高电磁场抗扰度 (请参见应用手册 slla181a) 外部 5mhz20mhz 时钟输入 可更加轻松地实现系统级同步 18v 片载低压降 (ldo) 稳压器 可在扩展工业温度范围内运行
Image:        AMC1304L25 AMC1304L25 Texas Instruments 半导体 隔离器 针对基于分流电阻的电流测量进行优化的引脚兼容系列: 输入电压范围为 ±50mv 或 ±250mv cmoslvds 数字接口选项 出色的直流性能,支持系统级高精度感测: 偏移误差:±50µV 或 ±100µV(最大值) 偏移漂移:1.3µV/°C(最大值) 增益误差:±0.2% 或 ±0.3%(最大值) 增益漂移:±40ppm/°C(最大值) 安全相关认证: 7000 vpk 增强型隔离,符合 din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10): 2006-12 标准 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5000 vrms 隔离 can/csa No. 5A 组件接受服务通知、iec 60950-1 和 iec 60065 终端设备标准 瞬态抗扰度:15kv/µs(最小值) 高电磁场抗扰度 (请参见应用手册 slla181a) 外部 5mhz20mhz 时钟输入 可更加轻松地实现系统级同步 18v 片载低压降 (ldo) 稳压器 可在扩展工业温度范围内运行
Image:        AMC1304M25 AMC1304M25 Texas Instruments 半导体 隔离器 针对基于分流电阻的电流测量进行优化的引脚兼容系列: 输入电压范围为 ±50mv 或 ±250mv cmoslvds 数字接口选项 出色的直流性能,支持系统级高精度感测: 偏移误差:±50µV 或 ±100µV(最大值) 偏移漂移:1.3µV/°C(最大值) 增益误差:±0.2% 或 ±0.3%(最大值) 增益漂移:±40ppm/°C(最大值) 安全相关认证: 7000 vpk 增强型隔离,符合 din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10): 2006-12 标准 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5000 vrms 隔离 can/csa No. 5A 组件接受服务通知、iec 60950-1 和 iec 60065 终端设备标准 瞬态抗扰度:15kv/µs(最小值) 高电磁场抗扰度 (请参见应用手册 slla181a) 外部 5mhz20mhz 时钟输入 可更加轻松地实现系统级同步 18v 片载低压降 (ldo) 稳压器 可在扩展工业温度范围内运行
Image:       AMC1304M05 AMC1304M05 Texas Instruments 半导体 隔离器 针对基于分流电阻的电流测量进行优化的引脚兼容系列: 输入电压范围为 ±50mv 或 ±250mv cmoslvds 数字接口选项 出色的直流性能,支持系统级高精度感测: 偏移误差:±50µV 或 ±100µV(最大值) 偏移漂移:1.3µV/°C(最大值) 增益误差:±0.2% 或 ±0.3%(最大值) 增益漂移:±40ppm/°C(最大值) 安全相关认证: 7000 vpk 增强型隔离,符合 din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10): 2006-12 标准 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5000 vrms 隔离 can/csa No. 5A 组件接受服务通知、iec 60950-1 和 iec 60065 终端设备标准 瞬态抗扰度:15kv/µs(最小值) 高电磁场抗扰度 (请参见应用手册 slla181a) 外部 5mhz20mhz 时钟输入 可更加轻松地实现系统级同步 18v 片载低压降 (ldo) 稳压器 可在扩展工业温度范围内运行
Image:       AMC1305M25-Q1 AMC1305M25-Q1 Texas Instruments 半导体 隔离器 汽车电子 应用认证 具有符合 aec-q100 的下列结果: 温度等级 1:-40°C 至 +125°C 人体放电模式 (hbm) 静电放电 (esd) 分类等级 2 组件充电模式 (cdm) esd 分类等级 C6 与以下器件引脚兼容的系列: 输入电压范围为 ±50mv 或 ±250mv 互补金属氧化物半导体 (cmos) 或低压差分信令 (lvds) 数字接口选项 出色的直流性能: 偏移误差:±50µV 或 ±150µV(最大值) 偏移漂移:1.3µV/°C(最大值) 增益误差:±0.3%(最大值) 增益漂移:±40ppm/°C(最大值) 安全相关认证: 7000 vpk 增强型隔离,符合 din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10): 2006-12 标准 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5000 vrms 隔离 can/csa No. 5A 组件验收服务通知 瞬态抗扰度:15kv/µs(最小值) 高电磁场抗扰度 (请参见应用手册 slla181a5mhz20mhz 外部时钟输入
Image:       AMC1304M25-Q1 AMC1304M25-Q1 Texas Instruments 半导体 隔离器 汽车电子 应用认证 具有符合 aec-Q100 的下列结果: 温度等级 1:-40°C 至 +125°C 人体放电模式 (hbm) 静电放电 (esd) 分类等级 2 组件充电模式 (cdm) esd 分类等级 C6 与以下器件引脚兼容的系列: 输入电压范围为 ±50mv 或 ±250mv cmoslvds 数字接口选项 出色的直流性能: 偏移误差:±50µV 或 ±100µV(最大值) 偏移漂移:1.3µV/°C(最大值) 增益误差:±0.2% 或 ±0.3%(最大值) 增益漂移:±40ppm/°C(最大值) 安全相关认证: 7000 vpk 增强型隔离,符合 din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10): 2006-12 标准 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5000 vrms 隔离 can/csa No. 5A 组件验收服务通知 瞬态抗扰度:15kv/µs(最小值) 高电磁场抗扰度 (请参见应用手册 slla181a5mhz20mhz 外部时钟输入 18v 片载低压降 (ldo) 稳压器
Image:          AMC1304M05-Q1 AMC1304M05-Q1 Texas Instruments 半导体 隔离器 汽车电子 应用认证 具有符合 aec-Q100 的下列结果: 温度等级 1:-40°C 至 +125°C 人体放电模式 (hbm) 静电放电 (esd) 分类等级 2 组件充电模式 (cdm) esd 分类等级 C6 与以下器件引脚兼容的系列: 输入电压范围为 ±50mv 或 ±250mv cmoslvds 数字接口选项 出色的直流性能: 偏移误差:±50µV 或 ±100µV(最大值) 偏移漂移:1.3µV/°C(最大值) 增益误差:±0.2% 或 ±0.3%(最大值) 增益漂移:±40ppm/°C(最大值) 安全相关认证: 7000 vpk 增强型隔离,符合 din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10): 2006-12 标准 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5000 vrms 隔离 can/csa No. 5A 组件验收服务通知 瞬态抗扰度:15kv/µs(最小值) 高电磁场抗扰度 (请参见应用手册 slla181a5mhz20mhz 外部时钟输入 18v 片载低压降 (ldo) 稳压器
Image:        AMC1304L05-Q1 AMC1304L05-Q1 Texas Instruments 半导体 隔离器 汽车电子 应用认证 具有符合 aec-Q100 的下列结果: 温度等级 1:-40°C 至 +125°C 人体放电模式 (hbm) 静电放电 (esd) 分类等级 2 组件充电模式 (cdm) esd 分类等级 C6 与以下器件引脚兼容的系列: 输入电压范围为 ±50mv 或 ±250mv cmoslvds 数字接口选项 出色的直流性能: 偏移误差:±50µV 或 ±100µV(最大值) 偏移漂移:1.3µV/°C(最大值) 增益误差:±0.2% 或 ±0.3%(最大值) 增益漂移:±40ppm/°C(最大值) 安全相关认证: 7000 vpk 增强型隔离,符合 din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10): 2006-12 标准 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5000 vrms 隔离 can/csa No. 5A 组件验收服务通知 瞬态抗扰度:15kv/µs(最小值) 高电磁场抗扰度 (请参见应用手册 slla181a5mhz20mhz 外部时钟输入 18v 片载低压降 (ldo) 稳压器
Image:       AMC1305M05-Q1 AMC1305M05-Q1 Texas Instruments 半导体 隔离器 汽车电子 应用认证 具有符合 aec-q100 的下列结果: 温度等级 1:-40°C 至 +125°C 人体放电模式 (hbm) 静电放电 (esd) 分类等级 2 组件充电模式 (cdm) esd 分类等级 C6 与以下器件引脚兼容的系列: 输入电压范围为 ±50mv 或 ±250mv 互补金属氧化物半导体 (cmos) 或低压差分信令 (lvds) 数字接口选项 出色的直流性能: 偏移误差:±50µV 或 ±150µV(最大值) 偏移漂移:1.3µV/°C(最大值) 增益误差:±0.3%(最大值) 增益漂移:±40ppm/°C(最大值) 安全相关认证: 7000 vpk 增强型隔离,符合 din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10): 2006-12 标准 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5000 vrms 隔离 can/csa No. 5A 组件验收服务通知 瞬态抗扰度:15kv/µs(最小值) 高电磁场抗扰度 (请参见应用手册 slla181a5mhz20mhz 外部时钟输入
Image:        AMC1305L25 AMC1305L25 Texas Instruments 半导体 隔离器 针对基于分流电阻的电流测量进行优化的引脚兼容系列: 输入电压范围为 ±50mv 或 ±250mv 互补金属氧化物半导体 (cmos) 或低压差分信令 (lvds) 数字接口选项 出色的直流性能,支持系统级高精度感测: 偏移误差:±50µV 或 ±150µV(最大值) 偏移漂移:1.3µV/°C(最大值) 增益误差:±0.3%(最大值) 增益漂移:±40ppm/°C(最大值) 安全相关认证: 7000 vpk 增强型隔离,符合 din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10): 2006-12 标准 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5000 vrms 隔离 can/csa No. 5A 组件接受服务通知、iec 60950-1 和 iec 60065 终端设备标准 瞬态抗扰度:15kv/µs(最小值) 高电磁场抗扰度 (请参见应用手册 slla181a) 外部 5mhz20mhz 时钟输入 可更加轻松地实现系统级同步 可在扩展工业温度范围内运行
Image:      AMC1305M25 AMC1305M25 Texas Instruments 半导体 隔离器 针对基于分流电阻的电流测量进行优化的引脚兼容系列: 输入电压范围为 ±50mv 或 ±250mv 互补金属氧化物半导体 (cmos) 或低压差分信令 (lvds) 数字接口选项 出色的直流性能,支持系统级高精度感测: 偏移误差:±50µV 或 ±150µV(最大值) 偏移漂移:1.3µV/°C(最大值) 增益误差:±0.3%(最大值) 增益漂移:±40ppm/°C(最大值) 安全相关认证: 7000 vpk 增强型隔离,符合 din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10): 2006-12 标准 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5000 vrms 隔离 can/csa No. 5A 组件接受服务通知、iec 60950-1 和 iec 60065 终端设备标准 瞬态抗扰度:15kv/µs(最小值) 高电磁场抗扰度 (请参见应用手册 slla181a) 外部 5mhz20mhz 时钟输入 可更加轻松地实现系统级同步 可在扩展工业温度范围内运行