关键词1ns
- 标准
图片 | 型号 | 厂商 | 标准 | 分类 | 描述 |
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2020 | Data Delay Devices, Inc. | fixed sip delay line TR < 1ns | |||
3010 | Data Delay Devices, Inc. | voltage-variable delay line TR < 1ns | |||
UCC27282-Q1 | Texas Instruments | 半导体 功率驱动器 | 具有符合 aec-q100 标准的下列特性: 器件温度 1 级 器件 hbm esd 分类等级 1B 器件 cdm esd 分类等级 C3 可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 mosfet 5V 典型欠压锁定 输入互锁 在 drc 封装中启用/禁用功能 16ns 典型传播延迟 1.8nf 负载时的上升时间为 12ns,下降时间为 10ns 1ns 典型延迟匹配 输入上的 5V 负电压处理 HS 上的 14v 负电压处理 3.5A 灌电流,2.5A 拉电流输出 绝对最大启动电压为 120v 禁用时消耗的电流很低 (7µA) 集成的自举二极管 额定结温范围为 –40°C 至 150°C | ||
LM5108 | Texas Instruments | 半导体 功率驱动器 | 可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 mosfet 采用 3mm × 3mm 封装 互锁或跨导保护 启用/禁用功能 HS 引脚上的绝对最大负电压处理能力 (-5V) 5V 典型欠压锁定 20ns 典型传播延迟 1000pf 负载时的上升时间为 11ns,下降时间典型值为 8ns 1ns 典型延迟匹配 2.6A 灌电流,1.6A 拉电流输出 绝对最大启动电压为 110v 禁用时消耗的电流很低 (7µA) 集成式自举二极管 | ||
UCC27282 | Texas Instruments | 半导体 功率驱动器 | 可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 mosfet 5V 典型欠压锁定 输入互锁 启用/禁用功能 16ns 典型传播延迟 1800pf 负载时的上升时间为 12ns,下降时间典型值为 10ns 1ns 典型延迟匹配 输入引脚上接受的绝对最大负电压为 –5V HS 引脚上接受的绝对最大负电压为 –14v 3.5A 灌电流,2.5A 拉电流输出 绝对最大启动电压为 120v 禁用时消耗的电流很低 (7µA) 集成自举二极管 额定结温范围为 –40°C 至 140°C | ||
UCC27282 | Texas Instruments | 机电产品 电机与驱动器 | 可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 mosfet 5V 典型欠压锁定 输入互锁 启用/禁用功能 16ns 典型传播延迟 1800pf 负载时的上升时间为 12ns,下降时间典型值为 10ns 1ns 典型延迟匹配 输入引脚上接受的绝对最大负电压为 –5V HS 引脚上接受的绝对最大负电压为 –14v 3.5A 灌电流,2.5A 拉电流输出 绝对最大启动电压为 120v 禁用时消耗的电流很低 (7µA) 集成自举二极管 额定结温范围为 –40°C 至 140°C |