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图片 | 型号 | 厂商 | 标准 | 分类 | 描述 |
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1SS379TE85LF | Toshiba | 半导体 分离式半导体 | rectifiers VF 1.0V IR 0.1na CT CT 3.0pf 85 vrm | ||
MLESD12A-0402-TP | Micro Commercial Components (MCC) | 电路保护 ESD 抑制器 | esd suppressors 20v,.1na | ||
2N4392 | Vishay Siliconix | 半导体 JFET(结点场效应 | mosfet N-CH 40v .1na TO-18 | ||
2N4392-E3 | Vishay Siliconix | 半导体 JFET(结点场效应 | mosfet N-CH 40v .1na TO-18 | ||
2N4393 | Vishay Siliconix | 半导体 JFET(结点场效应 | mosfet N-CH 40v .1na TO-18 | ||
2N4391 | Vishay Siliconix | 半导体 JFET(结点场效应 | mosfet N-CH 40v .1na TO-18 | ||
2N4391-2 | Vishay Siliconix | 半导体 JFET(结点场效应 | mosfet N-CH 40v .1na TO-18 | ||
2N4391-E3 | Vishay Siliconix | 半导体 JFET(结点场效应 | mosfet N-CH 40v .1na TO-18 | ||
2N4392-2 | Vishay Siliconix | 半导体 JFET(结点场效应 | mosfet N-CH 40v .1na TO-18 | ||
2N4393-2 | Vishay Siliconix | 半导体 JFET(结点场效应 | mosfet N-CH 40v .1na TO-18 |