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Image: STTH1202 STTH1202 STMicroelectronics 半导体 二极管/齐纳阵列 stth1202采用了ST公司新的200v平面铂掺杂技术，特别适用于开关模式基极驱动和晶体管电路。 该装置封装在TO-220ac、TO-220fPAC和TO-220ac ins中，用于低压、高频逆变器、自由轮和极性保护。 主要特性 非常低的传导损耗 正向和反向恢复时间较短 可忽略的开关损耗 绝缘组件TO-220f电气绝缘1500 vrmsTO-220ac绝缘2500 vrms 结温高
Image: ISL6566CRZA-T ISL6566CRZA-T Intersil Corporation 半导体 three-phase buck pwm controller with integrated mosfet drivers for vrm9, vrm10, and amd hammer applications
Image: ISL6568CRZAR5184 ISL6568CRZAR5184 Intersil Corporation two-phase buck pwm controller with integrated mosfet drivers for vrm9, vrm10, and amd hammer applications
Image: LTC3738 LTC3738 Linear Technology 集成电路 3-phase buck controller for intel vrm9/vrm10 with active voltage positioning
Image: ISL6566 ISL6566 Intersil Corporation 半导体 three-phase buck pwm controller with integrated mosfet drivers for vrm9, vrm10, and amd hammer applications
Image: ISL6566CRZA ISL6566CRZA Intersil Corporation 半导体 three-phase buck pwm controller with integrated mosfet drivers for vrm9, vrm10, and amd hammer applications
Image: ISL6568 ISL6568 Intersil Corporation 集成电路 two-phase buck pwm controller with integrated mosfet drivers for vrm9, vrm10, and amd hammer applications
Image: ISL6566CRR5184 ISL6566CRR5184 Intersil Corporation three-phase buck pwm controller with integrated mosfet drivers for vrm9, vrm10, and amd hammer applications
Image: ISL6566CR-TR5184 ISL6566CR-TR5184 Intersil Corporation three-phase buck pwm controller with integrated mosfet drivers for vrm9, vrm10, and amd hammer applications
Image: ISL6568CRR5184 ISL6568CRR5184 Intersil Corporation two-phase buck pwm controller with integrated mosfet drivers for vrm9, vrm10, and amd hammer applications
Image: ISL6568CR-TR5184 ISL6568CR-TR5184 Intersil Corporation two-phase buck pwm controller with integrated mosfet drivers for vrm9, vrm10, and amd hammer applications
Image: ISL6568CRZA-TR5184 ISL6568CRZA-TR5184 Intersil Corporation two-phase buck pwm controller with integrated mosfet drivers for vrm9, vrm10, and amd hammer applications
Image: 75730-0108 75730-0108 Molex 连接器 板对板与夹层连接器 board to board & mezzanine connectors assembly vrm header vrm header 4mm 8 ckt
Image: MAX5037A MAX5037A Maxim Integrated vrm 9.0/vrm 9.1. dual-phase. parallelable. average-current-mode controller
Image: ISO1050 ISO1050 Texas Instruments 光电子 光纤 - 收发器 满足 iso11898-2 的要求 5000 vrms隔离(iso1050dw) 2500 vrms隔离 故障安全输出 低环路延迟：150ns（典型值），210ns（最大值） 50kv/µs 瞬态抗扰度，典型值 -27v 至 40v 的总线故障保护 驱动器 (txd) 主导超时功能 I/O 电压范围支持 3.3V 和 5V 微处理器 符合 din V vde V 0884-10 (vde V 0884-1
Image: ISO6741 ISO6741 Texas Instruments 半导体 隔离器 50 mbps数据速率 坚固的隔离屏障： 在1060 vrms工作电压下的高寿命 高达5000 vrms的隔离等级 高达10 kV浪涌能力 ±75 kV/µs典型cmti 宽电源范围：1.71 V至1.89 V和2.25 V至5.5 V 1.71 V至5.5 V电平转换 默认输出高（iso674x）和低（iso674xF）选项 温度范围广：–40°C至125°C 1 mbps时，每个通道1.6 mA 低传播延迟：11 ns典型值 强大的电磁兼容性（emc） 系统级esd、eft和浪涌抗扰度 ±8 kV iec 61000-4-2隔离栅接触放电保护 低排放 宽soic（DW-16）封装 安全相关认证（待定）： din V vde 0884-11:2017-01 UL 1577部件识别程序
Image: ISO6741-Q1 ISO6741-Q1 Texas Instruments 半导体 隔离器 aec-q100符合以下结果： 设备温度等级1：–40°C至+125°C环境工作温度范围 满足vda320隔离要求 50 mbps数据速率 坚固的隔离屏障： 在1060 vrms工作电压下的高寿命 高达5000 vrms的隔离等级 高达10 kV浪涌能力 ±75 kV/µs典型cmti 宽电源范围：1.71 V至1.89 V和2.25 V至5.5 V 1.71 V至5.5 V电平转换 默认输出高（iso674x）和低（iso674xF）选项 1 mbps时，每个通道1.6 mA 低传播延迟：11 ns典型值 强大的电磁兼容性（emc） 系统级esd、eft和浪涌抗扰度 ±8 kV iec 61000-4-2隔离栅接触放电保护 低排放
Image: ISO6721 ISO6721 Texas Instruments 半导体 隔离器 50 mbps数据速率 坚固的隔离屏障： 450 vrms工作电压下的高寿命 高达3000 vrms的隔离等级 ±75 kV/µs典型cmti 宽电源范围：1.71 V至1.89 V和2.25 V至5.5 V 1.71-V至5.5-V电平转换 默认输出高（iso6721b）和低（iso6721fb）选项 宽温度范围：-40°C至+125°C 1 mbps时，每个通道1.8 mA 低传播延迟：11 ns典型值 强大的电磁兼容性（emc） 系统级esd、eft和浪涌抗扰度 ±8 kV iec 61000-4-2隔离栅接触放电保护 低排放
Image: ISO6721-Q1 ISO6721-Q1 Texas Instruments 半导体 隔离器 50 mbps数据速率 坚固的隔离屏障： 450 vrms工作电压下的高寿命 高达3000 vrms的隔离等级 ±75 kV/µs典型cmti 宽电源范围：1.71 V至1.89 V和2.25 V至5.5 V 1.71-V至5.5-V电平转换 默认输出高（iso6721b）和低（iso6721fb）选项 宽温度范围：-40°C至+125°C 1 mbps时，每个通道1.8 mA 低传播延迟：11 ns典型值 aec-q100符合以下结果： 设备温度等级1：–40°C至+125°C环境工作温度范围 满足vda320隔离要求 强大的电磁兼容性（emc） 系统级esd、eft和浪涌抗扰度
Image: THS4521-HT THS4521-HT Texas Instruments 传感器，变送器 放大器 全差分架构 带宽： 40.7 mhz (210°C) 转换速率： 353.5 V/μs (210°C) hd2: –96 dbc，在 1 khz (1 vrms, RL = 1 kΩ) (210°C) hd3: –91.5 dbc，在 1 khz (1 vrms, RL = 1 kΩ) (210°C) 输入电压噪声： 19.95 nV/√Hz (f = 100 khz) 开环增益： 90 dB （典型值）(210°C) nri—负轨输入 rro—轨至轨输出 输出共模控制 （具有低失调及低漂移） 电源 电压： 2.5 V (±1.25 V) 至 3.3 V (±1.65 V) 电流：每通道 1.4 mA （在 3.3 V 电压下） 断电能力： 10 µA （典型值）(210°C)

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