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Image: EH1500SJTS-1MHZ EH1500SJTS-1MHZ Ecliptek 无源元器件 频率控制器和定时装置 standard clock oscillators 1mhz
Image: BD9V101MUF-LB BD9V101MUF-LB Rohm Semiconductor 电源 电源管理 IC 16v〜60v，1A 1ch 2.1mhz适用于车载系统的内置mosfet同步降压转换器__bd9v101muf.html'>bd9v101muf-LB 这是产品保证在工业市场上长期的支持。_bd9v101muf.html'>bd9v101muf-LB是集成了高额定电压功率mosfet的电流模式同步降压转换器。16v至60v的宽范围输入以及极短的最小脉冲宽度（低至20ns），可通过nano pulse control™在2.1mhz操作下从60v电源直接转换为3.3V。
Image: MPQ2122 MPQ2122 Monolithic Power Systems (MPS) 电源 电源管理 IC 详情 mpq2122 是一款含有内部补偿功能的 1mhz 定频双路 pwm 同步降压调节器。mpq2122 可在 2.7V 至 6V 输入电压范围内实现低至 0.608v 的输出电压，并具有 45µA 静态电流，是单节锂离子（Li+）电池供电便携式产品的理想之选。 mpq2122 集成了双路 80mΩ 上管和 35mΩ 同步整流器，无需外接肖特基二极管，因此更高效。峰值电流控制模式和内部补偿最大限度地减少了现有外部元器件的使用数量。 故障保护包括逐周期限流保护和过温关断保护。 mpq2122 采用小型 8-pin tsot23-8 封装 详情 mpq2122 是一款含有内部补偿功能的 1mhz 定频双路 pwm 同步降压调节器。mpq2122 可在 2.7V 至 6V 输入电压范围内实现低至 0.608v 的输出电压，并具有 45µA 静态电流，是单节锂离子（Li+）电池供电便携式产品的理想之选。 mpq2122 集成了双路 80mΩ 上管和 35mΩ 同步整流器，无需外接肖特基二极管，因此更高效。峰值电流控制模式和内部补偿最大限度地减少了现有外部元器件的使用数量。 故障保护包括逐周期限流保护和过温关断保护。 mpq2122 采用小型 8-pin tsot23-8 封装
Image: MP8760D MP8760D Monolithic Power Systems (MPS) 电源 电源管理 IC 详情 mp8760d 是一款全集成高频同步整流降压开关模式变换器。它提供非常紧凑的解决方案，在宽输入范围内可实现 6A 的输出电流，具有极好的负载和线性调整率。mp8760d 在宽输出电流负载范围内可高效工作。 mp8760d 采用的恒定导通时间（cot）控制模式可提供快速瞬态响应，并使环路更易稳定。 外部电阻可对 200khz 至 1mhz 范围内的工作频率进行编程，且当输入电压随前馈补偿而变化时，该频率几乎保持不变。 默认欠压锁定阈值在内部设置为小于 4.1V，但使能引脚上的电阻网络可增加该阈值。漏级开路结构的输出指示（PG）引脚，可指示输出是否在正常范围内。 mp8760d 采用可编程的软启动和关断方案。它具有软关断特性，当使能信号被丢弃时，输出电压平稳地放电。 它集成了全方位保护功能，包括过流保护、过压保护和过温关断保护。 mp8760d 最大限度地减少了现有标准外部部件的使用，采用 3mm×4mm 封装。 详情 mp8760d 是一款全集成高频同步整流降压开关模式变换器。它提供非常紧凑的解决方案，在宽输入范围内可实现 6A 的输出电流，具有极好的负载和线性调整率。mp8760d 在宽输出电流负载范围内可高效工作。 mp8760d 采用的恒定导通时间（cot）控制模式可提供快速瞬态响应，并使环路更易稳定。 外部电阻可对 200khz 至 1mhz 范围内的工作频率进行编程，且当输入电压随前馈补偿而变化时，该频率几乎保持不变。 默认欠压锁定阈值在内部设置为小于 4.1V，但使能引脚上的电阻网络可增加该阈值。漏级开路结构的输出指示（PG）引脚，可指示输出是否在正常范围内。 mp8760d 采用可编程的软启动和关断方案。它具有软关断特性，当使能信号被丢弃时，输出电压平稳地放电。 它集成了全方位保护功能，包括过流保护、过压保护和过温关断保护。 mp8760d 最大限度地减少了现有标准外部部件的使用，采用 3mm×4mm 封装。
Image: LMH6639-MIL LMH6639-MIL Texas Instruments 半导体 晶体管 (v s = 5v，标准值，除非另有规定)供电电流(空载)3.6正交电流(关模)400 a 输出电阻(闭环1mhz)0.186-3db bw (a v = 1)190db 稳定时间33nsecinput 共模电压 -0.2 v 至4voutput 电压摆幅40mv 从铁路线性输出电流110matotal 谐波失真 -60dbcfully 特征为3v,5v 和 ± 5vno 输出相位反转，输出相位反转指数在0.045 ° 以上，超驱回复率1mhz-70dbmr 差动增益0.12% ，相位差0.045 °
Image: SMS3940-029LF SMS3940-029LF Skyworks Solutions Inc 半导体 分离式半导体 schottky diodes & rectifiers .5ppf max @ 0V 1mhz crossover quad
Image: SMS7621-060 SMS7621-060 Skyworks Solutions Inc 半导体 分离式半导体 schottky diodes & rectifiers .18pf max 0V 1mhz
Image: SMS3928-023LF SMS3928-023LF Skyworks Solutions Inc 半导体 分离式半导体 schottky diodes & rectifiers Cj @ 0V,1mhz .3-.5pf Rt @10ma=8 ohms
Image: SMS3930-021LF SMS3930-021LF Skyworks Solutions Inc 半导体 分离式半导体 schottky diodes & rectifiers Cj @ 0V,1mhz .3-.5pf Rt @10ma=8 ohms
Image: SMS3926-022LF SMS3926-022LF Skyworks Solutions Inc 半导体 分离式半导体 schottky diodes & rectifiers Cj @ 0V,1mhz .3-.5pf Rt @10ma=8 ohms
Image: SMS3929-021LF SMS3929-021LF Skyworks Solutions Inc 半导体 分离式半导体 schottky diodes & rectifiers Cj @ 0V,1mhz .3-.5pf Rt @10ma=8 ohms
Image: RN1416,LF RN1416,LF Toshiba 半导体 分离式半导体 transistors switching - resistor biased S-mini pln transist Pd=200mw F=1mhz
Image: RN1305,LF RN1305,LF Toshiba 半导体 分离式半导体 transistors switching - resistor biased usm pln transistor Pd=100mw F=1mhz
Image: HN1A01FU-Y,LF HN1A01FU-Y,LF Toshiba 半导体 分离式半导体 transistors bipolar - bjt us6 pln transistor Pd=200mw F=1mhz
Image: RN1302,LF RN1302,LF Toshiba 半导体 分离式半导体 transistors switching - resistor biased usm pln transistor Pd=100mw F=1mhz
Image: RN1105MFV,L3F RN1105MFV,L3F Toshiba 半导体 分离式半导体 transistors switching - resistor biased vesm pln transistor Pd 150mw F 1mhz
Image: SSM6N7002BFE,LM SSM6N7002BFE,LM Toshiba 半导体 分离式半导体 mosFET es6 S-mos trstr Pd: 0.15w F: 1mhz
Image: SSM6H19NU,LF SSM6H19NU,LF Toshiba 半导体 分离式半导体 mosFET udfn6 S-mos trstr Pd: 0.5W F: 1mhz
Image: SSM3K123TU,LF SSM3K123TU,LF Toshiba 半导体 分离式半导体 mosFET ufm S-mos Pd: 0.8W F: 1mhz
Image: SSM6K781G,LF SSM6K781G,LF Toshiba 半导体 分离式半导体 mosFET wcsp6c S-mos trstr Pd=0mw F=1mhz

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