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型号
厂商
标准
分类
描述
B88069X0340T502
EPCOS Inc
电路保护
气体放电管 - GDT /气体等离子体避雷器
gas
discharge
tubes
-
gdts
/
gas
plasma
arrestors
fs08x
-
1gh
B88069X0340T103
EPCOS Inc
电路保护
气体放电管 - GDT /气体等离子体避雷器
gas
discharge
tubes
-
gdts
/
gas
plasma
arrestors
fs08x
-
1gh
B88069X340T502
EPCOS Inc
电路保护
气体放电管避雷器 (GDT)
fs08x
-
1gh
B88069X340T103
EPCOS Inc
电路保护
气体放电管避雷器 (GDT)
fs08x
-
1gh
LE80536VC001512
Intel
集成电路
嵌入式 - 微处理器
IC
proc
celeron
M
ulv
1gh
479bga
WE904
ETC
0.1 -
1ghx
single
chip
FM
transceiver
WE905
ETC
0.1 -
1ghx
single
chip
FM
transceiver
AMT75
Tektronix
测试和测量
LAN/电信/电缆测试
lan
/电信/电缆测试
adapter
1ghz
75-50
ohms
,
1ghz
i.MX RT1170
NXP Semiconductors
集成电路
嵌入式 - 微控制器或微处理器模块
i.MX
rt1170
交叉
mcu
将速度记录设置为
1ghz
。这个突破性的系列将卓越的计算能力和多种媒体功能与易用性和实时功能结合在一起。双核i.MX
rt1170
在
arm
上运行®的
cortex
®为
1ghz
和的
arm
cortex
-M4为
400mhz
-M7核心,同时提供最佳的一流的安全性。i.MX
rt1170
mcu
在广泛的温度范围内提供支持,并符合消费,工业和汽车市场的要求。
CGHV35150F
Cree Inc
半导体
分离式半导体
transistors
RF
jfet
2.9-3.
5ghz
150w
gan
gain
@3.
1ghz
13.
3db
LET9060
STMicroelectronics
半导体
分离式半导体
trans
istors RF
mosfet
RF
pwr
trans
ldmost
N-Ch
28v
1ghz
esd
LET9060S
STMicroelectronics
半导体
分离式半导体
trans
istors RF
mosfet
RF
pwr
trans
ldmost
N-Ch
28v
1ghz
esd
LET9060TR
STMicroelectronics
半导体
分离式半导体
trans
istors RF
mosfet
RF
pwr
trans
ldmost
N-Ch
28v
1ghz
esd
LET9045S
STMicroelectronics
半导体
分离式半导体
trans
istors RF
mosfet
RF
pwr
trans
ldmost
N-Ch
28v
1ghz
esd
LET9060STR
STMicroelectronics
半导体
分离式半导体
trans
istors RF
mosfet
RF
pwr
trans
ldmost
N-Ch
28v
1ghz
esd
LET9045
STMicroelectronics
半导体
分离式半导体
trans
istors RF
mosfet
RF
pwr
trans
ldmost
N-Ch
28v
1ghz
esd
BLF6H10L-160,112
NXP Semiconductors
半导体
分离式半导体
transistors
RF
mosfet
700
-
1ghz
104v
20db
BFS17W,115
NXP Semiconductors
半导体
分离式半导体
transistors
RF
bipolar
npn
15v
1ghz
BFS17,215
NXP Semiconductors
半导体
分离式半导体
transistors
RF
bipolar
npn
25ma
15v
1ghz
MAGX-002731-100L00
MACOM
半导体
分离式半导体
transistors
RF
jfet
2.7-3.
1ghz
50volt
100w
Pk
gain
12db
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