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    Image: PD54008-PD54008S PD54008-PD54008S STMicroelectronics RF power transistors the ldmost plastic family
    Image: PD54008-E PD54008-E STMicroelectronics 半导体 分离式半导体 transistors RF mosfet RF pwr transistors ldmost plastic N Ch
    Image: PD54008 PD54008 STMicroelectronics 半导体 RF FET IC trans RF pwr ldmost pwrSO-10
    Image: PD54008-E PD54008-E STMicroelectronics 半导体 晶体管 该器件是一种共源N沟道增强型横向场效应射频功率晶体管。它是为高增益，宽带商业和工业应用而设计的。它以7伏的共源模式工作，频率高达1千兆赫。该器件拥有ST最新ldmos技术的优异增益、线性度和可靠性，该技术安装在第一个真正的smd塑料射频功率组件powerso-10rf中。该设备优越的线性性能使其成为便携式无线电的理想解决方案。 powerso-10塑料封装，旨在提供高可靠性，是ST-jedec批准的第一个大功率贴片封装。它专门针对射频需求进行了优化，提供了出色的射频性能和易于组装。
    Image: PD54008L-E PD54008L-E STMicroelectronics 半导体 分离式半导体 transistors RF mosfet power RF transistor
    Image: PD54008S-E PD54008S-E STMicroelectronics 半导体 分离式半导体 transistors RF mosfet power R.F.
    Image: PD54008TR-E PD54008TR-E STMicroelectronics 半导体 分离式半导体 transistors RF mosfet N-Ch, 25v 5A 3pin transistor, ldmost
    Image: PD54008L PD54008L STMicroelectronics 半导体 RF mosfet 功率 N-Ch 25 volt 5 amp
    Image: PD54008S-E-E PD54008S-E-E STMicroelectronics RF power transistor, ldmost plastic family N-channel enhancement-mode, lateral mosfets
    Image: PD54008S PD54008S STMicroelectronics 半导体 RF power transistors the ldmost plastic family
    Image: PD54008L-E PD54008L-E STMicroelectronics 半导体 晶体管 PD54008L-E是一种共源N沟道增强型横向场效应射频功率晶体管。它是为高增益，宽带商业和工业应用而设计的。它以7伏的共源模式工作，频率高达1千兆赫。PD54008L-E拥有sth1lv最新ldmos技术的卓越增益、线性度和可靠性，安装在创新的无铅smd塑料封装中，powerflat™. pde-540是便携式无线电性能的理想解决方案。

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