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    Image: AM29LV200BT-90DRC AM29LV200BT-90DRC Advanced Micro Devices 2 Megabit (256 K x 8-bit/128 K x 16-bit) cmos 3.0 volt-only, boot sector flash memory, die revison 1
    Image: AM29LV200BB-60RDRC AM29LV200BB-60RDRC Advanced Micro Devices 2 Megabit (256 K x 8-bit/128 K x 16-bit) cmos 3.0 volt-only, boot sector flash memory, die revison 1
    Image: TPS61050DRC TPS61050DRC Texas Instruments 半导体 1.2-A high power white led driver 2-mhz synchronous boost converter with i2c compatible interface
    Image: TPS61052DRC TPS61052DRC Texas Instruments 半导体 1.2-A high power white led driver 2-mhz synchronous boost converter with i2c compatible interface
    Image: TPS61026DRC TPS61026DRC Texas Instruments 半导体 96% efficient synchronous boost converter
    Image: TPS61028DRC TPS61028DRC Texas Instruments 半导体 96% efficient synchronous boost converter
    Image: TPS61059DRC TPS61059DRC Texas Instruments 集成电路 synchronous boost converter with down mode high power white led driver
    Image: TPS62304DRC TPS62304DRC Texas Instruments 半导体 500-mA, 3-mhz synchronous step-down converter IN chip scale packaging
    Image: HPA02316MDCAR HPA02316MDCAR Texas Instruments tas5721 digital audio power amplifier with EQ, drc, 2.1 support, and headphone/line driver datasheet (rev. A)
    Image: HPA00910YZFR HPA00910YZFR Texas Instruments tpa2028d1 3-W mono class-D audio amplifier with fast gain ramp Smartgain鈩?agc/drc datasheet (rev. C)
    Image: UCC27282-Q1 UCC27282-Q1 Texas Instruments 半导体 功率驱动器 具有符合 aec-q100 标准的下列特性： 器件温度 1 级 器件 hbm esd 分类等级 1B 器件 cdm esd 分类等级 C3 可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 mosfet 5V 典型欠压锁定 输入互锁 在 drc 封装中启用/禁用功能 16ns 典型传播延迟 1.8nf 负载时的上升时间为 12ns，下降时间为 10ns 1ns 典型延迟匹配 输入上的 5V 负电压处理 HS 上的 14v 负电压处理 3.5A 灌电流，2.5A 拉电流输出 绝对最大启动电压为 120v 禁用时消耗的电流很低 (7µA) 集成的自举二极管 额定结温范围为 –40°C 至 150°C

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