信息提示：
赞 - CSD19503KCS！
 |
Texas Instruments 
Datasheet下载地址
| 本地下载 >> 厂商下载2 >> 第三方平台下载 >> |
CSD19503KCS的详细信息
| Manufacturer： | Texas Instruments |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 80 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 100 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 8.8 mOhms |
| Configuration： | Single |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 2.8 V |
| Qg - Gate Charge： | 28 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation： | 188 W |
| Mounting Style： | Through Hole |
| Package / Case： | TO-220-3 |
| Packaging： | Tube |
| Brand： | Texas Instruments |
| Channel Mode： | Enhancement |
| Fall Time： | 2 ns |
| Forward Transconductance - Min： | 110 S |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 3 ns |
| Series： | CSD19503KCS |
| Factory Pack Quantity： | 50 |
| Tradename： | NexFET |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 11 ns |
CSD19503KCS相关文档
- Function Diagram: alt_slps479
CSD19503KCS应用笔记
扫码手机查看更方便
同类器件
