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| 型号： | BLF8G10L-160,112 |
| 厂商： |
 NXP Semiconductors |
| 标准： |   |
| 分类： | 半导体 ， 分离式半导体 |
| 描述： | transistors RF mosfet pwr ldmos transistor |
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Datasheet下载地址
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BLF8G10L-160,112的详细信息
| Manufacturer： | NXP |
|---|---|
| Product Category： | Transistors RF MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Configuration： | Single |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Frequency： | 920 MHz to 960 MHz |
| Gain： | 19.7 dB |
| Output Power： | 35 W |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 65 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 37 A |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 13 V |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | SOT-502A |
| Packaging： | Tube |
| Brand： | NXP Semiconductors |
| Factory Pack Quantity： | 20 |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 2 V |
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- Mounting and soldering: Fatigue in aluminum bond wires (v.1.0)
- Application note: Mounting and Soldering of RF transistors (v.1.0)
- Leaflet: Gen8: the next generation of LDMOS RF power for wireless infrastructures (v.1.0)
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