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| 型号： | PBSS4160PAN,115 |
| 厂商： |
 NXP Semiconductors |
| 标准： |   |
| 分类： | 半导体 ， 分离式半导体 |
| 描述： | transistors bipolar - bjt 60v 1A npn/pnp lo vcesat transistor |
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Datasheet下载地址
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PBSS4160PAN,115的详细信息
| Manufacturer： | NXP |
|---|---|
| Product Category： | Transistors Bipolar - BJT |
| RoHS： | Yes |
| Configuration： | Dual |
| Transistor Polarity： | NPN/PNP |
| Collector- Base Voltage VCBO： | 60 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max： | 60 V |
| Emitter- Base Voltage VEBO： | 7 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage： | 90 mV |
| Maximum DC Collector Current： | 1.5 A |
| Gain Bandwidth Product fT： | 175 MHz |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | DFN2020-6 |
| Brand： | NXP Semiconductors |
| Continuous Collector Current： | 1 A |
| DC Collector/Base Gain hfe Min： | 290 |
| DC Current Gain hFE Max： | 430 |
| Maximum Power Dissipation： | 1450 mW |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Packaging： | Reel |
| Factory Pack Quantity： | 3000 |
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