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Infineon Technologies 
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IKW75N60T的详细信息
| Manufacturer： | Infineon |
|---|---|
| Product Category： | IGBT Transistors |
| RoHS： | Yes |
| Brand： | Infineon Technologies |
| Configuration： | Single |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max： | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage： | 1.9 V |
| Maximum Gate Emitter Voltage： | +/- 20 V |
| Continuous Collector Current at 25 C： | 80 A |
| Gate-Emitter Leakage Current： | 100 nA |
| Power Dissipation： | 428 W |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Package / Case： | TO-247-3 |
| Packaging： | Tube |
| Continuous Collector Current Ic Max： | 80 A |
| Minimum Operating Temperature： | - 40 C |
| Mounting Style： | Through Hole |
| Series： | IKW75N60 |
| Factory Pack Quantity： | 240 |
| Part # Aliases： | IKW75N60TFKSA1 SP000054889 |
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