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赞 - BCW68GE6327！
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| 型号： | BCW 68G E6327 |
| 厂商： |
 Infineon Technologies |
| 标准： |   |
| 分类： | 半导体 ， 分离式半导体 |
| 描述： | transistors bipolar - bjt pnp silicon AF transistor |
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Datasheet下载地址
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BCW 68G E6327的详细信息
| Manufacturer： | Infineon |
|---|---|
| Product Category： | Transistors Bipolar - BJT |
| RoHS： | Yes |
| Brand： | Infineon Technologies |
| Configuration： | Single |
| Transistor Polarity： | PNP |
| Collector- Base Voltage VCBO： | 60 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max： | 45 V |
| Emitter- Base Voltage VEBO： | 2 V |
| Maximum DC Collector Current： | 0.8 A |
| Gain Bandwidth Product fT： | 200 MHz |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | SOT-23-3 |
| Continuous Collector Current： | 0.8 A |
| DC Collector/Base Gain hfe Min： | 50 at 100 uA at 10 V, 120 at 10 mA at 1 V, 160 at 100 mA at 1 V, 60 at 500 mA at 2 V |
| Maximum Power Dissipation： | 330 mW |
| Minimum Operating Temperature： | - 65 C |
| Packaging： | Reel |
| Series： | BCW68 |
| Factory Pack Quantity： | 3000 |
| Part # Aliases： | BCW68GE6327HTSA1 SP000015039 |
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