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TSM1N45CT B0的详细信息
| Manufacturer： | Taiwan Semiconductor |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 450 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 500 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 4.25 Ohms |
| Configuration： | Single |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 4.8 V |
| Qg - Gate Charge： | 6.5 nC |
| Pd - Power Dissipation： | 2 W |
| Mounting Style： | Through Hole |
| Package / Case： | TO-92-3 |
| Packaging： | Reel |
| Brand： | Taiwan Semiconductor |
| Fall Time： | 23.7 nS |
| Forward Transconductance - Min： | 0.7 S |
| Rise Time： | 32.8 nS |
| Factory Pack Quantity： | 10000 |
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