 |
Texas Instruments 
TPS1120DG4的详细信息
| Manufacturer： | Texas Instruments |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Brand： | Texas Instruments |
| Transistor Polarity： | P-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 15 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | + 2 V, - 15 V |
| Id - Continuous Drain Current： | - 2.7 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 180 mOhms |
| Configuration： | Dual Dual Drain |
| Maximum Operating Temperature： | + 125 C |
| Pd - Power Dissipation： | 0.84 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | SOIC-8 |
| Packaging： | Tube |
| Channel Mode： | Enhancement |
| Fall Time： | 10 ns |
| Forward Transconductance - Min： | 2.5 S |
| Minimum Operating Temperature： | - 40 C |
| Rise Time： | 10 ns |
| Series： | TPS1120 |
| Factory Pack Quantity： | 75 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 13 ns |
| Unit Weight： | 76 mg |
扫码手机查看更方便
同类器件
