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TriQuint Semiconductor 
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T1G6001032-SM的详细信息
| Manufacturer： | TriQuint |
|---|---|
| Product Category： | Transistors RF JFET |
| RoHS： | Yes |
| Type： | GaN SiC HEMT |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 32 V |
| Maximum Drain Gate Voltage： | - 2.9 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 1.2 A |
| Frequency： | 3. GHz |
| Gain： | 19 dB |
| Pd - Power Dissipation： | 16 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Packaging： | Tray |
| Brand： | TriQuint Semiconductor |
| Drain-Source Current at Vgs=0： | 125 mA |
| Product： | GaN RF Power Transistors |
| Series： | T1G |
| Factory Pack Quantity： | 100 |
| Part # Aliases： | 1092157 |
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