Vishay Siliconix 
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SQJ960EP-T1-GE3的详细信息
| Manufacturer： | Vishay |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Brand： | Vishay / Siliconix |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 8 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 30 mOhms |
| Configuration： | Dual |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 2.5 V |
| Qg - Gate Charge： | 13 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation： | 34 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | PowerPAK SO-8 Dual |
| Packaging： | Reel |
| Fall Time： | 7 ns |
| Forward Transconductance - Min： | 16 S |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 8 ns |
| Series： | SQJ9xxEP |
| Factory Pack Quantity： | 3000 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 19 ns |
| Part # Aliases： | SQJ960EP-GE3 |
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