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Vishay Siliconix 
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SIRA00DP-T1-GE3的详细信息
| Manufacturer： | Vishay |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Brand： | Vishay / Siliconix |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 2.2 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 60 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 1 mOhms |
| Configuration： | Single Quad Drain Triple Source |
| Qg - Gate Charge： | 66 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 104 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | PowerPAK SO-8 |
| Packaging： | Reel |
| Fall Time： | 11 ns |
| Forward Transconductance - Min： | 140 S |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 14 ns |
| Series： | SIRAxxDP |
| Factory Pack Quantity： | 3000 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 67 ns |
| Part # Aliases： | SIRA00DP-GE3 |
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