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Vishay Siliconix 
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SIA907EDJT-T1-GE3的详细信息
| Manufacturer： | Vishay |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Brand： | Vishay / Siliconix |
| Transistor Polarity： | P-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | - 20 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 12 V |
| Id - Continuous Drain Current： | - 4.5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 57 mOhms |
| Configuration： | Dual |
| Qg - Gate Charge： | 15 nC |
| Pd - Power Dissipation： | 7.8 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | PowerPAK SC-70-6 |
| Packaging： | Reel |
| Fall Time： | 10 ns |
| Forward Transconductance - Min： | 11 S |
| Rise Time： | 10 ns |
| Factory Pack Quantity： | 3000 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 30 ns |
| Part # Aliases： | SIA907EDJT-GE3 |
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