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Infineon Technologies 
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SGB15N60E3261ATMA1的详细信息
| Manufacturer： | Infineon |
|---|---|
| Product Category： | IGBT Transistors |
| RoHS： | Yes |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max： | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage： | 2.8 V |
| Maximum Gate Emitter Voltage： | 20 V |
| Continuous Collector Current at 25 C： | 31 A |
| Gate-Emitter Leakage Current： | 100 nA |
| Power Dissipation： | 139 W |
| Package / Case： | PG-TO-263-3-2 |
| Packaging： | Reel |
| Brand： | Infineon Technologies |
| Continuous Collector Current Ic Max： | 15 A |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Series： | SGB15N60 |
| Factory Pack Quantity： | 1000 |
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