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Rohm Semiconductor 
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QS8J2TR的详细信息
| Manufacturer： | ROHM Semiconductor |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | P-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | - 12 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 10 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 4 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 26 mOhms |
| Configuration： | Dual |
| Qg - Gate Charge： | 20 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 1.5 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | TSMT-8 |
| Packaging： | Reel |
| Brand： | ROHM Semiconductor |
| Channel Mode： | Enhancement |
| Fall Time： | 180 ns |
| Forward Transconductance - Min： | 5.5 S |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 60 ns |
| Factory Pack Quantity： | 3000 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 300 ns |
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